电子发烧友网报道(文/梁浩斌)SiC在电动汽车电驱模块上的应用,随着市场对电动汽车长续航、高压电气架构、快充等需求,正在加速普及。 传统硅基半导体由于自身物理性质受限 ,在高温、高压、高频
2022-07-06 08:36:003230 本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响,并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点,推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。
2015-06-12 09:51:234738 谈谈SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131020 下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列,进行详细介绍
2023-11-01 14:46:19737 SiC MOSFET模块目前广泛运用于新能源汽车逆变器、车载充电、光伏、风电、智能电网等领域[2-9] ,展示了新技术的优良特性。
2024-02-19 16:29:22206 潮,令800V平台、SiC电驱开始打进20万内的市场,SiC也进一步能够加速在市场上普及。 最近两家国内厂商又有多款SiC MOSFET产品通过了车规级认证,这将继续推动SiC功率器件量产上车。 瞻芯电子 瞻芯电子3月8日宣布,由公司开发的三款第二代650V SiC MOSFET产
2024-03-13 01:17:002642 有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
从本文开始,将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET-SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模块所谓全SiC功率模块全SiC功率模块的开关损耗运用要点栅极驱动 其1栅极驱动 其2应用要点缓冲电容器 专用栅极驱动器和缓冲模块的效果Si功率元器件基础篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展,性能有望进一步提升。从下一篇开始,将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点,但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。< 相关产品信息 >MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
比Si器件低,不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。 而且MOSFET原理上不产生尾电流,所以用SiC-MOSFET替代IGBT时,能够明显地减少开关损耗,并且实现散热部件
2023-02-07 16:40:49
,不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。而且MOSFET原理上不产生尾电流,所以用SiC-MOSFET替代IGBT时,能够明显地减少开关损耗,并且实现散热部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外,包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异,如果有不明之处或希望
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET,还可以从这里了解SiC-SBD、全SiC模块的应用实例。SiC-MOSFET应用实例1:移相DC/DC转换器下面是演示机,是与功率Power Assist Technology Ltd.联合制
2018-11-27 16:38:39
`请问:图片中的红色白色蓝色模块是什么东西?芯片屏蔽罩吗?为什么加这个东西?抗干扰或散热吗?这是个SiC MOSFET DC-DC电源,小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
与IGBT相比,SiC MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻,非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是,在实际应用中,工程师需要考虑SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
éveloppement2016年报告,展示了SiC模块开发活动的现状。我们相信在分立封装中SiC MOSFET的许多亮点仍然存在,因为控制和电源电路的最佳布局实践可以轻松地将分立解决方案的适用性扩展到数十
2023-02-27 13:48:12
家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外,几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅(SiC)MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么?SiC46x有哪些优异的设计?SiC46x的主要应用领域有哪些?
2021-07-09 07:11:50
的不是全SiC功率模块特有的评估事项,而是单个SiC-MOSFET的构成中也同样需要探讨的现象。在分立结构的设计中,该信息也非常有用。“栅极误导通”是指在高边SiC-MOSFET+低边
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
,不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。而且MOSFET原理上不产生尾电流,所以用SiC-MOSFET替代IGBT时,能够明显地减少开关损耗,并且实现散热部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
。 传统的功率半导体封装技术是采用铅或无铅焊接合金把器件的一个端面贴合在热沉衬底上,另外的端面与10-20mil铝线楔或金线键合在一起。这种方法在大功率、高温工作条件下缺乏可靠性,而且
2018-09-11 16:12:04
”IDM产能提升长期保供协议中国高端车比例提升 当下,SiC能比预测得更快更多上车,主要因素可从产能结构调整、供需关系、市场营销来进行分析:一是以一线IDM对供应链进行了高度的整合,实现了SiC器件产能
