电子发烧友App

硬声App

扫码添加小助手

加入工程师交流群

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>业界首款全SiC功率模块问世:开关效率提升10倍

业界首款全SiC功率模块问世:开关效率提升10倍

收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐
热点推荐

功率半导体需求旺 预计2030年SiC增长10,GaN翻至60

相比)SiC成长10,GaN翻至60,Si增长45.1%。 该机构指出,SiC功率半导体市场主要在中国和欧洲扩张,从2017年~2018年,SiC增长41.8%至3.7亿美元。目前,SiC-SBD(肖特基势垒二极管)占70%,并且主要在信息和通信设备领域需求增加。6英寸晶圆的推出使得成本降低,预计将进一
2019-06-25 11:22:428864

Fairchild推出业界首2.8V至36V整合式负载开关系列

Fairchild开发出业界首输入电压范围为2.8V 至36V的整合式负载开关产品AccuPower™系列,以满足设计人员在中等电压方面的需求。
2011-01-26 21:54:121851

安森美半导体推出业界首3:1高速USB开关-NCN1188

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体推出业界首3:1高速USB开关——NCN1188
2011-08-18 08:53:482904

IDT公司推出业界首功率DDR3内存缓冲芯片MB3518

IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出业界首功率DDR3 内存缓冲芯片,可在高达 1866 兆/秒 (MT/s) 的传输速率下运行
2012-11-12 15:58:554686

安立公司推出业界首电池供电的高功率便携式无源互调分析仪

安立公司(Anritsu Company)推出业界首电池供电的高功率便携式无源互调(PIM)分析仪PIM Master™ MW82119A
2012-12-13 10:49:311584

SiC功率器件和模块

SiC(碳化硅)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。表1-1显示了每种半导体材料的电气特性。SiC具有优异的介电击穿场强(击穿场)和带隙(能隙),分别是Si的10和3。此外,可以
2022-11-22 09:59:262550

如何实现高功率密度三相SiC功率模块设计与开发呢?

为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求,进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 SiC 功率模块设计与开发,提出了一种基于多叠层直接键合铜单元的功率模块封装方法来并联更多的芯片。
2024-03-13 10:34:033982

三菱电机工业用NX封装SiC功率模块解析

三菱电机开发了工业应用的NX封装SiC功率模块,采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构,与现有的Si-IGBT模块相比,显著降低了功率损耗,同时器件内部杂散电感降低约47%。
2025-01-22 10:58:423053

三星宣布推出业界首EUV DRAM,首批交付100万个

3月25日消息 三星电子(Samsung Electronics)宣布,已经出货100万业界首10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组。新的基于EUV的DRAM模块已经完成了全球客户评估,并将为在高端PC、移动终端、企业级服务器等等应用领域开启新大门。
2020-03-26 09:12:564442

科锐推出新型SiC功率模块产品系列——“Wolfspeed WolfPACK™

科锐推出新型SiC功率模块产品系列,为电动汽车快速充电和太阳能市场提供业界领先的效率
2021-01-14 15:23:001978

东芝开发出业界首2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高效率和小型化

中国上海, 2023 年 8 月 29 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出业界首[1]2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:551734

15 年代码经验,总结出提升 10 效率的三件事!

【译者注】本文作者 Matt Watson 已经写了超过 15 年的代码,也由此总结出了提升 10 效率的三件事。Matt 表示,一个 10 效率的开发人员很快就知道了他们需要做什么,要问
2017-10-14 17:35:54

50KW85KHzSiC车载无线充电系统

充电系统却一直在研发中,今天我们就来了解一SiC功率器件的车载无线充电系统。今天介绍的这个研究是一SiC功率器件的车载无线充电系统,功率为50KW,载波频率为85KHz,功率密度为9.5KW
2021-04-19 21:42:44

SiC MOSFET 开关模块RC缓冲吸收电路的参数优化设计

0  引言SiC-MOSFET 开关模块(简称“SiC 模块”)由于其高开关速度、高耐压、低损耗的特点特别适合于高频、大功率的应用场合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 开关速度更快
2025-04-23 11:25:54

