全球首发上车！国产1500V SiC MOSFET！

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）比亚迪在最近的超级e平台技术发布会上，推出了一系列的“王炸”技术，包括全域1000V高压架构、10C兆瓦闪充平台、3万转580kW电机等。这些技术在1000V电压平台下实现电动汽车充电、动力性能的全新体验，而支撑起这些体验的，是碳化硅功率芯片和功率模块。

目前主流800V电压架构中，高压部分的大功率用电设备，比如空调压缩机、主驱逆变器等部分，需要用到1200V的SiC MOSFET。为了确保器件在电压波动或瞬态尖峰下的可靠性，一般需要选择耐压等级相比母线电压更高的器件，以保证长期运行下的安全性。

所以比亚迪用上1000V电压平台，在功率器件方面也需要选择耐压值超过1200V的产品。针对1000V高压系统及兆瓦闪充需求，比亚迪表示，依托集团垂直整合优势，快速开发推出1500V大功率SiC芯片，解决了模块耐压瓶颈，这是汽车电机驱动领域首次大规模量产应用的最高电压等级SiC芯片。

过去电动汽车上使用的SiC功率芯片，在400V平台上一般会使用750V耐压的器件，在800V平台上一般会使用1200V器件。

而这次从比亚迪的描述中，似乎是使用了自研的1500V SiC MOSFET产品。实际上，作为一家车企，比亚迪是罕见地布局了SiC产业的全链条，从衬底、外延，设计到晶圆制造再到模块封装。

此前在比亚迪半导体的招股书中就有透露拟建设年产能24万片的SiC晶圆产线。在SiC MOSFET产品上，比亚迪最早在2018年宣布成功研发相关产品，并在2020年底透露其SiC MOSFET产品已经迭代至第三代，第四代正在开发中。

2024年6月，比亚迪品牌及公关处总经理李云飞透露，比亚迪新建碳化硅工厂将成为行业最大的工厂，该工厂将会在2024年下半年投产，产能规模全球第一。这个时间节点也与比亚迪发布全新的1000V电压平台相匹配了，以比亚迪年销400万辆的体量，确实需要相比以往更大的产能去支撑SiC功率器件的供应。

SiC模块同样是比亚迪自研，据比亚迪介绍，其1500V SiC功率模块有五大优势：

1.业内首创：满足高达1000V电压平台应用，真正释放了电机的潜能，开启高效电力传输新纪元；
2.高效率、低损耗：5nH低杂散电感设计，相比传统封装可以降低30%动态损耗，提升整车效率和续航能力；
3.长寿命、高可靠性：采用耐高温塑封材料及纳米银烧结工艺，实现了200℃工作结温，功率循环寿命超越常规工艺3倍以上，让芯片在各种极端工况下仍然能够稳定工作，为整车提供了坚实的动力保障；
4.耐振动性能：远超目前可靠性试验标准，随机振动特性曲线可超过14G，±XYZ六向加速度耐受能力完全满足模块侧装、倒装等不同安装方式，满足应用端多样化、灵活性的配置需求，实现随心所欲的功能部署与性能优化；
5.小体积、轻量化：通过塑封模块引线框架、底板一体成型注塑工艺，摒弃传统灌封模块外框设计，降低杂散电感的同时，实现器件尺寸的显著缩减，同输出能力下相较传统灌封模块总体积减小28%，赋予应用端更多设计空间，极大提升了系统的效率和可靠性。

从“天神之眼”智驾普及，到1000V电压平台的1500V SiC MOSFET大规模应用，比亚迪的全产业链布局和规模优势，正在对整个汽车行业产生深远影响。