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飞虹MOS管FHP1404V的参数性能

广州飞虹半导体 来源:广州飞虹半导体 2025-03-01 11:30 次阅读
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针对12V输入电路的产品电路设计,需要有更高的电压安全系数。这一款2025年新推出到市场的国产MOS管以BVDSS_typ=55V的参数性能帮助解决上述问题。

它的创新性设计是基于已有成熟的产品体系而来的,可以稳定且可靠的应用于各种12V输入的逆变器、12V输入的音响电源中。

它就是飞虹半导体首发新品FHP1404V型号MOS管,正是拥有上述特点,而且还拥有极低导通电阻,让其可以无缝代换CS1404、IRF1404PbF、HY4004、FTP1404型号场效应管。

FHP1404V作为N沟道增强型场效应晶体管,它采用先进的沟槽技术,降低了导通损耗,提高了开关性能,提高了雪崩能量。

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该晶体管可用于各种功率开关电路,产品外形是TO-220封装,符合JEDEC标准,在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。

下述将围绕FHP1404V场效应管的产品特点、友商参数对比、推荐应用范围、部分典型特性曲线来介绍:

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一、产品特点

(1)100% Rg测试。

(2)100% EAS测试。

(3)100% DVDS瞬间热阻测试。

(4)采用细化分档Vth,进一步提高了产品的一致性高。

(5)通过采用特色的trench工艺,结合优秀的封装BOM材料和生产管控,产品满足工业级需求。

(6)拥有极低的导通内阻RDS(on),FHP1404V的导通内阻典型值相比IRF1404PbF的低44%。导通损耗低。

(7)雪崩耐量高,抗冲击性能强。

(8)FHP1404V拥有更高的电压余量,BVDSS_typ=55V,应对12V输入电压系统,电压安全系数更高。

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二、友商参数对比

(1)与HY4004相比拥有更低的导通内阻,降低了导通损耗,同时提高了品质因数FOM(RDSON*Qg),性能更优。

(2)与IRF1404PbF相比,降低了导通损耗,栅极电荷更小(160nC vs 210nC),开关速度更快,可提供更高性价比的国产化替代产品。

(3)与CS1404、FTP1404对比导通电阻更优,适合追求极致效率和电流能力的产品。

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三、推荐应用范围

(1)高频逆变器应用:12V蓄电池输入的车载高频逆变器中的DC/DC推挽拓扑升压电路。

(2)适合12V的全桥拓扑结构的太阳能工频离网逆变器应用。

(3)适合12V输入的音响电源中的DC-DC推挽拓扑升压电路。

(4)适合12V蓄电池供电的UPS不间断电源。

(5)适合大功率高频开关电源上的同步整流

四、部分典型特性曲线

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对于常需要用于高频逆变器、UPS电源、同步整流等领域以及针对需要12V输入电路设计的产品建议可以多看看这一款优质的国产化MOS管。

FHP1404V超低导通电阻、高电流能力、优异热管理,适合高功率密度应用(如大电流逆变器、UPS),在同领域产品中适合追求极致效率和电流能力的电路设计。

飞虹半导体致力于大功率分立器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售,给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

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原文标题:2025国产MOS管:极低导通电阻、BVDSS_typ=55V更适合12V输入电路!

文章出处:【微信号:广州飞虹半导体,微信公众号:广州飞虹半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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