SiC-MOSFET的应用实例

SiC-MOSFET-SiC-MOSFET的应用实例所谓SiC-MOSFET-SiC-MOSFET的可靠性SiC功率模块所谓SiC功率模块SiC功率模块开关损耗运用要点栅极驱动 其1栅极驱动 其2
2018-11-27 16:38:39

SiC/GaN功率开关有什么优势

新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步,从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率,将有助于实现更紧
2018-10-30 11:48:08

SiC功率模块的栅极驱动其1

通时产生的Vd振铃、和低边SiC-MOSFET的寄生栅极寄生电容引起的。SiC功率模块开关速度与寄生电容下面通过与现有IGBT功率模块进行比较来了解与栅极电压的振铃和升高有关的SiC功率模块开关
2018-11-30 11:31:17

SiC功率模块的特征与电路构成

电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗,通过改用SiC功率模块可以明显减少,因此具有以下效果:开关损耗的降低,可以带来电源效率的改善和散热部件的简化(例:散热片的小型化,水冷/强制风冷的自然风冷化
2019-03-25 06:20:09

SiC功率元器件的开发背景和优点

。例如,SiC功率模块的尺寸可达到仅为Si的1/10左右。关于“高速工作”,通过提高开关频率,变压器、线圈、电容器等周边元件的体积可以更小。实际上有能做到原有1/10左右的例子。“高温工作”是指容许在
2018-11-29 14:35:23

SiC功率器件SiC-MOSFET的特点

二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10,所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此,在相同的耐压值
2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

Dielectric Constant: εS11.89.712.89.5p. n Control○○○△Thermal Oxide○○××2. 功率器件的特征SiC的绝缘击穿场强是Si的10,因此与Si器件
2019-07-23 04:20:21

SiC功率器件概述

电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗,通过改用SiC功率模块可以明显减少,因此具有以下效果:开关损耗的降低,可以带来电源效率的改善和散热部件的简化(例:散热片的小型化,水冷/强制风冷的自然风冷化
2019-05-06 09:15:52

业界首个集成CAN收发器微控制器解决方案

LPC11C00宣传页:业界首集成CAN收发器微控制器解决方案
2022-12-08 07:07:09

SiC功率模块介绍

SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“SiC功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。关于这一点,根据这之前介绍过的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特点与性能,可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04

SiC功率模块使逆变器重量减少6kg、尺寸减少43%

ROHM为参战2017年12月2日开幕的电动汽车全球顶级赛事“FIAFormula E锦标赛2017-2018(第4赛季)”的文图瑞Formula E车队提供SiC功率模块。ROHM在上个赛季(第
2018-12-04 10:24:29

SiC功率模块开关损耗

SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍,开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。SiC功率模块开关损耗SiC功率模块与现有
2018-11-27 16:37:30

SiC模块栅极误导通的处理方法

和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V为驱动器的电源。电路中增加了CGS和米勒钳位MOSFET,使包括栅极电阻在内均可调整。将该栅极驱动器与SiC功率模块的栅极和源极连接,来确认栅极电压的升高情况
2018-11-27 16:41:26

开关损耗更低,频率更高,应用设备体积更小的SiC功率模块

开关电源电路相同。另外,SiC-SBD不产生短脉冲反向恢复现象,因此PWM控制无需担心短脉冲时的异常浪涌电压。不仅有助于提高逆变器和电源的效率,还可实现小型化,这是SiC功率模块的巨大优势。由
2018-12-04 10:14:32

CAB450M12XM3工业级SiC半桥功率模块CREE

CAB450M12XM3工业级SiC半桥功率模块CREE CAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)精心打造的一工业级碳化硅(SiC)半桥功率模块,专为高功率密度、极端高温环境
2025-03-17 09:59:21

