缩减硅工艺的可怕竞争，最近又难倒了一位参赛选手。格罗方德（GlobalFoundries）今日宣布，它将无限期地暂停 7nm LP 工艺的开发，以便将资源转移到更加专业的 14nm 和 12nm
2018-08-28 09:24:20
5192 今年对于格芯来说，是其转型开始的重要一年。 8月份，格芯宣布将搁置7纳米FinFET项目，并调整相应研发团队来支持强化的产品组合方案。同时，格芯为了更好地施展格芯在ASIC设计和IP方面的强大背景
2018-11-01 09:57:391950 延续7纳米制程领先优势，台积电支援极紫外光(EUV)微影技术的7纳米加强版(7+)制程将按既定时程于3月底正式量产，而全程采用EUV技术的5纳米制程也将在2019年第2季进入风险试产。 据了解，独家
2019-02-13 10:08:155233 延续7纳米制程领先优势，台积电支持极紫外光(EUV)微影技术的7纳米加强版(7+)制程将按既定时程于3月底正式量产，而全程采用EUV技术的5纳米制程也将在2019年第2季进入风险试产。
2019-02-14 00:06:002519 生产线比其他代工厂的生产线要小得多。 中芯国际的前代制造技术为28纳米，因此14纳米工艺切实提高了晶体管密度，提高了性能，并降低了功耗，这自然使该公司能够生产更复杂，更昂贵的芯片，而这些芯片原本可以外包给更大的竞争对手。 目前，中芯国际在其300毫米晶
2019-11-19 10:40:267769 那么20纳米的平面型晶体管还有市场价值么？这是一个很好的问题，就在此时，在2013年初，20nm的平面型晶体管技术将会全面投入生产而16纳米/14纳米 FinFET器件的量产还需要一到两年，并且还有
2013-03-15 09:02:542671 
Cadence设计系统公司（Cadence Design Systems， Inc.）（纳斯达克代码：CDNS）今日宣布与TSMC签订了一项长期合作协议，共同开发16纳米FinFET技术，以其适用于
2013-04-09 11:00:051123 格罗方德表示2015年推出10纳米，此进度比台积电领先两年，也比英特尔2016年投入研发还领先一年。
2013-04-28 09:11:361210 我们的FinFET制程分为两个世代，包括14纳米和7纳米。过去我们的14纳米是和三星电子（Samsung Electronics）合作，在7纳米上我们选择不同技术，加上收购IBM资产后，我们的研发资源变广，因此决定自己开发7纳米制程技术。
2016-11-03 09:17:281902 12纳米领先性能(12LP)的FinFET半导体制造工艺。该技术预计将提高当前代14纳米 FinFET产品的密度和性能，同时满足从人工智能、虚拟现实到高端智能手机、网络基础设施等最具计算密集型处理需求的应用。 这项全新的12LP技术与当前市场上的16 /14纳米 FinFET解决方案相比，电路密度提高
2017-09-25 16:12:369306 22纳米 FD-SOI (22FDX)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDX eMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美国所展示的，格芯22FDX eMRAM具有业界领先的存储
2017-09-25 17:21:098685 美国加利福尼亚圣克拉拉，2017年9月20日 – 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其为IBM的下一代服务器系统处理器定制的量产14纳米高性能（HP）技术。这项双方共同开发的工艺
2017-09-27 11:11:2910466 格芯各类技术与解决方案，覆盖主题十分广泛，包括FDX®设计和生态系统、IoT，5G/网络和汽车解决方案智能应用，FDX®、FinFET和射频技术，嵌入式内存解决方案和主流平台等。
2017-10-24 10:12:247800 美国加利福尼亚州圣克拉拉及中国上海，（2017年11月15日）——格芯（GLOBALFOUNDRIES）及上海复旦微电子集团股份有限公司今日宣布，已通过使用格芯55纳米低功率扩展(55LPx) 技术
