美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品，均为常开型功率元件。耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”，导通电阻为55mΩ，漏电流在室温时（25℃）为30A，在
2012-05-21 10:31:01
2900 的电流隔离是一个常见的要求，功率电平通常低于 100 W。由于直流链路电压的变化，它还应该能够在宽输入电压范围内工作，通常从 300 V 到 1000 V。单开关反激式拓扑结构简单，元件数量最少，成本低，是此类低功率 DC-DC 电源转换的广泛使用的拓扑结构之一。
2022-08-03 09:11:512292 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）GaN器件已经在消费电子领域站稳脚跟，而在消费电子之外，电源产品还有很多较大的应用市场，包括光伏逆变器、服务器电源、汽车领域等。而新能源汽车作为目前规模增长最快的市场之一，SiC已经成功导入电动汽车产品，并实现大批量落地。
2024-02-04 00:01:007243 
（PSJ: Polarization Super Junction）技术，并对工艺进行进一步优化，使器件的额定工作电压和工作电流得到更大的提升（1700V/30A）。
2025-01-14 09:42:281902 
的关注。这是由于在开关过程中，得益于SiC MOS的高电子饱和漂移速度，载流子能迅速在导通与截止状态间切换，从而显著减少开关时间。与此同时，SiC MOS这一单极型器件在续流过程中没有p型衬底的电荷存储，使得反向恢复损耗低于Si IGBT这一双极性器件，SiC MOS的反向恢复电荷仅为同规
2025-12-02 09:36:222300 
在高耐压范围中，SiC MOSFET与Si-MOSFET相比，具有“开关损耗与导通损耗小”、“可支持大功率”、“耐温度变化”等优势。基于这些优势，当SiC-MOSFET用于AC/DC转换器和DC
2019-04-24 12:46:442725 基于SBD的700V、1200V和1700V电源模块可最大程度地提升开关效率、减少温升和缩小系统尺寸。
2020-03-19 07:40:001214 1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模块器件等碳化硅产品阵容扩大了设计人员对效率和功率密度的选择范围
2021-07-28 14:47:031990 
PI看到了电动车的这个发展趋势，因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ产品，该产品采用碳化硅（SiC）初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC，将耐压值提高到了1700V。
2022-02-18 09:33:226765 潮，令800V平台、SiC电驱开始打进20万内的市场，SiC也进一步能够加速在市场上普及。 最近两家国内厂商又有多款SiC MOSFET产品通过了车规级认证，这将继续推动SiC功率器件量产上车。 瞻芯电子 瞻芯电子3月8日宣布，由公司开发的三款第二代650V SiC MOSFET产
2024-03-13 01:17:004670 
™-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN™技术制造而成，是业界首款1700V氮化镓开关IC。1700V额定耐压进一步提升了氮化镓功率器件的先进水平
2024-11-05 10:56:55863 
镓开关IC，这是业内首款高达1700V的氮化镓开关IC。新品一出，PI再次成为在氮化镓领域首家突破额定耐压水平的电源管理芯片企业。 PI的功率变换开关持续迭代 早在2022年，PI就推出了1700V 碳化硅初级开关的汽车级高压开关电源IC，彼时，该产品以高输入电压，高输出
2024-11-18 08:57:006137 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）比亚迪在最近的超级e平台技术发布会上，推出了一系列的“王炸”技术，包括全域1000V高压架构、10C兆瓦闪充平台、3万转580kW电机等。这些技术在1000V电压
2025-03-31 01:23:412260 功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今天宣布推出五款面向800V汽车应用的全新参考设计，这些参考设计基于该公司的1700V InnoSwitch
2025-05-08 14:30:334725 
电子发烧友网综合报道 最近，湖南三安半导体举行了碳化硅芯片上车仪式，标志着国产车规级碳化硅主驱芯片实现从技术攻关到规模化装车的里程碑突破。此次三安 1200V 13mΩ SiC MOSFET 芯片
2025-12-09 09:25:464889 CRD-060DD12P，用于单端反激式转换器设计的演示板，采用市售的1700V碳化硅（SiC）MOSFET，取代传统的双开关反激式转换器，用于三相应用的高压输入辅助电源。演示板不是专为产品而设计的，仅用作评估Cree开关设备性能的工具
2019-04-30 07:42:31
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。 因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。 如果
2023-02-07 16:40:49
的导通电阻。不仅能够以小封装实现低导通电阻，而且能够使门极电荷量Qg、结电容也变小。SJ-MOSFET只有900V的产品，但是SiC却能够以很低的导通电阻轻松实现1700V以上的耐压。因此，没有必要再
2019-04-09 04:58:00
，1200V产品可支持50A的裸芯片。而且在进行1700V高耐压产品的开发。下表为机型名中符号的意义及当前供应中的产品阵容一览。此外，机型名的最后带有HR的表示为支持车载产品，符合AEC-Q101标准
2018-12-04 10:09:17