Leadway GaN系列模块功率密度

开关速度可达硅基的10。这一特性使得GaN模块在高频应用中损耗更低,允许通过提升开关频率(如10MHz以上)缩小电感、变压器等被动元件尺寸,从而直接提升功率密度。磁集成与拓扑优化: Leadway
2025-10-22 09:09:58

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

技术领域都拥有强大的优势,双方保持着技术交流并建立了合作关系。今后,通过将ROHM的SiC功率元器件和控制技术与Apex Microtechnology的模块技术完美结合,双方将能够提供满足市场需求的出色的功率系统解决方案,从而持续为工业设备的效率提升做出贡献。
2023-03-29 15:06:13

【罗姆BD7682FJ-EVK-402试用体验连载】SiC MMC实验平台设计——功率模块驱动选型

项目名称:SiC MMC实验平台设计——功率模块驱动选型试用计划:申请理由本人在电力电子领域有三年多的学习和开发经验,曾设计过基于半桥级联型拓扑的储能系统,通过电力电子装置实现电池单元的间接
2020-04-21 16:02:34

【论文】基于1.2kVSiC功率模块的轻型辅助电源

%提升到了97.3%。图5功率损耗对比5、结论新的APS系统采用了最新的1.2kVSiC功率模块,凭借其低损耗、高工作温度等特点,器件的开关频率得以提高。在本设计中,作者考虑到了高开关频率可以使滤波
2017-05-10 11:32:57

【转帖】华润微碳化硅/SiC SBD的优势及其在Boost PFC中的应用

我国“新基建”的各主要领域中发挥重要作用。 一、 SiC的材料优势 碳化硅(SiC)作为宽禁带材料相较于硅(Si)具有很多优势,如表1所示:3的禁带宽度,有利于碳化硅器件工作在更高的温度;10
2023-10-07 10:12:26

三大产品+三维生态,腾讯云存储新蓝图来了 精选资料分享

腾讯云存储,正在形成面向未来的蓝图。在5月10日腾讯云存储产品战略发布会上,腾讯云一次性发布了业界首十微秒级的极速型云硬盘、业界首突破百GB 吞吐的文件存储、以及业界首创能够10提升...
2021-07-12 07:35:21

交流充电桩负载能效提升技术

功率器件与拓扑优化 宽禁带半导体器件应用 传统硅基IGBT/MOSFET因开关损耗高,限制了系统效率。采用碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)器件可显著降低损耗: SiC MOSFET导通电阻低(仅为硅
2025-05-21 14:38:45

具有SiC MOSFET的10KW交错式升压转换器参考设计

介绍了采用商用1200V碳化硅(SiC)MOSFET和肖特基二极管的100KHz,10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07:24

如何使用SiC功率模块改进DC/DC转换器设计?

设计方面,SiC功率模块被认为是关键使能技术。  为了提高功率密度,通常的做法是设计更高开关频率的功率转换器。  DC/DC 转换器和应用简介  在许多应用中,较高的开关频率会导致滤波器更小,电感和电容值
2023-02-20 15:32:06

应用SiC模块应用要点:专用栅极驱动器和缓冲模块的效果

作为应用SiC模块的应用要点,本文将在上一篇文章中提到的缓冲电容器基础上,介绍使用专用栅极驱动器对开关特性的改善情况。SiC模块的驱动模式与基本结构这里会针对下述条件与电路结构,使用缓冲电容器
2018-11-27 16:36:43

德州仪器推出业界首超低功耗 FRAM 微控制器

德州仪器推出业界首超低功耗 FRAM 微控制器开发人员藉此可让世界变得更加智能MSP430FR57xx FRAM 微控制器系列可为开发人员带来高达100的写入速度增幅及250的功耗降幅,因而
2011-05-04 16:37:37

怎么实现基于业界首Cortex-M33双核微控制器LPC55S69的电路设计?