2017-11-16 14:31:5313706 制程进度，共同执行长赵海军表示，先进制程14纳米FinFET将于2019年量产，第二代28纳米HKMG制程也会于2018年底问世，外界都睁大眼睛等着检视成绩单。 中芯国际15日的线上法说中，仍是由赵海军主持会议，梁孟松仅简短发言，代表加入新团队后的首次现“声”，也满
2017-11-27 16:29:531679 根据供应链传出的消息指出，中国大陆最大的晶圆代工厂中芯国际，目前最新的14纳米FinFET制程已接近研发完成阶段，其试产的良率已经可以达到95%的水准。因此，距离2019年正式量产的目标似乎已经不远了。
2018-06-15 14:09:469752 8月30日，中芯国际发布2018年中期业绩，收入同比增长11.5%至17.22亿美元；毛利同比增长5.6%至4.38亿美元。中芯国际在14纳米FinFET技术开发上获得重大进展。中芯国际的第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。
2018-08-31 14:44:336228 晶圆代工大厂格芯宣布，旗下最先进的FinFET解决方案“12LP+”，已通过技术验证，目前准备在纽约州马尔他的Fab 8进行生产，预计在今年下半年进行试产。
2020-07-06 10:06:054198 这款测试芯片是业界首款采用12纳米FinFet（FF）技术为音频IP提供完整解决方案的产品。该芯片完美结合了高性能、低功耗和优化的占板面积，为电池供电应用提供卓越的音质与功能。这款专用测试芯片通过
2024-02-22 14:46:181424 
2013年韩国首尔纳米技术展NANO KOREA2013年韩国纳米展 韩国纳米展 首尔纳米展新材料展 微电子技术展 精密陶瓷展展会时间:2013年7月 10-12日主办单位：韩国纳米组织委员会 韩国
2013-02-24 13:52:34
Finfet技术（3D晶体管）详解
2012-08-19 10:46:17
的日常防护需求。尤其适合对手机，智能穿戴设备做整机处理，并可达到IPX7的专业防水等级。特点：具有防水、耐腐蚀，导电性能。 主要工艺：在真空状态，一定条件纳米材料形成气体沉积在产品表面。360°无死角
2018-09-19 13:34:06
`纳米防水技术还在推广当中。很多人没接触过。纳米技术的防水、防潮，耐腐蚀。技术的应用的比较广，比如音响喇叭网，容易吸潮，纳米镀膜后完全不会吸潮。对音质测试完全无影响。蓝牙耳机耐汗耐腐蚀。鞋子防水抗溅，莫高档品牌已经在做了。LED防水防潮等等。`
2018-09-21 15:26:09
XP3358是一款数字高性能单级高PF(PF>0.9)恒压(V)控制芯片适用于反(Fyback)或升降压(buck-boost)电源拓扑。芯格诺专利的数字控制算法使得XP3358具备
2023-08-11 16:32:14
`7纳米芯片一直被视为芯片业“皇冠上的珍珠”，令全球芯片企业趋之若鹜。在大家热火朝天地竞相布局7纳米工艺时，全球第二大的芯片大厂GlobalFoundries（格罗方德，格芯，以下简称GF）突然宣布
2018-09-05 14:38:53
苹果晶圆代工龙头台积电16纳米鳍式场效晶体管升级版（FinFET Plus）将在明年1月全产能量产，搭配整合型扇出晶圆尺寸封装（InFO WLP）的系统级封装（SiP）技术，在x86及ARM架构64位
2014-05-07 15:30:16
`AGM（傲格芯），成立于2012年，是国内领先的提供可编程逻辑SOC芯片的半导体集成电路，AGM自有编译全套软件，（包括自有的synthesis,place,route,timing
2020-09-01 15:01:39
随着智能家居技术的不断进步，即热式热水器作为现代家庭中的重要组成部分，正逐渐向智能化、节能化方向发展。本方案通过采用武汉芯源半导体的CW32F030系列单片机，以其高性能、超强抗干扰等特性，为即热式
2024-06-06 14:17:47
。公司主要投资人带领的科研工作组从事新材料、纳米技术的研究已有十几年的时间，并在纳米基础材料的研究中取得了一系列的成果。研制开发了几项在国内外领先的产品技术，具有完全自主知识产权。现已拥有5项授权专利