2022-12-27 15:05:47
个月的研发合作。本文将讨论本专案中与车用电子的相关内容,并聚焦在有关SiC技术和封装的创新。WInSiC4AP联盟由来自4个欧盟国家(意大利、法国、德国和捷克共和国)的20个合作伙伴组成,包括大型企业
2019-06-27 04:20:26
寄生效应过多,它们的性能可能会下降到硅器件的性能,并可能会导致电路故障。传导EMI会伴随SiC MOSFET产生的快速电压和电流开关瞬变,内部和外部SiC寄生效应会受到这些开关瞬变的影响,并且是EMI
2022-08-12 09:42:07
) MOSFET功率模块的极低电感封装 这款全新封装专为用于公司SP6LI 产品系列 而开发,经设计提供适用于SiC MOSFET技术的2.9 nH杂散电感,同时实现高电流、高开关频率以及高效率。美高森美将在德国
2018-10-23 16:22:24
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
项目名称:SiC MOSFET元器件性能研究试用计划:申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验,熟悉MOSET各种性能和应用,掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法,熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管组成上下桥臂电路,整个评估板提供了一个半桥电路,可以支持Buck,Boost和半桥开关电路的拓扑。SiC Mosfet的驱动电路主要有BM6101为主的芯片搭建而成,上下桥臂各有一块
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V,负载我们设为0.9Ω的阻值,通过下图来看实际的输入和输出情况:图4 输入和输出通过电子负载示数,输出电流达到了17A。下面使用示波器测试SIC-MOSFET管子的相关
2020-06-10 11:04:53
项目名称:基于Sic MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器试用计划:申请理由本人在电力电子领域(数字电源)有五年多的开发经验,熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我
2020-04-24 18:08:05
封装的SIC MOSFET各两片,分别是TO-247-4L的SCT3040KR,TO-247-3L的SCT3040KL,这两款都是罗姆推出的SIC MOSFET。两款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
`收到了罗姆的sic-mosfet评估板,感谢罗姆,感谢电子发烧友。先上几张开箱图,sic-mos有两种封装形式的,SCT3040KR,主要参数如下:SCT3040KL,主要参数如下:后续准备搭建一个DC-DC BUCK电路,然后给散热器增加散热片。`
2020-05-20 09:04:05
SiC模块,对比相同充放电功率情况下SiC与MOSFET或者IGBT的温升。预计成果:在性能满足要求,价格可接受范围内,后续适用到产品中
2020-04-24 18:09:35
项目名称:SiC mosfet 测试试用计划:申请理由:公司开发双脉冲测试仪对接触到Sic相关的资料。想通过此次试用进一步了解相关性能。试用计划:1、测试电源输入输出性能。2、使用公司设备测试Sic器件相关参数。3、编写测试报告。
2020-04-21 15:54:54
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域,如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
°C 时典型值的两倍。采用正确封装时,SiC MOSFET 可获得 200°C 甚至更高的额定温度。SiC MOSFET 的超高工作温度也简化了热管理,从而减小了印刷电路板的外形尺寸,并提高了系统稳定性
2017-12-18 13:58:36
Tesla的SiC MOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共24颗,拆开封装每颗有2个SiC裸晶(Die)所以共48颗SiC MOSFET。除此之外,其他包括OBC、一辆车附2个一般充电器、快充电桩等,都可以放上SiC,只是SiC久缺而未快速导入。不过,市场估算,循续渐进采用SiC后,平均2辆Te.
2021-09-15 07:42:00
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
半导体产品采用的是也是平面栅MOSFET结构。基于平面栅结构,派恩杰已经发布了650V-1700V各个电压平台的SiC MOSFET,而且已经顺利在新能源龙头企业批量供货,实现“上车”。
2022-03-29 10:58:06
装置机器人商用空调工业用照明(路灯等)内置SiC MOSFET的AC/DC转换器IC产品阵容产品名称封装电源电压范围MOSFET工作频率VCC OVP *^1^FB OLP *^2^工作温度范围
2022-07-27 11:00:52
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V为驱动器的电源。电路中增加了CGS和米勒钳位MOSFET,使包括栅极电阻在内均可调整。将该栅极驱动器与全SiC功率模块的栅极和源极连接,来确认栅极电压的升高情况
2018-11-27 16:41:26
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇,想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET的量产。SiC功率模块已经采用了这种沟槽结构的MOSFET,使开关损耗在以往SiC功率模块的基础上进一步得以降低。右图是基于技术规格书的规格值,对1200V/180A的IGBT模块、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
1700V高耐压,还是充分发挥SiC的特性使导通电阻大幅降低的MOSFET。此外,与SiC-MOSFET用的反激式转换器控制IC组合,还可大幅改善效率。ROHM不仅开发最尖端的功率元器件,还促进充分发挥
2018-12-04 10:11:25
在通用PWM发电机中,我可以用任何型号替换SiC MOSFET吗?
