美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品，均为常开型功率元件。耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”，导通电阻为55mΩ，漏电流在室温时（25℃）为30A，在
2012-05-21 10:31:01
2900 在这篇文章里，我们首先会列出宇航和国防户最关键的需求，然后详细阐述Teledyne e2v的微处理器是如何完美地满足这些高可性的需求，接着深入介绍这些高可靠性微处理器的质量认证。
2020-01-06 18:58:242477 电源模块发热问题会严重危害模块的可靠性，使产品的失效率将呈指数规律增加，电源模块发热严重怎么办？本文从模块的热设计角度出发，为你介绍各类低温升、高可靠性的电源设计及应用解决方案。
2018-08-03 09:19:568235 
1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模块器件等碳化硅产品阵容扩大了设计人员对效率和功率密度的选择范围
2021-07-28 14:47:031990 
mm○BSM300D12P2E001300BSM400D12P3G002-4~2240010G Type62×152×17mmBSM600D12P3G001600※产品阵容中还包括斩波型产品。关于新产品的详细信息，请联系ROHM销售部门或点击这里。ROHM还提供可轻松评估全SiC功率模块栅极驱动器评估板。
2018-12-04 10:20:43
3G核心网网元是什么？为什么要提高3G核心网高的可靠性设计？3G核心网高可靠性设计方法有哪些？
2021-05-25 07:04:23
SiC MOS器件的栅极氧化物可靠性的挑战是，在某些工业应用给定的工作条件下，保证最大故障率低于1 FIT，这与今天的IGBT故障率相当。除了性能之外，可靠性和坚固性是SiC MOSFET讨论最多
2022-07-12 16:18:49
家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外，几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外，包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异，如果有不明之处或希望
2018-11-30 11:30:41
进行半导体元器件的评估时，电气/机械方面的规格和性能当然是首先要考虑的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以处理较大功率为前提的，更需要具备充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作为
2018-11-30 11:50:49
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。下图是1200V/300A的全SiC功率模块BSM300D12P2E001与同等IGBT的比较。左图
2018-11-27 16:37:30
率为一个平稳值，意味着产品进入了一个稳定的使用期。耗损失效期的失效率为递增形式，即产品进入老年期，失效率呈递增状态，产品需要更新。提高可靠性的措施可以是：对元器件进行筛选;对元器件降额使用，使用容错法
2015-08-04 11:04:27
高可靠性的线路板具有什么特点？
2021-04-25 08:16:53
EFR32介绍EFR32 Mighty Gecko ZigBee 和 Thread 的 SoC 系列是无线 Gecko 产品系列的组成部分。 Mighty Gecko SoC 是实现 IoT 设备
2021-07-23 06:21:18
采用IR51H420构成的高可靠性节能灯电子镇流器电路图
2019-10-31 09:10:48
MGDS-150系列是GAIA电源致力于航空、航天、军事及高端工业应用研发的高可靠性DC-DC转换器，其核心设计主要包括超薄型化结构、超高功率密度、超宽频率范围、多功能保护系统四大性能，能够满足极端
2025-07-29 09:35:07
IGBT2/IGBT3的功率周次曲线 图8 1200V/1700V IGBT4的功率周次曲线3. PrimePACK针对封装技术做了改进来提高模块的温度周次能力：采用了增强型Al2O3，从而减小了衬底和铜
2018-12-04 09:59:11
愿景，以企业文化“革新观念、凝聚智慧、点燃斗志、激发潜能”。2)经营理念：追求卓越品质，打造极致用户体验高可靠性是广大客户赖以生存和发展的命脉！“华秋”把“卓越品质、极致体验”当做行动指南渗透至日
2020-07-09 11:54:01
，美国50%的电子设备在储存期间就失效、60%的机载电子设备运到远东后不能使用。美国发现不可靠电子设备影响战争的进行，而且年均维修费是设备采购费用的2倍。1949年，美国无线电工程师学会成立了第一个可靠性
2020-07-03 11:09:11
秋”把“打造高可靠PCB、履行社会责任”当做全体成员为之奋斗的共同愿景，以企业文化“革新观念、凝聚智慧、点燃斗志、激发潜能”。2)经营理念：追求卓越品质，打造极致用户体验高可靠性是广大客户赖以生存
2020-07-08 17:10:00
采购费用的2倍。949年，美国无线电工程师学会成立了第一个可靠性专业学术组织——可靠性技术组。1950年12月，美国成立了“电子设备可靠性专门委员会”，军方、武器制造公司及学术界开始介入可靠性研究，到
2020-07-03 11:18:02
MOSFET相比，SiC MOSFET的功率转换效率可提升高达5%采用准谐振方式，可实现更低EMI通过减少元器件数量，可实现显著的小型化和更高可靠性可确保长期稳定供应，很适合工业设备应用产品阵容新增4款保护功能