2011-11-12 09:57:00
的芯片代工业务，随着电子行业的竞争升级，我们将能看到更多省电又轻薄的手机。比如目前全球领先芯片制作商都在追的10nm线程，不仅如此，厂商们还把目光投向7纳米甚至是5纳米，相信不久的将来会有更精湛的产品呈现在我们面前。敬请期待吧！
2016-12-16 18:20:11
，并以此为资本争夺下一代iPhone的芯片代工业务，随着电子行业的竞争升级，我们将能看到更多省电又轻薄的手机。比如目前全球领先芯片制作商都在追的10nm线程，不仅如此，厂商们还把目光投向7纳米甚至是5纳米，相信不久的将来会有更精湛的产品呈现在我们面前。敬请期待吧！
2016-06-29 14:49:15
1、引言自1991年日本Iijima教授发现碳纳米管以来，纳米技术吸引了大量科学家的兴趣和研究，是目前科学界的研究热点。基于碳纳米管独特的电学特性，提出了利用碳纳米管阵列构筑新型天线和传输线的设想
2019-05-28 07:58:57
中芯国际将45纳米工艺技术延伸至40纳米以及55纳米
上海2009年10月14日电 -- 中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约
2009-10-15 08:22:441035 中芯国际65纳米技术国际领先
虎年春节，宁先捷终于和家人一起过了年。身为中芯国际集成电路制造(北京)有限公司技术开发中心负责人，他此
2010-03-23 11:10:161260 该14纳米产品体系与芯片是ARM、Cadence与IBM之间在14纳米及以上高级工艺节点上开发系统级芯片（SoC）多年努力的重要里程碑。使用FinFET技术以14纳米标准设计的SoC能够大幅降低功耗。 这
2012-11-16 14:35:551642 FinFET的芯片。在2月份举行的这次Common Platform 2013技术论坛上，IBM除了展示FinFET这种3D晶体管技术外，还展示了诸如硅光子晶体管，碳纳米管等前沿技术。
2013-02-20 23:04:308361 全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司（NASDAQ： CDNS）今天宣布，立即推出基于台积电16纳米FinFET制程的DDR4 PHY IP（知识产权）。
2014-05-21 09:44:543163 FastSPICE™ （AFS） 平台。除此之外，Calibre 和 Analog FastSPICE 平台已可应用在基于TSMC 7 纳米 FinFET 工艺最新设计规则手册 （DRM） 和 SPICE 模型的初期设计开发和 IP 设计。
2016-03-24 11:13:191110 12月13 日，格罗方德公司今天宣布，已证实运用14纳米FinFET工艺在硅芯片上实现真正长距离56Gbps SerDes性能。作为格罗方德高性能ASIC产品系列的一部分，FX-14™ 具有56Gbps SerDes，致力于为提高功率和性能的客户需求而生，亦为应对最严苛的长距离高性能应用需求而准备。
2016-12-15 14:03:261971 加利福尼亚，圣克拉拉（2017年6月14日）—— 格芯今日宣布推出其基于7纳米FinFET工艺技术的FX-7TM专用集成电路（ASIC）。FX-7是一个集成式设计平台，将先进的制造工艺技术与差异化
2017-06-14 16:35:073033 加利福尼亚，圣克拉拉（2017年8月9日）——格芯今日宣布推出2.5D封装解决方案，展示了其针对高性能14纳米FinFET FX-14™ASIC集成电路设计系统的功能。
2017-08-14 17:46:541075 赛灵思、Arm、Cadence和台积公司今日宣布一项合作，将共同构建首款基于台积7纳米FinFET工艺的支持芯片间缓存一致性（CCIX）的加速器测试芯片，并计划在2018年交付
2017-09-23 10:32:124604 赛灵思、Arm、Cadence和台积公司今日宣布计划在 2018 年交付 7 纳米 FinFET 工艺芯片。这一测试芯片旨在从硅芯片层面证明 CCIX 能够支持多核高性能 Arm CPU 和 FPGA 加速器实现一致性互联。
