中芯先进工艺大进展：14nm量产在即、12nm取得突破

中芯国际2月14日发布截至2018年12月31日止的2018年Q4财报及2018年全年营收数据。因应全球半导体形势的严峻，中芯国际2018年Q4营收较上一季有所下滑，并且预期2019年Q1收入预计为2019年相对低点。

中芯联席CEO梁孟松于15日电话会议上表示持续加码先进工艺的决心，他表示，中芯国际第一代FinFET14nm技术进入客户验证阶段，产品可靠度与良率已进一步提升。同时，12nm的工艺开发也取得突破。

2018营收连续增长 2019Q1为低点

中芯国际2018年Q4财报显示，销售额达到7.876亿美元，毛利润1.34亿美元，同比下降9.7％；净利润2652万美元，同比减少44.4％，其中中国区增长12％。

2018年全年，中芯国际收入33.6亿美元，创历史新高，较2017年成长8.3%，其中中国区占比达到历史新高59.1％，比上年增长11.8个百分点；毛利率22.2％，下滑1.7个百分点，净利润1.34亿美元，减少25.6％。

由于受行业淡季影响，公司预估2019年第1季销售收入环比下滑16%至18%左右；预估毛利率介于20%至22%之间，环比增加3至5个百分点。

中芯国际联席CEO赵海军指出：“面对2019年大环境许多的不确定，我们努力寻求成长机遇；稳中带进，积极开发客户，拓展成熟和特色工艺的产品组合和应用范围，发掘市场价值机会，为成长储备力量。”

赵海军透露，中芯在2019年看好NOR / NAND存储、面板驱动IC、CMOS传感器、电源管理 IC等。他表示，NOR / NAND 存储产品线受惠新客户加入，预计营收将倍数成长，指纹辨识技术会朝 underglass 技术发展，而需要采用高压工艺技术的面板驱动 IC 产品线，今年也会受惠新客户加入，一起抢占市占率，8吋晶圆厂的需求持续热络到年底，整体客户组合会以国内、国际双向发展。

上一季度财报会议时梁孟松表示，2019年下半年，中芯将专注于开发Cowos以及FinFET，尤其FinFET已经上轨道并受到客户认证，将提供移动与无线客户，未来14nm将应用于AI、IoT和自驾车等领域，并导入新兴市场等区域。而在此次电话会议上，梁孟松也重申AI、IoT以及自动驾驶的重要性。

中芯先进工艺大进展：14nm量产在即、12nm取得突破

纵观全球晶圆代工厂，龙头企业台积电已量产7nm，5nm即将登场，三星亦已量产7nm，尽管中芯国际与台积电等先进工艺落后两代，但距离正在逐渐缩小——中芯国际联席CEO梁孟松表示，中芯第一代 FinFET 工艺 14 nm 技术已进入客户验证阶段，产品可靠度与良率已进一步提升。同时，12nm 的工艺开发也取得突破，下一代的 FinFET 工艺（N+1 FF）也会根据客户需求推出。

梁孟松指出，相较于14 nm工艺，12 nm在表现上功耗减少20 %、效能增加10 % 、面积减少20 %，两个工艺有部分客户重叠，预计在消费性、中端手机 AP、 wireless connectivity 、 AI 等应用都会有需求。

此外，据悉中芯国际正准备在2019年批量生产14nm智能手机SoC。整体来看，因应新功能加入包括BCD工艺的charger应用、CMOS、高压HV、AMOLED驱动IC等，2019年手机产业仍会有较多商机。

值得注意的是，梁孟松于15日电话会议上强调，中芯提供全系列IP以及封装测试服务等，从IC制造到后端封装、测试“一条龙”服务发展。

中芯国际于上海建造的高端工艺12吋晶圆厂房“中芯南方”也将进入量产。中芯南方是由大基金、上海集成电路基金、中芯国际三方投资成立合资厂，专门生产 14 nm 以下的高端工艺技术，预计在 2019 年第二季移入机台设备，年底将开始小量生产。

超前台积电南京厂 中芯志在必得

事实上，中芯开发14 nm 以下的高端工艺技术，还有一项重大意义，就是正式超前台积电在南京的16纳米工艺布局，但后续有待观察的是，中芯国际能否以良好的良率批量生产FinFET。“随着FinFET上的知识和工艺模块配方的增加，中芯国际的开发只是时间问题，”Gartner的分析师Samuel Wang认为。“上市时间至关重要。如果早一点他们就能成功。如果太迟了，那就有挑战性了。”

如果中芯国际能够批量生产14纳米FinFET场效应晶体管，并且，进一步向前推进“半世代”工艺12纳米，那么将使中芯与竞争对手并驾齐驱，甚至超前，居于国内晶圆代工的领先地位。尤其，台积电受限于登陆投资，工艺卡位在16纳米，那么12纳米对于中芯而言，就具备地利优势。

事实上，在政策资助下，中芯计划在一个新12吋厂中开发更先进的工艺。“中芯国际将获得100亿美元资助以建设14、10和7纳米的产能。到2021年第四季度，他们将每月生产7万片晶圆，”国际商业战略首席执行官Handel Jones透露。“并且已经买了一些非关键设备。”中芯国际还面临一些挑战。14纳米场FinFET效应晶体管开发已初步有成，但7纳米代表了一个重大进展。