10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已经实现量产，1700V产品正在开发中。SiC-SBD和Si-PN结二极管通过Si二极管来应对
2018-11-29 14:35:50
的导通电阻。不仅能够以小封装实现低导通电阻，而且能够使门极电荷量Qg、结电容也变小。SJ-MOSFET只有900V的产品，但是SiC却能够以很低的导通电阻轻松实现1700V以上的耐压。因此，没有必要再
2019-05-07 06:21:55
半导体有限公司的第一大股东，是行业龙头天科合达。11月中旬，天科合达举办了“8英寸导电型SiC衬底”新产品发布会，预计项目明年量产。这一量产时间，紧跟全球步伐。SiC大规模上车，三原因成加速上车“推手
2022-12-27 15:05:47
本帖最后由 ewaysqian 于 2025-2-12 10:22 编辑
国产碳化硅MOS基于车载OBC与充电桩新技术：
1 车载电源OBC与最新发展
2 双向OBC关键技术
3 11kW全
2022-06-20 16:31:07
MOS GATE DRIVER 62MM 1700V SIC
2023-03-27 12:29:45
电压（600V、1200V、1700V）均对应于常用电网的电压等级。考虑到过载，电网波动，开关过程引起的电压尖峰等因素，通常电力电子设备选择IGBT器件耐压都是直流母线电压的一倍。如果结构、布线、吸收
2022-05-10 10:06:52
`收到了罗姆的sic-mosfet评估板，感谢罗姆，感谢电子发烧友。先上几张开箱图，sic-mos有两种封装形式的，SCT3040KR，主要参数如下：SCT3040KL，主要参数如下：后续准备搭建一个DC-DC BUCK电路，然后给散热器增加散热片。`
2020-05-20 09:04:05
1700V耐压的产品。Si-PND通过在n-层积蓄少数载流子空穴而使电阻值下降，因此可同时实现远远超过Si-SBD的高耐压与低电阻，但关断速度较慢。尽管FRD是Si-PND中提高了速度的产品，但其trr
2018-11-29 14:33:47
业内先进的 AC/DC转换器IC ，采用 一体化封装 ，已将1700V耐压的SiC MOSFET*和针对其驱动而优化的控制电路内置于 小型表贴封装 （TO263-7L）中。主要适用于需要处理大功率
2022-07-27 11:00:52
SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。关于这一点，根据这之前介绍过的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特点与性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
本文介绍了一个新的1700V 25A至300A快速恢复二极管（FRD）系列。实验结果与数值模拟结果一致，表明采用SIPOS、SIN和聚酰亚胺钝化法的横向掺杂变化（VLD）可以实现稳定的1700V
2023-02-27 09:32:57
ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”，是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。不仅具备
2018-12-04 10:11:25
ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”，是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。不仅具备
2018-12-05 10:01:25
MOS的结构碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式，在1700℃温度中进行退火激活。一个关键的工艺是碳化硅MOS栅氧化物的形成。由于碳化硅材料中同时有Si和C
2019-09-17 09:05:05
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的单端反激式转换器设计演示板。该设计采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面贴装封装，占板面
2019-04-29 09:25:59
。Si-SBD的耐压极限为200V，而SiC具有硅10倍的击穿场强，故ROHM已经开始量产1200V的产品，同时在推进1700V耐压的产品。Si-PND通过在n-层积蓄少数载流子空穴而使电阻值下降，因此可同时实现
2019-07-10 04:20:13
1700V SiC MOSFET+AC/DC转换器 评估板BD7682FJ-EVK-401为三相AC400～690V输入 24V/1A输出，搭载了ROHM适用于大功率工业设备的1700V高耐压SiC
2020-02-20 11:50:40
驱动1700V IGBT的几种高性能IC 选型设计:通过对几种常用的1700V IGBT 驱动专用集成电路进行详细的分析，对M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列进行深入的讨论，给出了电气特性参数和内部
2009-06-19 20:29:52
40 1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 凭借我们的首款工业级第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 继续在碳化硅 (SiC) 领域
2023-07-28 14:21:34
通过对几种常用的1700V IGBT驱动专用集成电路进行详细的分析，对M579系列和CONCEPT公司的2SD系列进行深入的讨论，给出了电气特性参数和内部功能框图，设计了典型应用电路，讨
2010-08-11 16:12:5876 英雄的低调作风，默默付出，从不张扬。它能够承受高达 1700V 的电压，就像英雄拥有超人的力量，无惧挑战，勇往直前。它拥有软恢复平行二极管，就像英雄注重团队协作，
2024-11-11 15:51:16
