格芯新开发出基于ARM架构的3D高密度测试芯片 成熟稳定性优于7纳米制程芯片

格芯指出，新开发出基于ARM架构的3D高密度测试芯片，是采用格芯的12纳米FinFET制程所制造，采用3D的ARM网状互连技术，允许资料更直接的传输到其他内核，极大化的降低延迟性。而这样的架构，这可以降低资料中心、边缘运算以及高端消费者应用程式的延迟，并且提升数据的传输速度。

格芯强调，新开发出基于ARM架构的3D高密度测试芯片，可以进一步在每平方公厘上达成多达100万个3D的连接，使其具有高度可扩展性，并有望延展12纳米制成的寿命。另外，3D封装解决方案（F2F）不仅为设计人员提供了异构逻辑和逻辑/存储器整合的途径，而且可以使用最佳生产节点制造，以达成更低的延迟、更高的频宽，更小芯片尺寸的目标。

格芯表示，因为当前的12纳米制程成熟稳定，因此目前在3D空间上开发芯片更加容易，而不必担心新一代7纳米制程所可能带来的问题。然而，台积电、三星和英特尔能够在比格芯小得多的节点上开发3D芯片，而且也已经相关的报告。而何时推出，就只是时间上的问题。届时，格芯是否能以较低廉的价格优势，进一步与其他晶圆生产厂商竞争，就有待后续的观察。