2022-07-27 11:00:52
击穿电压仿真工具中实现，因此假定电荷为零。采用深P-区域可减少轴向寿命杀伤器（如氦气或质子）的泄漏电流，并使器件在硬开关条件下具有鲁棒性。图 1：1700V 器件的平面结 VLD 端接的横截面。图 2
2023-02-27 09:32:57
分享一款不错的高可靠性CAN-bus以太网冗余组网方案
2021-05-26 06:37:56
高可靠性永远是计算机系统中必不可少的重要需求，尤其是对于整个系统中用来产生统一时间信号的专用设备来说，其可靠性和精准性非常重要。时统模块的功能就是保证整个系统处在统一时间的基准上，它接收时统站发来
2019-08-26 06:27:46
Proteus仿真-基于ICL7107的±2V电压表头ICL7107介绍管脚说明元器件选择说明200mv的参考图Proteus仿真ICL7107介绍ICL7107是3位半位双积分型A/D转换器，属于
2022-01-25 08:12:52
高可靠性系统设计包括使用容错设计方法和选择适合的组件，以满足预期环境条件并符合标准要求。本文专门探讨实现高可靠性电源的半导体解决方案，这类电源提供冗余、电路保护和远程系统管理。本文将突出显示，半导体技术的改进和新的安全功能怎样简化了设计，并提高了组件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
高可靠性系统设计包括使用容错设计方法和选择适合的组件，以满足预期环境条件并符合标准要求。本文专门探讨实现高可靠性电源的半导体解决方案，这类电源提供冗余、电路保护和远程系统管理。本文将突出显示，半导体技术的改进和新的安全功能怎样简化了设计，并提高了组件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
本文拟从印制板下游用户安装后质量、直接用户调试质量和产品使用质量三方面研究印制板的可靠性，从而表征出印制板加工质量的优劣并提供生产高可靠性印制板的基本途径。
2021-04-21 06:38:19
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
如何采用功率集成模块设计出高能效、高可靠性的太阳能逆变器？
2021-06-17 06:22:27
mm○BSM300D12P2E001300BSM400D12P3G002-4~2240010G Type62×152×17mmBSM600D12P3G001600※产品阵容中还包括斩波型产品。关于新产品的详细信息，请联系ROHM销售部门或点击这里。ROHM还提供可轻松评估全SiC功率模块栅极驱动器评估板。
2018-12-04 10:19:59
。右图为SiC-MOSFET＋SiC-SBD组成的全SiC模块BSM300D12P2E001（1200V/300A）与IGBT＋FRD的模块在同一环境下实测的开关损耗结果比较。Eon是开关导通时的损耗
2018-12-04 10:14:32
的感觉，但仅仅因为软件在受控条件下的那一刻运行正常并不意味着明天或一年后还会运行正常。从规范完善的开发周期到严格执行和系统检查，开发高可靠性嵌入式系统的技术有许多种。本文介绍了7个易操作且可以长久使用的技巧，它们对于确保系统更加可靠地运行并捕获异常行为大有帮助。
2019-09-29 08:10:15
甲烷传感器的特点甲烷传感器的工作原理新型高可靠性甲烷传感器的原理与设计
2021-04-09 06:41:47
用于高可靠性医疗应用的混合信号解决方案
2019-09-16 06:34:54
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的单端反激式转换器设计演示板。该设计采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面贴装封装，占板面
2019-04-29 09:25:59
用于额温计的信号调理芯片NSA2300/NSA2302介绍
2021-06-16 08:18:14
阻并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
G.DMOS)18010Etype有BSM300D12P2E001(2G. DMOS)3007.3由ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD组成的“全SiC”功率模块 重点必看开关损耗更低，频率更高，应用设备体积更小＜ 相关产品信息 ＞全SiC功率模块SiC-MOSFETSiC-SBD
2018-12-04 10:11:50
集成电路为高可靠性电源提供增强的保护和改进的安全功能
2019-06-11 16:25:31
驱动1700V IGBT的几种高性能IC 选型设计:通过对几种常用的1700V IGBT 驱动专用集成电路进行详细的分析，对M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列进行深入的讨论，给出了电气特性参数和内部
2009-06-19 20:29:52
40 E2PROM 是较常用的存储器件。但在特殊的场合，其可靠性或其使用寿命对系统的正常运行有很大影响。为此介绍了I2C 总线及E2PROM 的工作原理，提出了一种具有较高可靠性的E2PROM 控制
2010-01-13 15:14:5315 周 品牌：PICO产品详情介绍70565是一款高可靠性的Pico音频变压器。音频变压器是音频范围内使用的变压器，它可以提供电流隔离、信号增益
2024-03-20 20:05:32
UACHV225S高压AC-DC电源模块高可靠性重要参数 输入电压：85~265Vac输出电压： 225Vdc电源精度：1%功率： 250w订货周期：6-8周品牌：PICO产品详情介绍