华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）宣布已开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型绝缘栅双极晶体管）以及600V Trench PT IGBT（沟槽穿通型绝缘
2012-05-29 08:47:482638 G2S17010A 1700V 10A 碳化硅肖特基功率二极管
正温度系数，易于并联使用•
不受温度影响的开关特性•
最高工作温度175℃
•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-23 17:56:191 今年即将发布的iphone8多次被曝光会采用AR技术，并且竖排分布的摄像头就是为了这一技术而准备，不过，这一次可能要被截胡了，国产手机率先用上。
2017-05-22 09:41:401683 国产芯片替代这一国家发展战略正在显示出成效。随着国内资金大规模投入、技术引进后自主研发形成突破，国产芯片有望在未来几年内迅速崛起，这给相关领域的上市公司带来发展前景。
2017-12-20 10:46:545496 近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:002379 海市政府新闻办发放了全国首批智能网联汽车开放道路测试牌照，蔚来、上汽率先上路。下一步，将分级逐步开放更多的道路环境用于智能网联汽车测试。
2018-03-03 07:22:401378 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的产品更加丰富。
2018-09-26 11:32:174502 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品
2018-10-23 11:34:376278 支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。
2018-11-03 11:02:415483 ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现行业领先*可靠性的、额定值保证1700V/250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:523238 最近手机厂商纷纷涌入电视市场，前有荣耀、华为，后续红米、一加也被曝出将会推出电视产品，且消息也已经坐实。据悉，此款电视将在海外市场率先上市，并搭载更高端的显示技术，国内很多网友对这款产品的评价是：“国外镀金之后再回国做高端”。
2019-08-29 10:00:001811 对BSM250D17P2E004和同等IGBT模块实施了HV-H3TRB高温高湿反偏试验，试验条件为在85℃/85%的高温高湿环境下，施加1360V。试验结果是IGBT模块比较早期出现绝缘劣化或绝缘击穿导致的漏电流增加现象，在1,000小时内发生了故障。
2019-08-22 09:05:594643 参考板"REF_62W_FLY_1700V_SiC"是为支持客户采用SIC MOSFET设计辅助电源而开发的。该参考板旨在支持客户为三相系统设计辅助电源，工作电压范围在200VDC至1000VDC
2021-09-07 14:11:033834 
在开关频率、散热、耐压、功率密度方面优势更为凸显。 下文主要对国产SiC MOSFET进行介绍并与国外相近参数的主流产品相对比。 国产1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年开始专注于第三代半导体SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:375747 自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。
2021-12-08 15:55:512174 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定漏极
2022-02-01 20:22:025818 （SiC）初级开关 MOSFET。这些新设备可产生高达 70 瓦的输出功率，用于 600 和 800 伏电池和燃料电池电动乘用车，以及电动巴士、卡车和一系列工业电源应用。InnoSwitch3-AQ
2022-07-29 08:07:272204 
相比于硅基高压器件，碳化硅开关器件拥有更小的导通电阻和开关损耗。电力电子系统需要辅助电源部分用来驱动功率器件，为控制系统及散热系统等提供电源。额定电压1700V的SiC MOSFET为高压辅助电源提供了设计更简单，成本更低的解决方案。
2022-08-01 14:18:584654 BM2SC12xFP2-LBZ是业内先进*的AC/DC转换器IC，采用一体化封装，已将1700V耐压的SiC MOSFET和针对其驱动而优化的控制电路内置于小型表贴封装（TO263-7L）中。主要
2022-08-14 10:00:242094 
Infineon，最新1700V的SiC MOSFET产品。62W辅助电源参考设计
2022-08-28 11:17:069 使用SIC MOS的开发人员是越来越多，但驱动电压到底选15V还是18V，每个人都有自己的理解，今晚听许老师讲SIC MOS驱动技术，有些感悟分享给大家。
2022-11-07 10:57:584406 安森美宣布将其碳化硅(SiC)系列命名为“EliteSiC”。在本周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，安森美将展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:191213 重点必看内置1700V耐压SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－规格篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC转换器的设计更容易支持自动安装的小型解决方案&...