2017-09-25 11:20:207378 半导体行业观察：全球第二大晶圆代工厂格芯半导体股份有限公司宣布，正式启动建设12英寸晶圆成都制造基地 关键词：格芯
2017-10-24 15:48:4310095 在2011年初，英特尔公司推出了商业化的FinFET，使用在其22纳米节点的工艺上［3］。从IntelCorei7-3770之后的22纳米的处理器均使用了FinFET技术。由于FinFET具有功耗低
2018-07-18 13:49:00123257 
格芯之前跳过 20 纳米及 10 纳米制程节点，直接进入 14 纳米及 7 纳米制程节点，14 纳米制程稳定量产，而 7 纳米制程预计在 2018 年底前量产。制程进展从合作伙伴 AMD 得到的反应都还不错，可让 AMD 的 Zen 2、Zen 3 架构处理器按计划执行生产。
2018-05-18 15:27:085516 中芯国际最新的14纳米FinFET制程已接近研发完成阶段，其试产的良率已经可以达到95%的水准，距离2019年正式量产的目标似乎已经不远
2018-07-06 15:23:524048 ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem获联华电子（UMC）的先进14纳米FinFET制程技术认证。ANSYS和联电透过认证和完整套装半导体设计解决方案，支援共同客户满足下一代行动和高效能运算（HPC）应用不断成长的需求。
2018-07-17 16:46:004095 与上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺在减少30%芯片尺寸基础上，实现性能提升27%或高达40%功耗降低。让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。
2018-07-22 11:13:495153 根据外媒报导，晶圆代工大厂格芯（Globalfoundries）技术长Gary Patton日前表示，格芯将在2018年底推出7纳米制程，并且将于2019年大规模量产。Gary Patton指出，格
2018-08-06 11:01:003565 中芯国际14纳米FinFET技术获得重大进展 8月9日，中芯国际公布了在14纳米FinFET技术开发上获得的重大进展。第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。除了28纳米PolySiON和HKC，28纳米HKC+技术开发也已完成。28纳米HKC持续上量，良率达到业界水平。
2018-08-18 10:31:004587 8月28日，全球第二大晶圆代工芯片制造商GlobalFoundries（以下简称格芯）宣布将搁置7nm FinFET项目，以支持公司战略调整。集邦咨询研究经理林建宏认为，这对全球晶圆格局影响有限，当下全球7nm代工晶圆市场以台积电为首的格局已定，即便如此，格芯停产对台积电并非完全有利。
2018-08-30 16:22:002274 晶圆代工大厂格芯在28日宣布，无限期停止7纳米制程的投资与研发，转而专注现有14/12纳米FinFET制程，及22/12纳米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002751 全球半导体先进制程竞赛，台积电的对手又有一名退出。全球最大半导体芯片制造商之一格芯（Globalfoundries）已决定退出开发最先进生产技术的争夺战，电子业对台积电的倚赖将进一步加深。
2018-08-28 15:26:002931 Globalfoundries（简称格芯）公司今天宣布无限期停止7nm工艺的投资研发，转而专注现有14/12nm FinFET工艺及22/12nm FD-SOI工艺。考虑到格芯这几年来营收及盈利状况
2018-08-29 15:13:003967 全球第二大半导体晶圆代工厂格芯宣布，将在7纳米FinFET先进制程发展无限期休兵。联电之后半导体大厂先进制程竞逐又少一家，外界担忧将对全球代工晶圆产业造成什么影响，集邦咨询（TrendForce）针对几个面向进行分析。
