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电子发烧友网>制造/封装>Dolphin Design宣布首款支持12纳米FinFet技术的硅片成功流片

Dolphin Design宣布首款支持12纳米FinFet技术的硅片成功流片

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全球半导体产业警钟大响,之前极度吃紧的原物料“硅片”(Wafer)恐从“掌上明珠”变成人人砍杀的“阶下囚”。近期环球晶圆宣布斥资 4.28 亿美元扩产 12 寸产线,且传出另 3 家硅片
2018-10-12 14:09:245419

新思科技Design Platform支持TSMC多裸晶芯片3D

关键词:CoWoS , WoW , 先进封装 新思科技(Synopsys)宣布,新思科技Design Platform全面支持TSMC WoW直接堆叠和 CoWoS先进封装技术Design
2018-10-27 22:14:01346

格芯回应为何搁置7纳米FinFET项目

三个月前,晶圆代工大厂格芯突然宣布搁置7纳米FinFET项目,业内哗然。在台积电、三星等竞争对手正在努力抢占7nm制程市场之时,格芯为何作出此举?放弃7nm制程后,格芯未来的路又将走向何方?这是业界关心的问题。
2018-12-03 14:30:562838

中芯国际发布2018年第4季财报并表示12纳米技术开发也开始有所突破

外,在技术研发方面,中芯国际表示,第一代 FinFET 14 纳米技术进入客户验证阶段,产品可靠度与良率已进一步提升。同时,12 纳米技术开发也开始有所突破。
2019-02-18 17:03:103076

三星宣布已完成5纳米FinFET工艺技术开发

4月16日,三星官网发布新闻稿,宣布已经完成5纳米FinFET工艺技术开发,现已准备好向客户提供样品。
2019-04-16 17:27:233008

新思宣布用于台积电7纳米制程技术的IP已获得超过250个设计的选用

新思宣布,其用于台积电7纳米制程技术的DesignWare逻辑库、嵌入式存储器、界面和类比IP已获得超过250个设计的选用(design wins),目前已经有近30家半导体厂商选择了新思7纳米
2019-05-14 16:25:272862

台积电宣布7纳米强效版制程已大量进入市场 2020年第一季将试产6纳米制程技术

台积电宣布,其领先业界导入极紫外光(EUV)微影技术的7纳米强效版(N7+)制程已协助客户产品大量进入市场。导入EUV微影技术的N7+奠基于台积电成功的7纳米制程之上,也为明年首季试产6纳米和更先进制程奠定良好基础。
2019-10-08 16:11:372955

格芯宣布与SiFive展开合作 将合作研发12LP+FinFET解决方案

12LP+FinFET解决方案,以扩展高性能DRAM。12LP+FinFET解决方案将提供2.5D封装设计服务,可加速人工智能(AI)应用上市时间。
2019-11-06 15:59:552940

联发科MediaTek S900量产,支持8K高分辨率的智能电视芯片

MediaTek与台积公司近日宣布,采用台积公司12纳米技术生产的业界首颗8K数字电视系统单芯片MediaTek S900已经进入量产。基于双方紧密的合作关系,采用台积公司低功耗12纳米FinFET
2019-11-12 11:27:447048

联华电子宣布22纳米制程技术就绪 拥有更好的功率效能比以及强化射频性能

联华电子2日表示,在使用USB 2.0测试载具并成功通过硅验证之后,正式宣布更先进的22纳米制程技术就绪。
2019-12-03 15:40:342106

中芯国际从台积电手中夺得海思14纳米FinFET工艺芯片代工订单

关注半导体产业的台湾《电子时报》(DigiTimes)1 月 13 日报道称,中国大陆芯片代工厂商中芯国际击败台积电,夺得华为旗下芯片企业海思半导体公司的 14 纳米 FinFET 工艺芯片代工订单。
2020-01-16 09:00:015094

台积电将继续采用FinFET晶体管技术,有信心保持良好水平

台积电3纳米将继续采取目前的FinFET晶体管技术,这意味着台积电确认了3纳米工艺并非FinFET技术的瓶颈,甚至还非常有自信能够在相同的FinFET技术下,在3纳米制程里取得水准以上的良率。这也代表着台积电的微缩技术远超过其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:232929

微博宣布正式支持HDR视频技术,安卓手机无缘

近日,微博官方宣布,正式支持HDR(高动态范围)视频技术,用户使用苹果iPhone 12系列手机即可进行HDR视频的拍摄和上传。
2020-11-06 12:23:002619

Aledia成功在硅晶圆上开发Micro LED芯片

近日,法国3D GaN LED技术开发商Aledia宣布成功12英寸(300mm)硅晶圆上生长出业界首款纳米线(nanowire)Micro LED芯片。
2020-12-17 17:16:51673

近期宣布新建12英寸晶圆厂和大硅片项目的厂商有哪些?