怎么实现基于业界首Cortex-M33双核微控制器LPC55S69的电路设计?
2021-06-15 09:14:03

搭载SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块

电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗,通过改用SiC功率模块可以明显减少,因此具有以下效果:开关损耗的降低,可以带来电源效率的改善和散热部件的简化(例:散热片的小型化,水冷/强制风冷的自然风冷化
2019-03-12 03:43:18

新品发布|业界首!润开鸿最新推出RISC-V 高性能芯片➕ OpenHarmony标准系统的智能硬件开发平台HH-SCDAYU800

新品发布|业界首!润开鸿最新推出RISC-V 高性能芯片➕ OpenHarmony标准系统的智能硬件开发平台HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15

新思科技发布业界首栈式AI驱动型EDA解决方案Synopsys.ai

技(Synopsys, Inc.,纳斯达克股票代码:SNPS)隆重推出了业界首栈式AI驱动型EDA解决方案Synopsys.ai,覆盖了先进数字与模拟芯片的设计、验证、测试和制造环节。基于此,开发者第一次
2023-04-03 16:03:26

深爱半导体 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能单相IPM模块

SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能单相IPM模块系列!我们以全新ESOP-9封装与新一代技术,赋能客户在三大核心维度实现飞跃性提升效率跃升、空间减负、成本优化与可靠性保障
2025-07-23 14:36:03

用于汽车应用的碳化硅MOSFET功率模块

具有更高的热性能和坚固性,以及高度可靠的环氧树脂灌封技术。所有这些都导致:  优化内部低杂散电感和电弧键合™结构,显著提升动态开关性能;  功率密度比主要竞争对手的模块高20-30%;  更低的热阻
2023-02-20 16:26:24

采用SiC模块解决方案的10kW 3级UPS逆变器可实现高效率并减小尺寸和重量

Fraunhofer ISE用ROHM SiC和栅极驱动器设备开发了一10kW的三相UPS逆变器,如图4所示。100kHz的高开关频率导致输出端的无源滤波器组件和输入电容小,从而使输出电容器和输入
2019-10-25 10:01:08

采用第3代SiC-MOSFET,不断扩充产品阵容

10mΩ(typ)的、SiC-SBD内置型SiC功率模块。下图为与现有产品的关系示意图。BSM180D12P3C007的开关损耗与IGBT模块相比大幅降低,比ROHM现有的IGBT模块产品也低42
2018-12-04 10:11:50

黎志远_业界首电流模式LLC AC-DC 控制器 NCP1399

黎志远_业界首电流模式LLC AC-DC 控制器 NCP1399
2018-02-01 17:46:50

全球最小单片机问世——Microchip推出业界首6引脚单

全球最小单片机问世 ——Microchip推出业界首6引脚单片机     全球领先的单片机和模拟半导体供应商——Microchip Technology(美国微芯科技公
2009-07-06 09:02:002398

Intel发布业界首双网口10Gb以太网卡

Intel发布业界首双网口10Gb以太网卡  Intel今天发布了第三代基于10GBase-T 10Gbps以太网标准的服务器网卡“X520-T2”,并首次配备了
2010-01-29 09:17:101330

创新封装将功率MOSFET散热效率提升80%

创新封装将功率MOSFET散热效率提升80%   德州仪器 (TI) 公司采用创新的封装技术,面向高电流DC/DC应用,推出5目前业界首个采用封装顶部散热的标
2010-03-01 11:37:221113

Digi发布业界首极简单易用的可编程 ZigBee模块

Digi 发布业界首极简单易用的可编程 ZigBee 模块  - 独立无线软件使 ZigBee 的开发更简单快速 -   
2010-03-04 18:15:071016

业界首可以在多天线无线基站中实现更高速度、性能和设计效率

业界首可以在多天线无线基站中实现更高速度、性能和设计效率的四通道 DAC 问世-- 与双通道器件相比,ADI 的1GSPS 四通道 DAC 的数据速率可以提高25%,PCB 占位面积可以减少20%
2010-04-28 17:15:51805