2024-03-20 20:36:19
高可靠性微控制器设计研究
摘要：本文目标是根据航天电子设计的需要，提出一种高可靠性微处理器设计的设计方案。在分析了单粒子效应的和总结了高可靠性设计
2010-01-08 10:44:48835 
Mouser Electronics供货带防伪验证系统的TDK LGJ系列高可靠性功率电感器。
2013-07-15 17:26:511512 日前，全球高可靠性半导体解决方案供应商e2v宣布推出P2041和P3041处理器，这两款处理器均为高可靠性Freescale四核QorIQ处理器版本，适用于航空航天与国防等功率敏感与计算密集型应用。
2013-07-16 16:29:352595 全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出额定1200V/300A的“全SiC”功率模块“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:441022 功率计量芯片HLW8012介绍及应用 简单易用 使用方便 程序简单
2015-11-20 16:28:12127 主要研究了红外热像仪可靠性的设计技术。分析了红外热像仪的常见故障，建立了红外热像仪 典型的可靠性模型。理论分析了可靠性的主要限制因素及其影响程度，提出了高可靠性红外热像仪的 设计方法，并给出了试验验证结果。最后对比介绍了国内外典型红外热像仪可靠性的增长情况。
2015-12-31 11:17:267 学习完本课程，您应该能够：了解什么是高可靠性技术，了解高可靠性技术包含哪些技术类别。
2016-04-12 17:38:5815 大联大旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
2018-04-23 16:18:004336 
罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2018-05-17 09:33:1314691 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的产品更加丰富。
2018-09-26 11:32:174502 功率模块封装目前有几项关键技术，如塑封成型、高温芯片粘接与连接等。模块必须拥有良好的热效率和电效率，同时保持小质量和小体积。此外，为了保持竞争力，功率模块制造商需要保证产品高可靠性的同时，具有成本效益。
2019-03-11 16:46:397774 ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现行业领先*可靠性的、额定值保证1700V/250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:523238 对BSM250D17P2E004和同等IGBT模块实施了HV-H3TRB高温高湿反偏试验，试验条件为在85℃/85%的高温高湿环境下，施加1360V。试验结果是IGBT模块比较早期出现绝缘劣化或绝缘击穿导致的漏电流增加现象，在1,000小时内发生了故障。
2019-08-22 09:05:594643 E2V是医疗、科学、航空、国防和工业领域创新解决方案专用部件和子系统的全球领先企业。提供高性能和高可靠性的半导体解决方案。 E2V提供了许多标准产品的一系列特别合格的版本。定制解决方案也是为了满足
2020-08-11 10:05:544751 金升阳紧跟功率半导体市场动向，推出QAxx3D-2GR3（下文称：QA-R3系列驱动电源），可有效应用于1700V及以下电压的IGBT/SiC MOSFET上。
2021-05-07 11:49:581827 。 该板有三个输出：+15V、-15V和+24V，输出功率高达62.5W。 该板使用TO-263 7L表面贴装器件（SMD）封装的1700V CoolSiC MOSFET作为主开关，非常适合高输入电压
2021-09-07 14:11:033834 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定漏极
2022-02-01 20:22:025818 半导体于2021年推出SiC MOSFET产品，不仅一如既往的追求高可靠性，同时也拥有业内领先的高性能和竞争力。
2022-02-18 16:44:105625 
相比于硅基高压器件，碳化硅开关器件拥有更小的导通电阻和开关损耗。电力电子系统需要辅助电源部分用来驱动功率器件，为控制系统及散热系统等提供电源。额定电压1700V的SiC MOSFET为高压辅助电源提供了设计更简单，成本更低的解决方案。
2022-08-01 14:18:584654 Infineon，最新1700V的SiC MOSFET产品。62W辅助电源参考设计
2022-08-28 11:17:069 SiC作为半导体材料的历史不长，与Si功率元器件相比其实际使用业绩还远远无法超越，可能是其可靠性水平还未得到充分认识。这是ROHM的SiC-SBD可靠性试验数据。
2023-02-08 13:43:18985 
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:211335 
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调及街灯等工业设备开发的内置1700V耐压SiC MOSFET的AC/DC转换器IC。
2023-02-09 10:19:231760 
