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LM5113-Q1系列用于 GaNFET 的汽车级 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器数据手册

LM5113-Q1 旨在以同步降压、升压或半桥配置驱动汽车应用中的高压侧和低压侧增强型氮化镓（GaN） FET 或硅 MOSFET。该器件具有集成的 ...

2025-05-19 标签：MOSFET 氮化镓 GaN 673 0

LMG1205 适用于GaNFET和MOSFET的1.2A、5A、90V、具有 5V UVLO 的半桥栅极驱动器数据手册

该 LMG1205 设计用于在同步降压、升压或半桥配置中驱动高压侧和低压侧增强型氮化镓（GaN） FET。该器件具有集成的 100V 自举二极管以及用...

2025-05-19 标签：MOSFET UVLO GaN 560 0

UCC5320 3k/5kVrms、2A/2A 单通道隔离栅极驱动器，UVLO 以 GND 或分离输出为基准数据手册

UCC53x0 是单通道隔离式栅极驱动器系列，设计用于驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET （UCC5350SBD）。...

2025-05-19 标签：MOSFET UVLO GaN 586 0

LMG1020 具有 5V UVLO 的 7A/5A 单通道栅极驱动器数据手册

LMG1020 器件是一款单通道低侧驱动器，设计用于在高速应用中驱动 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET，包括 LiDAR、飞行时间、面部识别以及...

2025-05-19 标签：MOSFET FET GaN 828 0

基于德州仪器TOLL封装GaN器件优化电源设计

当今的电源设计要求高效率和高功率密度。因此，设计人员将氮化镓 (GaN) 器件用于各种电源转换拓扑。

2025-05-19 标签：电源设计封装 GaN 927 0

UCC21540A 5.7kVrms，4A/6A双通道隔离栅极驱动器数据手册

UCC2154x 是一款隔离式双通道栅极驱动器系列，具有高达 4A/6A 的峰值拉/灌电流，可驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。采用...

2025-05-24 标签：MOSFET 晶体管 GaN 453 0

LMG1025-Q1 具有 5V UVLO 的汽车类 7A/5A 单通道低侧栅极驱动器数据手册

LMG1025-Q1 是一款单通道低侧增强型 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 驱动器，适用于高开关频率汽车应用。窄脉冲宽度能力、快速开关规格和...

2025-05-17 标签：二极管 MOSFET 驱动器 744 0

UCC21540-Q1 汽车5.7kVRMS，4A/6A双通道隔离栅极驱动器数据手册

UCC21540-Q1 器件是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有可编程死区时间和宽温度范围。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳健性。它采用 4 A...

2025-05-17 标签：可编程晶体管 GaN 726 0

UCC21540A-Q1 汽车5.7kVrms，4A/6A双通道隔离栅极驱动器，具有5V UVLO和3.3mm通道间距数据手册

UCC21540-Q1 器件是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有可编程死区时间和宽温度范围。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳健性。它采用 4 A...

2025-05-16 标签：晶体管 UVLO GaN 531 0

UCC27444-Q1 具有 -5V 输入能力的汽车类 4A 双通道低侧栅极驱动器数据手册

UCC27444-Q1 是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 GaN 功率开关。UCC27444-Q1 的典型峰值驱动强度为...

2025-05-16 标签：MOSFET 功率开关电源开关 531 0

UCC27332-Q1 具有 20V VDD 和使能功能的汽车类 9A/9A 单通道栅极驱动器数据手册

UCC27332-Q1 是一款单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效驱动 MOSFET 和 GaN 功率开关。UCC27332-Q1 的典型峰值驱动强度...

2025-05-16 标签：MOSFET 功率开关电源开关 499 0

UCC27444 具有-5V输入能力的 4A 双通道低侧栅极驱动器数据手册

UCC27444 是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 GaN 功率开关。UCC27444-Q1 的典型峰值驱动强度为 4 ...

2025-05-15 标签：MOSFET 功率开关 GaN 633 0

快充电源IC U8731的工作原理

GaN器件采用二维电子气结构，能够提供更高的电子迁移率和导电性能，因此适用于高频应用，可以实现更高效的功率转换。深圳银联宝科技研发生产的快充电源ic U...

2025-05-15 标签：GaN 电源IC 快充 733 0

TPS7H6023-SP 抗辐射 QMLV 22V 半桥 GaN 栅极驱动器数据手册

TPS7H60x3-SP 系列抗辐射保证（RHA）氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）栅极驱动器专为高频、高效率应用而设计。该系列包括 T...

2025-05-15 标签：FET 场效应晶体管 GaN 569 0

GaN与SiC功率器件深度解析

本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。...

2025-05-15 标签：半导体功率器件 SiC 1.5k 0

UCC21231 具有 4A 拉电流和 6A 灌电流的高速双通道隔离式栅极驱动器数据手册

UCC21231 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳健性。UCC21231 采用 ...

2025-05-15 标签：可编程晶体管 GaN 562 0

使用基于GaN的OBC应对电动汽车EMI传导发射挑战

本期，为大家带来的是《使用基于 GaN 的 OBC 应对电动汽车 EMI 传导发射挑战》，将深入回顾 CISPR 32 对 OBC 的 EMI 要求，同...

2025-05-24 标签：电动汽车滤波器 emi 4.2k 0

氮化镓PD快充芯片U8733产品概述

芯片‌恒功率控制，意味着无论负载变化如何，系统都能保持恒定的输出功率，确保设备在各种工作条件下都能稳定运行。当检测到系统温度过高时，主动降功率功能会启动...

2025-05-10 标签：氮化镓 GaN 快充芯片 833 0

氮化镓电源IC U8723AHS产品介绍

恒功率电源芯片具有稳压、高效、过载保护等特性，适用于一些功率要求严格的应用场景，如充电器、LED驱动器、电动工具等。今天推荐的深圳银联宝带恒功率集成高压...

2025-05-07 标签：氮化镓 GaN 电源芯片 594 0

如何最大限度地扩大基于氮化镓 (GaN) 功率放大器的雷达系统的探测距离

雷达已成为军事监视、空中交通管制、太空任务和汽车安全等无数应用领域不可或缺的设备。对于设计人员来说，最具挑战性的情况是远程雷达，因为在这种情况下，返回信...

2025-04-30 标签：氮化镓 GaN 3.5k 0

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