建设EUV生产线。相关建厂厂务工程及设备装机需求将自2021下半年延续至2023年,这必将掀起一波设备、材料等的采购热潮,促进产业链上相关企业的业绩提升。 下面就来看一下近期宣布新建12英寸晶圆厂,以及12英寸大硅片项目的厂商。 台积电300亿美元砸向
2021-04-26 10:39:086488

三星正式宣布3nm成功流片,性能将完胜台积电

据外媒最新报道,三星宣布,3nm制程技术已经正式流片! 据悉,三星的3nm制程采用的是GAA架构,性能上完胜台积电的3nm FinFET架构! 据报导,三星在3nm制程的流片进度是与新思科技合作完成
2021-07-01 15:27:444315

智原宣布支持三星14纳米LPP工艺的IP硅智财并已上架

ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)今日宣布支持三星14纳米LPP工艺的IP硅智财已在三星SAFE IP平台上架,提供三星晶圆厂客户采用。
2022-10-14 17:39:021000

智原科技推出支援多家晶圆厂FinFET工艺的芯片后端设计服务

ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE: 3035)今日推出支援多家晶圆厂FinFET工艺的芯片后端设计服务(design implementation service),由客户指定制程(8纳米、7纳米、5纳米及更先进工艺)及生产的晶圆厂。
2022-10-25 11:52:17724

三星首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

-三星电子新款DRAM将于2023年开始量产,以优异的性能和更高的能效,推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展 官方发布    2022年12月21日,三星电子宣布,已成功开发出其首款采用12纳米
2022-12-21 11:08:29521

三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

-  三星电子新款DRAM将于2023年开始量产,以优异的性能和更高的能效,推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展 中国深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星电子宣布,已成功开发
2022-12-21 21:19:54756

行业首创!恩智浦携手台积电,推出汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM

的新一代S32区域处理器和通用汽车MCU首批样品       了解详情     全球领先汽车处理企业恩智浦半导体宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM(磁随机存储器)。在向软件定义汽车(SDV)的过渡中,汽车厂商需要在单个硬件平台上支持多代软件
2023-05-26 20:15:02396

Dolphin Design推出用于声音分类的创新IP,可减少99%的功耗

2023年6月28日,格勒诺布尔。Dolphin Design是提供电源管理、音频和处理器以及ASIC设计服务的半导体IP解决方案的领导者,今天宣布推出WhisperExtractor,这是一个改变
2023-07-06 10:28:19244

Cadence 数字、定制/模拟设计流程通过认证,Design IP 现已支持 Intel 16 FinFET 制程

流程现已通过 Intel 16 FinFET 工艺技术认证,其 Design IP 现可支持 Intel Foundry Services(IFS)的此工艺节点。 与此同时,Cadence 和 Intel 共同发布
2023-07-14 12:50:02381

Dolphin Design公司支持Orca公司直连卫星通信射频SoC设计

2023年8月3日,格勒诺布尔。提供电源管理、音频和处理器等半导体IP解决方案及ASIC设计服务的领先企业Dolphin Design今天宣布,已与无晶圆厂半导体公司Orca Systems合作开发
2023-08-04 12:06:37442

Dolphin Design发布首款12纳米FinFET音频测试芯片

且值此具有历史意义的时刻,位于法国格勒诺布尔的行业领军企业Dolphin Design,已于近期成功流片首款内置先进音频IP的12 nm FinFET测试芯片,这无疑是公司发展路上一座新的里程碑。
2024-02-22 15:53:11173

2纳米芯片的背面供电技术分析

在英特尔简化的工艺流程中(见图 5),该工艺首先制造出鳍式场效应晶体管(finFET)或全栅极晶体管,然后蚀刻纳米硅片并填充钨或其他低电阻金属。
2024-02-28 11:45:25223

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