Transphorm发布新的氮化镓场效应管可靠性指标

Transphorm发布新的氮化镓场效应管可靠性指标

日前，高可靠性、高性能氮化镓（GaN）电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm， Inc. （Nasdaq： TGAN）发布了氮化镓功率场效应管（FET）的最新可靠性指标。可靠性采用失效率（FIT）来衡量，这种分析方式考虑了在应用现场使用时客户报告的故障器件数量。到目前为止，基于超过850亿小时的现场操作进行测量，该公司全部产品组合的可靠性已达到平均值小于0.1 FIT的水平。这一指标在业界名类前茅，也是目前GaN电源解决方案中唯一报告的宽功率谱可靠性指标。

Transphorm在构建其GaN平台之初便考虑了可靠性，在宽带隙技术刚进入市场时便深知其重要性：尽管GaN拥有比硅基晶体管更高的性能，但若非器件在实际使用中出现故障，客户不会在当时选择切换到新技术。2019年，Transphorm成为首家公布完整验证数据集以支持其可靠性声明的GaN制造商。自此之后，该公司定期分享其GaN可靠性成果，帮助潜在客户在选择半导体供货商时做出明智的决策。Transphorm上一次报告其FIT率是在2022年第一季度，数值小于0.3。

今年，Transphorm在改变客户评估GaN FET选项方面又向前迈出了一步。公司经过考虑，将其可靠性数据分为两类：

低功率：用于功率级别≤ 500W的应用中的GaN器件

高功率：用于功率级别》 500W的应用中的GaN器件

如果按功率级别类型来考察器件性能，Transphorm旗下GaN FET的可靠性指标如下，这些指标与硅基功率器件极为相近：

低功率：0.06 FIT

高功率：0.19 FIT

Transphorm业务发展与营销高级副总裁Philip Zuk表示：“我们的高压GaN器件适合极为广泛的应用，涵盖极为广泛的功率谱，目前为45瓦到4千瓦，随着GaN在新市场的应用，有可能达到10千瓦以上。这表明我们的技术具有显著的通用性。然而，我们也意识到，仅仅报告涵盖所有应用类型的单一可靠性指标，可能对客户不会有太大帮助。我们认为有必要帮助他们获得细分度更高的数据，以适用于客户的具体设计要求。因此，我们在低功率和高功率之间做了细分。”

跨行业领导厂商

Transphorm凭借其器件质量和可靠性继续保持高压GaN的领导地位。该公司向各种终端市场发货，如适配器、PC计算、区块链、数据中心、可再生能源和电力存储等。

关于Transphorm

Transphorm， Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1，000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。