2018-08-31 15:12:004163 据报道，晶圆代工大厂格芯宣布退出7 纳米，市场以利多解读台积电后市，异康集团及青兴资本首席顾问杨应超指出，从先进制程竞争来说，台积电确实是受惠者，然而大厂退出市场，也反映半导体高成长不再。
2018-08-31 14:19:053811 格芯方面表示，他们正在重新部署具备领先优势的FinFET发展路线图，以服务未来几年采用该技术的下一波客户。公司将相应优化开发资源，让14/12纳米 FinFET平台更为这些客户所用，提供包括射频、嵌入式存储器和低功耗等一系列创新IP及功能。
2018-08-31 15:12:043646 提供7纳米及以下的晶圆代工替代选项，让ASIC业务部与更广泛的客户展开合作，特别是日益增多的系统公司，他们需要ASIC服务同时生产规模需求无法仅由格芯提供。
2018-08-31 16:18:284490 全球第二大晶圆代工厂格芯（GlobalFoundries）昨（28）日意外宣布，将无限期搁置7纳米计划。
2018-08-31 17:32:193223 （GLOBALFOUNDRIES）今天宣布其转型的重要一步，继今年初汤姆·嘉菲尔德（Tom Caulfield）接任首席执行官后，格芯正在重塑其技术组合，依照嘉菲尔德所阐述的战略方向，重点关注为高增长市场中的客户提供真正的差异化产品。 格芯正在重新部署具备领先优势的FinFET发展路线图，以服务未来几年采用该技术的下
2018-09-03 07:41:01477 美国晶圆代工厂格芯（GlobalFoundries）退出7纳米竞赛后，知情人士消息证实，超微正与格芯重谈晶圆供给协议（Wafer Supply Agreement，WSA）。
2018-09-10 10:08:004134 8月底，全球第二大晶圆代工厂格芯（Globalfoundries，“GF”）宣布退出7纳米及以下先进制程的研发与投资，这是继联电之后，第二家宣布放弃10纳米以下制程的半导体公司。虽然放弃7纳米及以下
2018-09-27 16:14:005049 关键词：格芯 , FinFET 功能丰富的半导体平台为下一代计算应用提供具有竞争力的性能和可扩展性 格芯今日在其年度全球技术大会(GTC)上宣布计划在其14/12nm FinFET产品中引入全套
2018-10-04 00:09:01415 著名的美国半导体企业格罗方德半导体股份有限公司Global Foundries宣布，将放弃未来7纳米技术的研发，这意味着未来参与 7 纳米战局的芯片大厂只剩英特尔、三星和台积电三家。
2018-10-28 09:38:176115 8月份，格芯宣布将搁置7纳米 FinFET项目，并调整相应研发团队来支持强化的产品组合方案。同时，格芯为了更好地施展格芯在ASIC设计和IP方面的强大背景和重大投资，将建立独立于晶圆代工业务外的ASIC业务全资子公司。
2018-11-01 09:25:241376 关键词：22FDX , AI芯片 , FD-SOI 近日，云天励飞以及瑞芯微电子宣布，它们采用格芯22FDX技术自主研发设计的AI芯片成功流片。2018年7月，格芯宣布其22FDX技术凭借优良性能
2018-11-05 16:31:02500 三个月前，晶圆代工大厂格芯突然宣布搁置7纳米FinFET项目，业内哗然。在台积电、三星等竞争对手正在努力抢占7nm制程市场之时，格芯为何作出此举？放弃7nm制程后，格芯未来的路又将走向何方？这是业界关心的问题。
2018-12-03 14:30:563452 如果中芯国际能够批量生产14纳米FinFET场效应晶体管，并且，进一步向前推进“半世代”工艺12纳米，那么将使中芯与竞争对手并驾齐驱，甚至超前，居于国内晶圆代工的领先地位。尤其，台积电受限于登陆投资，工艺卡位在16纳米，那么12纳米对于中芯而言，就具备地利优势。
2019-02-20 15:58:036232 日前，业界再度传出晶圆代工厂格芯（GLOBALFOUNDRIES）正在为其新加坡Fab 7厂寻找买家。对此，格芯今天官方作出回应。
2019-03-15 15:54:283042 4月16日，三星官网发布新闻稿，宣布已经完成5纳米FinFET工艺技术开发，现已准备好向客户提供样品。
