参考板"REF_62W_FLY_1700V_SiC"是为支持客户采用SIC MOSFET设计辅助电源而开发的。该参考板旨在支持客户为三相系统设计辅助电源,工作电压范围在200VDC至1000VDC。
该板有三个输出:+15V、-15V和+24V,输出功率高达62.5W。
该板使用TO-263 7L表面贴装器件(SMD)封装的1700V CoolSiC MOSFET作为主开关,非常适合高输入电压的直流回路,采用单端反激式拓扑结构。采用低RDS(on),可以实现高效率和低器件温度上升。
该控制器在准谐振模式下工作,有助于减少EMI噪声。
主要特点
可调节的输出过电压保护
过载/开环保护
电流限制保护
过温保护的自动重启
VCC过压和欠压保护
绕组短路保护
该参考板使用德州仪器的UCC28600准谐振反激式Green-mode控制器,该控制器根据输入和负载条件以不同的工作模式运行。该转换器在轻度负载条件下,使用40kHz调制脉冲来控制,并在30%负载时过渡到FFM模式,当负载大于30%的额定功率时,它可以在准谐振模式(QRM)或不连续导通模式(DCM)运行,其最大开关频率为130kHz。
设计参数

效率曲线
在满载62.5W,栅极电阻值为47时,峰值效率为90.56%:
责任编辑:haq
-
英飞凌
+关注
关注
68文章
2443浏览量
142303 -
电源
+关注
关注
185文章
18709浏览量
261392 -
电压
+关注
关注
45文章
5757浏览量
120966
原文标题:PCIM展台预览 | 采用1700V SIC MOSFET反激式电源参考设计板
文章出处:【微信号:yflgybdt,微信公众号:英飞凌工业半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
倾佳电力电子设备高压辅助电源拓扑、器件选型与1700V SiC MOSFET技术分析报告
国产1700V SiC MOSFET在电力电子辅助电源中的全面进口替代方案
PI氮化镓反激式开关IC产品介绍
Power Integrations的1700V开关IC为800V纯电动汽车 提供可靠性和节省空间的优势
反激式、正激式、推挽式、半桥式、全桥式开关电源的优点与缺点
基于国产PWM控制器和SiC MOSFET的反激辅助电源设计
SemiQ发布1700V SiC MOSFET新品
SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中压大功率转换领域
远山半导体1700V GaN器件的特性测试方案

采用1700V SIC MOSFET反激式电源参考设计板介绍
评论