ROHM面向工业设备用电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出1200V耐压的400A/600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:051819 
转换器，开发出1200V耐压的400A/600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05617 ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:082522 
1700V以下大功率IGBT智能驱动模块使用手册 （采用100%国产化元器件设计） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驱动模块是特别为100%国产化需求企业推出的一款可靠、安全的高性能驱动模块
2023-02-16 15:01:5514 继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。
2023-02-24 11:51:281234 
前几天，三一集团的SiC重卡打破了吉尼斯纪录（.点这里.），很多人好奇这款车的1700V SiC MOSFET供应商是谁，今天答案正式揭晓！
2023-06-14 18:19:552105 新品EasyPACK2B75A1700VIGBT三相桥模块和2200VEasyBRIDGE整流模块1700V电机驱动功率半导体解决方案，包括EasyPACK2B75A1700VIGBT三相桥模块
2023-01-29 17:41:443272 
功率器件可靠性
2023-08-07 14:51:534 芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET主要应用新能源汽车电池电压检测和绝缘监测。该应用场景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦继电器整体性能，使之响应速度更快、体积缩小、寿命延长等，对提升车辆电源系统整体效能、可靠性及安全性有着重要意义。
2023-08-16 11:49:311230 
英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性
2023-10-11 09:35:492169 
电源中，由于母线电压和功率不同，一般会选用单管反激或双管反激拓扑，无论那种拓扑都离不开核心的功率器件，即1500V~1700V 功率MOS。
2023-10-16 11:38:052882 
了许多电子产品的基本要求。接下来深圳PCB板厂就为大家介绍下高可靠性PCB的重要特征。 高可靠性PCB的重要特征 1、做到25μm的孔壁铜厚可以增强可靠性，包括改进Z轴的耐膨胀能力; 2、完美的电路可确保可靠性和安全性，高可靠性的PCB一般都无焊接修理或断
2023-11-20 10:14:081109 11月27日，瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω，
2023-11-30 09:39:183074 
电子发烧友网站提供《5V转220V新一代无变压器大功率升压模块XKT203-08介绍.docx》资料免费下载
2024-02-26 09:12:44159 的功率密度和更长的使用寿命。目前的EconoDUAL3Wave产品组合新增了1700V电压等级的900A模块。产品型号：FF900R17ME7W_B11900A170
2024-08-13 08:14:431056 电子发烧友网站提供《针对高可靠性应用的电压转换.pdf》资料免费下载
2024-09-18 14:46:140 近日，全球碳化硅（SiC）功率半导体领域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款专为中压大功率转换应用而设计的1700V SiC MOSFET系列新品。此次发布的QSiC™ 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:581001 由于在可靠性、成本和系统级价值方面的显著提升，具有1700V阻断电压的碳化硅(SiC)在工业电力转换中变得越来越普遍。通过将最新一代SiC芯片的阻断电压扩展至2000V，新的可能性随之而来。以前需要
2025-03-14 11:01:15793 
深度分析：从IGBT模块可靠性问题看国产SiC模块可靠性实验的重要性 某厂商IGBT模块曾因可靠性问题导致国内光伏逆变器厂商损失数亿元，这一案例凸显了功率半导体模块可靠性测试的极端重要性。国产SiC
2025-03-31 07:04:501318 质量乱象：未通过可靠性关键实验的国产SiC功率模块应用隐患与后果 国产SiC（碳化硅）功率模块在APF（有源电力滤波器）和PCS（储能变流器）等电力电子设备中的应用趋势日益显著，主要受益于技术性
2025-04-02 18:24:49826 
两款国产1700V SiC MOSFET在逆变器/变流器辅助电源设计中广受欢迎
2025-07-23 18:10:061031 
倾佳电子面向电力电子功率变换系统的高可靠性1700V碳化硅MOSFET反激式辅助电源设计 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源
2025-11-03 11:26:47447 
5V2A 充电器凭借高可靠性与低成本的双重优势，可广泛适配手机、音响、交换机、摄像头等多类设备。采用了U7711 同步整流 IC与SZ2525 电源管理 IC的组合。其中，U7711是高性能同步整流
2025-11-03 15:52:251
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