TPS7H6023-SP 抗辐射 QMLV 22V 半桥 GaN 栅极驱动器数据手册-电子发烧友网

TPS7H60x3-SP 系列抗辐射保证（RHA）氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）栅极驱动器专为高频、高效率应用而设计。该系列包括 TPS7H6003-SP（额定电压 200V）、TPS7H6013-SP（额定电压 60V）和 TPS7H6023-SP（额定电压 22V）。驱动器具有可调死区时间能力、30ns 的小传播延迟以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高压侧和低压侧 LDO，无论电源电压如何，都能确保 5V 的驱动电压。TPS7H60x3-SP 驱动器均具有分离栅极输出，可灵活地独立调整输出的导通和关断强度。
*附件：tps7h6023-sp.pdf

TPS7H60x3-SP 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式（IIM）和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入控制。在 PWM 模式下，单个输入产生两个互补输出信号，用户可以调整每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还在独立输入模式下提供用户可配置的输入互锁，作为防击穿保护。当两个输入同时打开时，输入互锁不允许两个输出打开。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护，这允许驱动器在许多不同的转换器配置中使用。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。

特性

辐射性能：
- 抗辐射强度（RHA）高达 100krad（Si）的总电离剂量（TID）
- 单粒子闩锁（SEL）、单粒子燃尽（SEB）和单粒子栅极破裂（SEGR）不受线性能量传递（LET）的影响 = 75MeV-cm2/mg
- 单粒子瞬态（SET）和单粒子功能中断（SEFI）的特性高达 LET = 75MeV-cm2/mg
1.3A 峰值拉电流，2.5A 峰值灌电流
两种作模式：
- 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
- 两个独立的输入
独立输入模式下的可选输入互锁保护
用于可调开启和关闭时间的分离输出
独立输入模式下 30ns 的典型传播延迟
5.5ns 典型延迟匹配

参数

方框图

一、产品概述

‌产品名称‌：TPSH-SP
‌类型‌：辐射硬化保证（RHA）.A峰值源电流，.A峰值沉电流，半桥GaN FET栅极驱动器
‌应用‌：适用于空间卫星电源、通信载荷、命令与数据处理、光学成像载荷以及卫星电力系统等

二、主要特性

‌辐射性能‌：
- 总电离剂量（TID）保证高达krad(Si)
- 对单事件闩锁（SEL）、单事件烧毁（SEB）、单事件栅极击穿（SEGR）免疫，线性能量转移（LET）阈值达MeV-cm²/mg
- 单事件瞬态（SET）和单事件功能中断（SEFI）特性高达LET = MeV-cm²/mg
‌操作模式‌：
- 单PWM输入，带可调死区时间
- 两个独立输入
- 可选输入互锁保护（独立输入模式）
- 分裂输出，用于独立调整开通和关断时间
‌电气性能‌：
- 典型传播延迟ns（独立输入模式）
- .ns典型高低侧延迟匹配
- 高达.A峰值源电流，.A峰值沉电流

三、保护功能

‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：所有内部线性调节器和输入电压均具备UVLO保护
‌可编程死区时间‌：通过外部电阻设置
‌输入互锁保护‌：在独立输入模式下可选，防止射穿

四、电气规格

‌输入电压范围‌：V至V
‌输出电压‌：V（由内部线性调节器提供）
‌电气特性‌：
- 低侧和高侧静态电流
- 输出高低电平电压
- 峰值源电流和沉电流
- UVLO阈值及滞回
- 可编程死区时间范围

五、功能描述

‌输入电压与线性调节器‌：
- 输入电压为V至V，用于驱动两个低侧线性调节器（BPL和BPL）和一个高侧线性调节器（BPH）
- BPL和BPL分别提供V和V输出，BPH提供V输出以驱动GaN FET栅极
‌自举操作‌：
- 支持多种自举电容充电方法，包括通过内部自举开关或直接使用VIN充电
- 需要外部自举二极管和电阻
‌死区时间控制‌：
- 在PWM模式下，通过外部电阻设置高低侧输出之间的死区时间
‌输入互锁保护‌：
- 在独立输入模式下可选，通过特定引脚配置启用或禁用