2019-04-16 17:27:233799 值得注意的是，去年6月，格芯开始全球裁员，在建的成都12寸晶圆厂项目招聘暂停。去年8月，格芯宣布无限期停止7nm工艺的投资研发，转而专注现有14/12nm FinFET工艺及22/12nm FD-SOI工艺。
2019-04-24 16:23:214152 在昨日的财报说明会上，中芯国际联席首席执行官，赵海军博士和梁孟松博士说：“中芯国际在14纳米FinFET技术开发上获得重大进展。第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。除了28纳米PolySiON和HKC，我们28纳米HKC+技术开发也已完成。
2019-08-30 16:07:447804 格芯指出，新开发出基于ARM架构的3D高密度测试芯片，是采用格芯的12纳米FinFET制程所制造，采用3D的ARM网状互连技术，允许资料更直接的传输到其他内核，极大化的降低延迟性。而这样的架构，这可以降低资料中心、边缘运算以及高端消费者应用程式的延迟，并且提升数据的传输速度。
2019-08-12 16:36:543247 才与台积电进行专利诉讼官司和解，并签订10年交互授权协议的晶圆代工大厂格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，与IC设计厂SiFive正在合作研发将高频宽存储器（HBM2E）运用于格芯最近宣布
2019-11-06 15:59:553626 据中国台湾消息报道，中国大陆芯片代工厂商中芯国际已经从竞争对手台积电手中，夺得华为旗下芯片企业海思半导体公司的14纳米FinFET工艺的芯片代工订单。
2020-01-14 15:31:433455 关注半导体产业的台湾《电子时报》（DigiTimes）1 月 13 日报道称，中国大陆芯片代工厂商中芯国际击败台积电，夺得华为旗下芯片企业海思半导体公司的 14 纳米 FinFET 工艺芯片代工订单。
2020-01-16 09:00:016363 三星日前简要介绍了GAAFET中核心技术MCBFET（多桥沟道场效应晶体管），基于它打造的3nm芯片，相较于7nm FinFET,可以减少50%的能耗，增加30%的性能。
2020-04-15 09:12:363882 台积电3纳米将继续采取目前的FinFET晶体管技术，这意味着台积电确认了3纳米工艺并非FinFET技术的瓶颈，甚至还非常有自信能够在相同的FinFET技术下，在3纳米制程里取得水准以上的良率。这也代表着台积电的微缩技术远超过其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:233682 7月3日消息，作为先进的特色工艺半导体代工厂，格芯® （GF®） 近日宣布其先进的FinFET解决方案12LP+已完成技术认证，准备投入生产。12LP+是格芯推出的差异化解决方案，针对人工智能（AI
2020-07-06 15:16:562563 宣布为支持公司战略调整，格芯将搁置7纳米FinFET项目，并调整相应研发团队来支持强化的产品组合方案。一大部分顶尖技术人员将被部署到14/12纳米FinFET衍生产品和其他差异化产品的工作上。 简单地说：就是 ，哥以后不跟着台积电玩了，哥要走特色工艺去了。这个官宣
2020-12-02 14:16:273066 据科创板日报报道称，中芯国际的第二代FinFET已进入小量试产。 科创板中芯国际在互动平台表示，公司第一代FinFET14纳米已于2019年四季度量产；第二代FinFETN+1已进入客户导入阶段
2020-12-04 18:08:152429 中芯国际在互动平台上回答投资者时表示，第二代FinFET 已进入小量试产。 在回答投资者 近来公司 7 纳米产品生产研发进展如何？的问题时，中芯国际表示，公司第一代 FinFET 14nm 已于
2020-12-07 11:23:373352 当我们聊到格芯的时候，行业内的人都知道他们是在全球都名列前茅的晶圆代工厂。在产品线方面，他们不但拥有成熟的平面晶体管制造工艺，还拥有性能优越的FinFET工艺。此外，格芯这些年来还在FD-SOI
2021-02-22 15:45:043114 博世之所以选择格芯作为下一代毫米波汽车雷达的合作伙伴，是因为格芯在射频和毫米波特殊工艺半导体代工解决方案方面处于领先地位。格芯22FDX射频解决方案具备出色的性能、功耗和广泛的功能集成能力，是汽车雷达的理想半导体解决方案。
