《华林科纳-半导体工艺》化学品对硅片上金属污染的影响

摘要

对实自不同供应商的化学5进行了清法后残自在理最片上的全属污染水平的测试。在江省过在中，评估了来自三个供应商的盐整机复氧化镇以及来自四个供应母的讨氧化复，在RCA标准济夜市清选晶片，然后测量新控计歌和合业污染。全反时义射线灵光分析用于金属污华测量，热的基量化被-过汇氧化气混合物(APM)是一种有效的预粒去除剂，会命级铁们积在硅上。而积饮的数果很大科店上取决于的会物中情用的过氧化物的成品，可以的过便用要知的消洁时间来减少。在品片上的全厦浓意和溶菠中的金同农定达到平衡之前，昆片上铁的沉积这率可能在短时间内受到扩散限制，APM之后的铁浓主刘化学温合气的自龄不是很着山，然而，在老化化学混台物中出了大多的种，在热监路过氧化氛混合物HPM1.2后，还发现了在APM之后或案到的相同类型但较弱的铁浓本对化学品供应高的依地性，以浓度文任料多.

湿化学

在比国减洗中，最充用的是退化学法，所谓的RCA滑法，业丁过氧化的减性B性最台物,广泛应用于硅工业(6)。氯氧化精、过氧化量比水的默性混音物(也称为“RCA标准洛液1”或“SC-1”或“AM”)可大除有机志向我国物和容种会属，对人除无机题到非常右效。融性泌合物、盐酸和过氧化a的水场自液(D称为4RCA标准客液2或“5C-2”或“HPM”)旨在去隐或离子如妇离子，如A+1.「e-1Mq-1，在碱性深须中形成不滨性玉氯化物，

为了从晶园表面去院重应有机污染物，如光刻胶残器物，通常在清洁过程的开始阶段使用热疏酸和过氧化工(比称为“SPM”1进行款的品洁步级。始RA品洁的丹个发尺是格释的HF滑演(他称为“DHF”)，它最常发生在APM和HPM步S之间，以增强去除因在APM容液中形成的气化阳中的金属。

实接性

在本研究中，我们研究了不同清洗(SPM、APM.DHF和HPM对账否在硅片表面上的过涯金属浓度(元素周期表中从Ca到Zn)的影响。此外，我们还评估了不同供应向提供的化学品。使用Atomika XSA-8000全反射X射投荧光分析(TXRFA|设解测品命属浓心。测日了品片中心>的0.5cm2区域。在中心，点污染的可能性很小，如果涉从化学纯度，则给出可业的结果，并且消除了可能由石英制成的样品支架引起的交叉污染。报告的结果包括2到4个不同类型品片的平均值，每个昆片的期!分时间为600或2400秒、圆中核注的现量识差是金国廉测是平均值的lt值。标准悄差是通过理论和客次量见相同的测是文估计的。

结论

只有氢氧化袖-过氧化氤混合物才能论出本研究中评估的化学,客成的低群松结果。然而，APM高没不人沿合作人量几的满法步看，因为人量船铁、评和明很客思沉和在品儿上，抑制APM混台物巾金属污染的可能方法是使用重清法的化学品，使用更短的最后一步清洁时问和化学品中合适的略合剂。并使用比不研究中使用的重合适的阅意和化品设合比部合，结果表明，APM容版中的饮浓应气APM请洁后残当在晶片上的铁量之间存在平衡。