2023-02-08 13:43:191305 
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调及街灯等工业设备开发的内置1700V耐压SiC MOSFET的AC/DC转换器IC。
2023-02-09 10:19:231760 
ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现行业领先*可靠性的、额定值保证1700V/250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。
2023-02-09 10:19:241336 
ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”，是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。
2023-02-13 09:30:051223 
1700V以下大功率IGBT智能驱动模块使用手册 （采用100%国产化元器件设计） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驱动模块是特别为100%国产化需求企业推出的一款可靠、安全的高性能驱动模块
2023-02-16 15:01:5514 自己的模板 研究 报告《 2023国产sic上车关键年》，如需领取报告，请关注公众号，后台回复 SiC 即可领取！ 声明 ： 本文由电子发烧友原创 ，转载请注明以上来源。如需入群交流 ，请添加微
2023-03-11 13:15:02796 ModelName：ASC5N1700MT3Package：TO-247-3LVoltage：1700VRon：1000mohmTemperatureRange：-40～150°CStatus
2022-03-04 10:51:051603 
新品EasyPACK2B75A1700VIGBT三相桥模块和2200VEasyBRIDGE整流模块1700V电机驱动功率半导体解决方案，包括EasyPACK2B75A1700VIGBT三相桥模块
2023-01-29 17:41:443272 
芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET主要应用新能源汽车电池电压检测和绝缘监测。该应用场景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦继电器整体性能，使之响应速度更快、体积缩小、寿命延长等，对提升车辆电源系统整体效能、可靠性及安全性有着重要意义。
2023-08-16 11:49:311230 
电源中，由于母线电压和功率不同，一般会选用单管反激或双管反激拓扑，无论那种拓扑都离不开核心的功率器件，即1500V~1700V 功率MOS。
2023-10-16 11:38:052882 
2023年10月，凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异，开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。
2023-10-20 09:43:261670 
2023年国产SiC上车
2023-10-31 23:02:000 11月27日，瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω，
2023-11-30 09:39:183074 
基于SiC功率器件的整机应用系统解决方案，各项性能指标达到国际水平，提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务。
2024-01-04 17:30:531278 
近日，广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关，通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片，基于广州第三代半导体创新中心中试平台，成功在6英寸蓝宝石衬底上实现了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:242253 
该文献进一步透露，实现这一器件所采用的氮化镓外延材料结构包括：1.5μm薄层缓冲层和AlGaN/GaN异质结结构。
2024-01-25 11:30:101046 
本文提及的相关产品，均会在直播中出现扫描上方二维码即可报名摘要：EconoDUAL3是一款经典的IGBT模块封装，其上一代的1700V系列产品已经广泛应用于级联型中高压变频器、静止无功发生器（SVG
2024-03-26 08:13:042257 合。随着芯片技术的发展和市场对高功率密度IGBT模块的需求增加，英飞凌已经基于最新的1700V IGBT7技术开发了新一代的EconoDUAL™3模块，并率先推出了900A和750A两款新产品。本文首先分析
2024-05-31 15:22:381195 
近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS
2024-06-14 11:36:491351 
的功率密度和更长的使用寿命。目前的EconoDUAL3Wave产品组合新增了1700V电压等级的900A模块。产品型号：FF900R17ME7W_B11900A170