2021-03-17 10:08:382563 上海天数智芯半导体今日正式发布全自研高性能云端7纳米芯片BI及产品卡，实现国产高性能GPGPU历史上的突破。
2021-03-31 16:01:034270 拥有一套经过自身验证的芯片设计流程和法则，是世芯成功的关键。它不仅能优化功耗、性能和面积的设计，同时还能符合客户严格的流片计划要求。世芯完整的7/6/5纳米设计能力包括大规模芯片设计里必要的分区和签核、测试设计流程
2022-04-14 14:39:401697 5纳米芯片相比7纳米芯片的工艺技术要求更高、更好更低、性能更好。芯片工艺中5nm和7nm的两个数值，代表的是芯片晶体管导电沟道的长度。
2022-06-29 17:00:3930825 据悉，台积电在本次技术论坛上主要透露以下三点信息：一是半导体产业正发生三大改变;二是低端芯片短缺成为供应链瓶颈;三是3纳米量产在即，2纳米2025年量产。
2022-09-06 16:00:204177 的新一代S32区域处理器和通用汽车MCU首批样品 了解详情 全球领先汽车处理企业恩智浦半导体宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM（磁随机存储器）。在向软件定义汽车（SDV）的过渡中，汽车厂商需要在单个硬件平台上支持多代软件
2023-05-26 20:15:021289 今天要介绍的数字后端基本概念是FinFET Grid，它也是一种设计格点。介绍该格点前，我们首先来了解一下什么是FinFET技术。
2023-07-12 17:31:452208 
半导体芯科技编译 新的解决方案支持提高电源性能和效率、安全性和连接性的需求。 在其年度技术峰会上，格芯（Global Foundries）宣布了其两个技术平台的进展，将支持自动驾驶、互联和电动汽车
2023-09-06 17:38:59827 AutoPro™平台的一部分，该平台为格芯的汽车客户提供广泛的技术解决方案和制造服务，最大限度地减少认证工作并加快上市时间。该技术的结温为175℃，适合在极端温度下管理车辆的关键功能。 博世公司汽车电子执行副总裁Jens Fabrowsky表示：“通过在格芯AutoPro平台上利用这种40纳米
2023-12-25 14:49:04948 IBM 的概念纳米片晶体管在氮沸点下表现出近乎两倍的性能提升。这一成就预计将带来多项技术进步，并可能为纳米片晶体管取代 FinFET 铺平道路。更令人兴奋的是，它可能会导致更强大的芯片类别的开发。
2023-12-26 10:12:551206 ）的功率氮化镓（GaN）技术及其完整的知识产权组合。此次收购不仅标志着格芯在技术创新领域的又一里程碑，也预示着其在汽车、物联网及人工智能数据中心等前沿应用市场将实现更为显著的效率提升与性能飞跃。
2024-07-08 10:10:213349 来源：Silicon Semiconductor 此次技术收购扩展了 GF（格芯） 的电源管理解决方案和差异化路线图。 GlobalFoundries （格芯）收购了 Tagore
2024-07-08 12:33:011271 上，全面提供可定制化的模拟IP解决方案。这一合作不仅巩固了Agile Analog在模拟IP设计领域的领先地位，也进一步拓宽了格芯工艺技术的应用边界。
2024-07-27 14:41:321733 非晶纳米晶磁芯是一种具有特殊磁性特性的材料，广泛应用于电子和电力领域。这种材料的磁性能主要来源于其独特的微观结构，即非晶态和纳米晶态的结合。 1. 非晶纳米晶磁芯的基本概念 非晶纳米晶磁芯是一种由非
2024-10-09 09:10:282896 流转。这家全球第三大晶圆代工厂，正以每月 3 万片的产能推进 7 纳米工艺客户验证，标志着中国大陆在先进制程领域的实质性突破。 技术突围的底层逻辑 中芯国际的 7 纳米工艺采用自主研发的 FinFET 架构，通过引入高介电常数金属栅极（HKMG）和极紫外光刻（EUV）预研技术，将晶体管密
2025-08-04 15:22:2110998
电子发烧友App
工商网监
评论