先进FinFET工艺的多项流片巩固了世芯电子的业界领先地位

世芯电子完整体现了其在先进FinFET（先进鳍式场效电晶体）的技术组合并且成功完成在台积电7/6/5纳米的流片。除了先进 FinFET的技术组合，世芯的ASIC整体设计解决方案更是涵盖了全方位一流的IP种类和先进封装技术。世芯在7/6/5纳米的ASIC设计上能特别专注于具有数十亿逻辑门数的超大规模/尺寸IC设计。这些先进的IC主要用于人工智能、高性能计算、网络及存储应用等领域。

拥有一套经过自身验证的芯片设计流程和法则，是世芯成功的关键。它不仅能优化功耗、性能和面积的设计，同时还能符合客户严格的流片计划要求。世芯完整的7/6/5纳米设计能力包括大规模芯片设计里必要的分区和签核、测试设计流程，以及一套涵盖了全面系统协同设计签核的中介层/基板设计的完整2.5D封装设计流程。

世芯的创新封装服务也涵盖信号/电源仿真及热仿真（SI/PI），能提供即插即用的流片后解决方案，以减少基板层和由此产生的材料成本。这样产生的7/6/5纳米IC具有更精确的功率和热估算流程，能避免流片后的失败，在高功率设计中尤其关键。

世芯完整的5纳米“设计到交付”方法侧重于最大限度地缩短设计周期。其中的实体设计像是芯粒（Chiplet）技术平台、高性能计算IP组合含世芯的D2D APLink IP、IP子系统集成服务，以及最新的2.5D异构封装技术等。

“世芯的优势一直是先进工艺芯片设计。在7纳米系统芯片项目的设计流片量产上，我们与客户再次合作并取得了100%的流片成功率。”世芯总裁兼首席执行官沈翔霖表示，“我们的设计和验证法则乃经过严格认证，亦源于我们企业文化一贯秉持的核心服务理念”。

审核编辑 ：李倩