TPS2540 业界首具有板载电源开关的主机侧充电控制集成

  日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一最新电源管理器件,该款器件高度集成限流电源开关与 2.6 GHz 高带宽信号开关,并针对 USB 接口进行了精心优化。TPS2540 是业界首具有板载
2010-12-01 09:00:091263

MAX12005 业界首8 ×4卫星中频开关IC

MXIM推出MAX12005,业界首8 × 4卫星中频开关IC可扩充到允许多达16个卫星信号。高度集成,MAX12005非常灵活,一个空间受限的范围广,如果分配和多路开关应用卫星的适应性。
2011-01-14 09:52:00811

业界首10Gb以太网无源光网络(EPON)单芯片系统解决方案

博通公司宣布,正式推出业界首10Gb以太网无源光网络(EPON)光网络单元(ONU)单芯片系统(SoC)解决方案。Broadcom的10Gbps BCM55030单芯片系统解决方案提供的带宽是现有1G EPON解决方案的10
2011-01-22 11:11:07990

TI推出业界首支持14个电源电压轨的汽车PMIC

德州仪器 (TI) 宣布推出业界首支持 14 个电源电压轨的汽车电源管理集成电路 (PMIC)。作为业界首支持超过 10 个电压轨的汽车 PMIC
2011-10-26 09:45:51976

罗姆半导体“SiC功率模块开始量产,开关损耗降低85%

日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部:日本京都市)推出的“SiC功率模块(额定1200V/100A)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(Silicon Carbide:碳化硅)构
2012-03-23 08:52:572163

Redpine推出业界首集成式、低功率Wi-Fi模块

Redpine Signals, Inc,近日宣布推出业界首适用于M2M市场的集成式、低功率Wi-Fi模块。该模块有很多针对Wi-Fi Direct和Enterprise security的全新功能。
2012-03-28 16:03:111111

Mouser推出Cree公司的业界首1200V高频碳化硅半电桥模块

Mouser Electronics宣布备货Cree公司的CAS100H12AM1,这是业界首在单个半电桥封装中结合SiC MOSFET和SiC肖特基二极管的产品。
2013-06-05 10:17:191608

ROHM扩充“SiC功率模块产品阵容

全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器,开发出额定1200V/300A的“SiC功率模块“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:441022

Synaptics推出业界首支持UHD 的显示产品

人机交互解决方案的领先开发商Synaptics宣布推出4最新显示驱动集成电路(DDIC)解决方案,其中包括业界首支持超高清(UHD)分辨率的产品。
2015-07-15 11:14:471758

业界首900V SiC MOSFET,导通电阻65 mΩ

SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。
2015-09-07 09:29:312449

贸泽电子率先备货ON Semiconductor的FDMF8811桥式功率模块

功率模块。FDMF8811模块业界首面向半桥和桥DC-DC转换器的100V桥式功率模块,采用高性能PowerTrench™ MOSFET 技术减少了转换器应用中的开关振铃。
2018-05-17 15:47:001562

DC/DC模块提供业界最高的功率效率

PKU4300D新系列1/16砖封装DC/DC模块可提供业界最高的功率效率 对于ICT、电信和工业市场中的分布式和中间总线等应用,高级总线转换器旨在替代部署在这些应用中的一系列终端用户电路板上的1
2018-04-07 22:18:008264

安捷伦宣布推出业界首能够自动表征实际工作电压下功率器件节点电容的功率器件电容分析仪

安捷伦科技公司日前宣布推出业界首能够自动表征实际工作电压下功率器件节点电容的功率器件电容分析仪。
2018-04-28 08:34:001482

何谓SiC功率模块?

罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“SiC功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2018-05-17 09:33:1314691

业界首28 nm FPGA Kintex-7 10Gbps 收发器性能演示

Xilinx公司业界首28 nm FPGA Kintex-7 10Gbps 收发器性能演示。
2018-06-01 15:50:005004

三菱电机开发了首6.5kVSiC(Silicon Carbide)功率模块

6.5kV新型SiC MOSFET功率模块内部采用半桥拓扑,一般的大功率应用可以采用并联连接来提高输出功率。高电压功率模块在高频下运行,需要考虑模块自身的寄生电容、寄生电感和寄生阻抗等。3D电磁
2018-09-13 15:04:126799

Qorvo推出业界首个集成式前端模块 可满足Wi-Fi 6系统的屋覆盖

RF解决方案提供商Qorvo日前宣布该公司推出了业界首个集成式前端模块(iFEM),可满足Wi-Fi 6(802.11ax)系统的高可靠屋覆盖。iFEM将Qorvo的先进BAW滤波器技术与其独特的edgeBoost功能相结合,将Wi-Fi范围扩大了一,处理容量增加了三
2020-01-06 15:23:481238

出货100万 三星业界首EUV DRAM推出

三星电子(Samsung Electronics)今天宣布,已经出货100万业界首10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组。新的基于EUV的DRAM模块已经完成了全球客户评估,并将为在高端PC、移动终端、企业级服务器等等应用领域开启新大门。
2020-03-25 16:53:572848

德州仪器业界首差分感应开关能够自动补偿温度变化

“ 德州仪器公司今天推出业界首差分感应开关,其采用双线圈架构,能够自动补偿温度变化和元件老化。LDC0851能够利用印刷电路板(PCB)上的线圈检测导电材料存在与否。这种独特的方法实现了低成本
2020-09-11 16:34:493110

DN369 - 业界首开关降压-升压型控制器采用单个电感器实现了极高的效率

DN369 - 业界首开关降压-升压型控制器采用单个电感器实现了极高的效率
2021-03-21 15:26:524

POWI推出业界首内部集成的汽车级高压开关IC

标准、额定电压1700V的IC。这些新器件是业界首采用碳化硅(SiC)初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC。新IC可提供高达70W的输出功率,主要用于600V和800V纯电池和燃料电池乘用车,以及电动巴士、卡车和各种工业电源应用。
2022-02-15 11:45:531476

PI推出业界首采用SiC MOSFET的汽车级开关电源IC

Power Integrations今日发布两新器件,为InnoSwitch3-AQ产品系列新添两符合AEC-Q100标准、额定电压1700V的IC。这些新器件是业界首采用碳化硅(SiC)初级
2022-02-16 14:10:122674

Ameya360:SiC模块的特征 Sic的电路构造

电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗,通过改用SiC功率模块可以明显减少,因此具有以下效果: 开关损耗的降低,可以带来电源效率的改善和散热部件的简化 (例:散热片的小型化,水冷/强制风冷的自然风冷化) 工作频率的高频化,使周边器件小型化 (例:电抗器或电容等的小型化)
2023-01-12 16:35:471139

SiC模块的特征和电路构成

的尾电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗,通过改用SiC功率模块可以明显减少,因此具有以下效果: 开关损耗的降低,可以带来电源效率的改善和散热部件的简化 (例:散热片的小型化,水冷/强制风冷的自然风冷化) 工作频率的高频化,使周边器件小型化 (例:电抗器或电容等的小型化)
2023-02-07 16:48:231562

何谓SiC功率模块

SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“SiC功率模块”。本文作为第一篇,想让大家了解SiC功率模块具体是什么样的产品,都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:211334

SiC功率模块开关损耗

SiC功率模块与现有的IGBT模块相比,具有1)可大大降低开关损耗、2)开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43:221533

搭载了SiC-MOSFET/SiC-SBD的SiC功率模块介绍

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“SiC功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“SiC功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:082522

采用第3代SiC-MOSFET,不断扩充产品阵容

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“SiC功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“SiC功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-13 09:30:041134

相移桥电路的功率转换效率提升:PSFB电路的基本结构

作为Si功率元器件评估篇的第2波,将开始一系列有关Si功率元器件通过PSFB电路进行“相移桥电路的功率转换效率提升”的文章。这类大功率电源中大多采用桥电路,尤其是相移桥(以下称“PSFB
2023-02-13 09:30:056234

