国产1700V SiC MOSFET在电力电子辅助电源中的全面进口替代方案

B2M600170H与B2M600170R——国产1700V SiC MOSFET在辅助电源中的全面进口替代方案

引言

随着新能源、工业电源及电动汽车等领域的快速发展，辅助电源对高效率、高功率密度及高温稳定性的需求日益迫切。传统的硅基器件已逐渐难以满足严苛的性能要求，而碳化硅(SiC)MOSFET凭借其优异的开关速度、低导通损耗和高温耐受能力，成为理想选择。然而，进口SiC MOSFET的高成本与供应链风险制约了其广泛应用。

BASiC Semiconductor基本半导体推出的B2M600170H(TO-247-3封装)与B2M600170R(TO-263B-7封装)，以国产化技术实现1700V高压平台的全覆盖，在性能、成本及可靠性上全面对标进口产品，为辅助电源设计提供高效替代方案。

倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片，SiC功率模块驱动板，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。

产品概述

核心优势

低导通损耗：600 mΩ的典型导通电阻显著降低导通损耗，提升系统效率。

高频开关性能：

开关延迟时间低至7-24 ns(B2M600170H)，支持MHz级开关频率，减少磁性元件体积。

栅极电荷 QGQG仅14 nC，驱动损耗较进口竞品降低15%-20%。

高温稳定性：

175°C结温下，RDS(on)温升系数优于进口方案(如175°C时仅增至1.23Ω)。

雪崩能量 EAS达18 mJ，确保极端工况下的可靠性。

封装灵活性：

TO-247-3(B2M600170H)适合高功率场景，兼容传统散热设计。

TO-263B-7(B2M600170R)支持Kelvin源极引脚，优化高频开关噪声，适合紧凑型辅助电源。

技术优势与进口替代价值

1. 效率与功率密度提升

高开关频率：结合低反向恢复电荷(Qrr38-98 nC)，B2M600170H/在LLC谐振拓扑中可将效率提升，同时缩小变压器和滤波电容体积，助力电源模块小型化。

低热阻设计：TO-247-3封装热阻低至2.00 K/W，减少散热需求，降低系统成本。

2. 高温环境适应性

宽温域性能：在175°C结温下，B2M600170H的连续电流仍保持5A(进口竞品通常衰减至4A)，适用于高温场景。

鲁棒性强：单脉冲雪崩能量(18 mJ)与体二极管反向恢复特性(trr28-39 ns)优于多数进口方案，确保短路保护与浪涌耐受能力。

3. 成本与供应链优势

国产化成本降低：较进口器件价格低20%-30%，且供货周期稳定。

兼容性设计：引脚定义与主流进口型号一致，支持直接替换，无需修改PCB布局。

典型应用场景

光伏逆变器辅助电源：

利用高频优势，实现辅助电源效率>96%，MTBF提升30%。

储能变流器辅助电源：

在-55°C至175°C宽温范围内稳定运行，支持高功率设计。

工业电机驱动辅助电源：

TO-263B-7封装的Kelvin源极设计，有效抑制开关振铃，提升控制精度。

结论

BASiC Semiconductor基本半导体的B2M600170H与B2M600170R通过技术创新与国产化制造，不仅在性能参数上全面对标进口1700V SiC MOSFET，更以高性价比、高可靠性和灵活封装，为辅助电源设计提供了优质替代方案。在“双碳”目标驱动下，其广泛应用将加速新能源与工业领域的技术升级，助力国产功率半导体实现进口替代的突破。