2024-08-13 08:14:431056 近年来，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成为当前使用IGBT的电力转换器设计师的真正替代方案。到目前为止，大多数SiCMOSFET的设计成功主要发生在低功率到20kW范围内
2024-08-19 11:31:252088 
。本文通过对比Si，4H-SiC和GaN的材料特性，系统的阐述SiC MOS卓越性能的材料本源。 参见图一对于平面MOS来说其导通电阻主要由三部分组成，即沟道电阻（Rch）, 器件外延层电阻 （Repi）和衬底电阻Rsub。其中器件外延层电阻和器件耐压有着强相关的关系。表一列出30V，100V和
2024-09-23 15:14:001546 
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出InnoMux-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN技术制造而成，是业界首款1700V氮化镓开关IC。
2024-11-05 13:40:571067 SiC内卷和洗牌加速，目前国产SiC器件性能与国际大厂相比是否还有差距？车载SiC国产化何时才能实现？SiC产业未来的方向又在哪里？ 2024年10月22日，由EEVIA主办的第12届中国硬科技产业
2024-11-14 14:23:131303 
PI近日宣布推出1700V氮化镓(GaN)开关IC，这一技术突破有哪些亮点?它将如何影响高压氮化镓市场? 近日，Power Integrations(以下简称PI)宣布推出InnoMux™-2系列单
2024-11-15 11:09:551395 
未来已来！南京在全国率先上岗“智慧路灯机器人”
2025-02-08 15:32:25715 
1700V GaN器件在高性能方面的卓越表现，还为其在高端应用市场的进一步拓展奠定了坚实基础。通过泰克科技先进的测试设备和专业团队的支持，双方对器件的电气性能、可靠性以及热管理等方面进行了全面评估，确保了器件在实际应用中的稳定性和可靠
2025-01-20 11:07:33962 近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半导体制造商SemiQ正式发布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，专为中压大功率转换应用设计。
2025-01-22 11:03:221225 
近日，全球碳化硅（SiC）功率半导体领域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款专为中压大功率转换应用而设计的1700V SiC MOSFET系列新品。此次发布的QSiC™ 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:581002 针对12V输入电路的产品电路设计，需要有更高的电压安全系数。这一款2025年新推出到市场的国产MOS管以BVDSS_typ=55V的参数性能帮助解决上述问题。
2025-03-01 11:30:382794 
由于在可靠性、成本和系统级价值方面的显著提升，具有1700V阻断电压的碳化硅(SiC)在工业电力转换中变得越来越普遍。通过将最新一代SiC芯片的阻断电压扩展至2000V，新的可能性随之而来。以前需要
2025-03-14 11:01:15793 
随着新能源、工业电源及电动汽车等领域的快速发展，辅助电源对高效率、高功率密度及高温稳定性的需求日益迫切。传统的硅基器件已逐渐难以满足严苛的性能要求，而碳化硅(SiC)MOSFET凭借其优异的开关速度
2025-06-09 17:21:23507 
两款国产1700V SiC MOSFET在逆变器/变流器辅助电源设计中广受欢迎
2025-07-23 18:10:061031 
倾佳电力电子设备高压辅助电源拓扑、器件选型与1700V SiC MOSFET技术分析报告 I. 绪论：高压电力电子系统对辅助电源的严苛要求 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体
2025-10-14 15:06:06457 
倾佳电子面向电力电子功率变换系统的高可靠性1700V碳化硅MOSFET反激式辅助电源设计 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源
2025-11-03 11:26:47447 
倾佳电子研究报告：B2M600170R与B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在电力电子辅助电源中的应用与替代分析 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源
2025-11-21 21:29:06867 
电子发烧友原创 章鹰 2024年，国产SiC模块上车加速。据电子发烧友不完全统计，2023年公开的国产SiC车型合计142款，乘用车76款，仅仅在2023年新增加的SiC车型合计45款。业内专家
2024-11-01 00:16:008061 
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