相移桥电路的功率转换效率提升效率的评估

相移桥电路的功率转换效率提升,针对本系列文章的主题——转换效率,本文将会给出使用实际电源电路进行评估的结果。具体而言,本文对Q1~Q4的MOSFET使用导通电阻约0.2Ω的五种快速恢复型SJ MOSFET时的结果进行了比较。
2023-02-13 09:30:062124

何谓SiC功率模块

SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“SiC功率模块”。本文想让大家了解SiC功率模块具体是什么样的产品,都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920

SiC功率模块开关损耗

SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍,开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。
2023-02-24 11:51:281234

如何充分发挥SiC功率模块的优异性能

首先需要了解的是:接下来要介绍的不是SiC功率模块特有的评估事项,而是单个SiC-MOSFET的构成中也同样需要探讨的现象。在分立结构的设计中,该信息也非常有用。
2023-02-27 11:49:18878

业界首模拟信号10KV高隔离放大器变送器模块.

业界首模拟信号10KV高隔离放大器变送器模块.
2022-02-11 15:46:17686

东芝开发出业界首2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高效率和小型化

点击“东芝半导体”,马上加入我们哦! 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布, 推出业界首 [1] 2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:071150

美光推出业界首标准低功耗压缩附加内存模块

美光科技近日宣布推出业界首标准低功耗压缩附加内存模块(LPCAMM2),这款产品提供了从16GB至64GB的容量选项,旨在为PC提供更高性能、更低功耗、更紧凑的设计空间及模块化设计。
2024-01-19 16:20:471222

SiC器件如何提升电动汽车的系统效率

SiC器件可以提高电动汽车的充电模块性能,包括提高频率、降低损耗、缩小体积以及提升效率等。这有助于提升电动汽车的整体性能表现。
2024-03-18 18:12:342390

提升传统基于IGBT模块的电力组件性能的SiC模块

的电力转换器中,这些通常是全新设计,这一趋势主要是由于提高光伏逆变器和其他工业电源应用的效率的需求。图1设计师们现在正在使用市面上可用的高功率SiC电力模块和驱动器
2024-08-19 11:31:252088

PI推出业界首1700V氮化镓开关IC

深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出InnoMux-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN技术制造而成,是业界首1700V氮化镓开关IC。
2024-11-05 13:40:571066

浮思特|如何通过设计SiC功率模块优化电动汽车电机驱动热管理效率?

提高电机驱动系统的功率密度是提升电动汽车性能的关键。特斯拉已经使用的碳化硅(SiC)功率模块,有可能将功率密度提高一SiC器件具有高温电阻性、低损耗,并且能在高频下运行。尽管SiC器件已经有
2024-12-09 11:54:521141

使用 SiC 功率半导体提升高性能开关转换器的效率

作者: Jens Wallmann 尽管硅 (Si) 器件相对成熟,但碳化硅 (SiC) 功率器件仍有望降低产品成本并提高效率。然而,有些设计人员可能仍然认为 SiC 半导体相当昂贵且难以控制
2025-01-26 22:10:001253

业界首个华为发布液冷兆瓦级超充 补能效率较传统快充桩提升近4

在2025华为智能电动&智能充电网络战略与新品发布会上,华为正式发布了业界首液冷兆瓦级超充解决方案。不仅仅是充电快,寿命还长,使用寿命长达 10 年。 据悉,华为液冷兆瓦级超充搭载的是华为自主
2025-04-23 16:26:531376

SiC MOSFET功率模块效率革命:倾佳电子力推国产SiC模块开启高效能新时代

导通损耗降低57% :15mΩ超低导通电阻(25℃),高温175℃时仅28mΩ,较IGBT大幅减少发热。 开关频率提升5 :支持100kHz高频开关(IGBT仅20kHz),设备体积缩小40
2025-07-29 09:57:57511

已全部加载完成