2024-03-01 06:34:58
对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
金鉴出品】新能源汽车SiC MOSFET芯片漏电红外热点定位+FIB解析碳化硅器件的高压高频和高效率的优势,可以突破现有电动汽车电机设计上因器件性能而受到的限制,这是目前国内外电动汽车电机领域研发
2018-11-02 16:25:31
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入,但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
SiCMOSFET具有出色的开关特性,但由于其开关过程中电压和电流变化非常大,因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
CRD-060DD17P-2,采用市售1700V碳化硅(SiC)MOSFET的单端反激式转换器设计演示板。该设计采用1700V SiC MOSFET,采用新型7LD2PAK表面贴装封装,占板面
2019-04-29 09:25:59
低,可靠性高,在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压(VF)降低70%以上,实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
理解了BD7682FJ-LB作为SiC-MOSFET用IC最重要的关键点,接下来介绍其概要和特点。<特点>小型8引脚SOP-J8封装低EMI准谐振方式降频功能待机时消耗电流低:19uA无负载时消耗电流低
2018-11-27 16:54:24
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制,采用节省空间的窄体SO-8封装,通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率,STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间,并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
请问:驱动功率MOSFET,IBGT,SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素?
2019-07-31 10:13:38
罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2018-05-17 09:33:1313514 用源极引脚的 4 引脚封装,改善了开关特性,使开关损耗可以降低 35%左右。此次,针对 SiC MOSFET 采用 4 引脚封装的原因及其效果等议题,我们采访了 ROHM 株式会社的应用工程师。
2020-11-25 10:56:0030 具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比,SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2022-06-08 14:49:532946 具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比,SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。
2022-07-06 12:30:421117 关于SiC MOSFET的并联问题,英飞凌已陆续推出了很多技术资料,帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境,分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151688 SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅(SiC)的功率半导体器件,在高速开关性能和高温环境中,优于目前主流应用的硅(Si)IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备
2022-11-06 21:14:51957 SiC MOSFET 的优势和用例是什么?
2022-12-28 09:51:201034 在大电流应用中利用 SiC MOSFET 模块
2023-01-03 14:40:29492 本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容,总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外,除了SiC-MOSFET,还可以从这里了解SiC-SBD、全SiC模块的应用实例。
2023-02-06 14:39:51645 本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容,总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。
2023-02-08 13:43:21366 继SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇,想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品,都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:21686 在探讨“SiC MOSFET:桥式结构中Gate-Source电压的动作”时,本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍,这也是这个主题的前提。
2023-02-08 13:43:23341 本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比,SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2023-02-09 10:19:20301 通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比,SiC MOSFET的栅-源电压的...
2023-02-09 10:19:20335 ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 15:29:032102 ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-13 09:30:04333 SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构,主要有二种:平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构,
2023-02-16 09:40:102938 在SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容,总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 继SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品,都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 下面给出的电路图是在桥式结构中使用SiC MOSFET时最简单的同步式boost电路。该电路中使用的SiC MOSFET的高边(HS)和低边(LS)是交替导通的,为了防止HS和LS同时导通,设置了两个SiC MOSFET均为OFF的死区时间。右下方的波形表示其门极信号(VG)时序。
2023-02-27 13:41:58738 如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片?(英飞凌官方) 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同,并且其通常工作在高频应用环境中, 为SiC MOSFET选择合适的栅极
2023-02-27 14:42:0479 首先,是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。
2023-08-06 10:49:071106 1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 2023年国产SiC上车
2023-10-31 23:02:000 器件,能够像IGBT一样进行高压开关,同时开关频率等于或高于低压硅MOSFET的开关频率。之前的文章中,我们介绍了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何优化SiC栅极驱动电路 。今天将带来本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封装、系统性能和应用 。 封装 WBG半导体使高压转换器能够在更接近
2023-11-09 10:10:02334 SiC设计干货分享(一):SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
2023-12-05 17:10:21439 SiC MOSFET的桥式结构
2023-12-07 16:00:26157 怎么提高SIC MOSFET的动态响应? 提高SIC MOSFET的动态响应是一个复杂的问题,涉及到多个方面的考虑和优化。在本文中,我们将详细讨论如何提高SIC MOSFET的动态响应,并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET在电路中的作用是什么? SIC MOSFET(碳化硅场效应晶体管)是一种新型的功率晶体管,具有较高的开关速度和功率密度,广泛应用于多种电路中。 首先,让我们简要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13687 利用 SiC 功率器件开关频率高、开关损耗低等优点, 将 SiC MOSFET 应用于水下航行器大功率高速电机逆变器模块, 对软硬件进行设计。
2024-03-13 14:31:4668
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