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PMP31349 具有GaN开关的30V至60V输入、240W 降压转换器参考设计

此参考设计是一种可从标称 48V 电池输入（30V 至 60V 范围）生成 12V 稳压输出的电源。该电路设计为支持 20A 的连续输出电流。LM514...

2025-02-21 标签：电源降压转换器 GaN 679 0

TI LMG2100R044 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET

LMG2100R044 器件是一款 90V 连续、100V 脉冲、35A 半桥功率级，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN） FET。该器件由两个 ...

2025-02-21 标签：FET 氮化镓 GaN 881 0

LMG3624评估模块LMG3624EVM-081符合 USB Type-C® PD 标准的 65W 准谐振反激式转换器

LMG3624EVM-081 采用具有电流检测仿真功能的 LMG3624 集成式 GaN FET，展示了 65W USB Type-C® 电力输送 (P...

2025-02-20 标签：电流检测 GaN 接口控制器 771 0

TI LMG3624 具有集成式驱动器和电流检测仿真功能的 650V 170mΩ GaN FET技术文档

LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。LMG3624 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装...

2025-02-20 标签：电源 FET GaN 824 0

TI LMG3624 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V 170mΩ GaN FET

LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。LMG3624 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装...

2025-02-20 标签：电源 ti FET 790 0

TI LMG2610用于有源钳位反激式转换器的集成 650V GaN 半桥技术文档

LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥，适用于开关模式电源应用中 < 75W 的有源钳位反激式 (ACF) 转换器。LMG...

2025-02-20 标签：电源 FET GaN 735 0

TI LMG2610详解具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥

2025-02-20 标签：转换器 ti FET 885 0

GaN FET在人形机器人中的应用

从科幻走入现实，人形机器人正经历一场静默而深刻的技术革命：更高效的能源控制、更精准的运动算法、更高速的通信架构、更智能的环境感知能力......这些变革...

2025-02-19 标签：伺服电机 FET GaN 2k 0

垂直氮化镓器件的最新进展和可靠性挑战

过去两年中，氮化镓虽然发展迅速，但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时，不少垂直氮化镓的初创企业倒闭或者卖盘，这引发大家对垂直氮化镓未来的担忧。为此，在本文中，...

2025-02-17 标签：晶体管功率器件氮化镓 1.9k 0

目前GaN正逐渐广泛应用的四个主要中电压领域

这篇技术文章由德州仪器（TEXAS INSTRUMENTS）的 Srijan Ashok 撰写，主要介绍了中电压氮化镓（GaN）在四种应用领域的优势和应...

2025-02-14 标签：氮化镓 GaN 1.1k 0

UCG28826 中文数据手册具有集成式 GaN (65W) 的自偏置高频 QR 反激式转换器

UCG28826 是一款高频准谐振反激式转换器，内置 170mΩ GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)，可将交流电转换为直流电，适用于高达 65W的电...

2025-01-21 标签：反激式转换器 GaN 1.5k 0

垂直与横向GaN功率器件单片集成的高效隔离技术

垂直和横向氮化镓(GaN)器件的集成可以成为功率电子学领域的一次革命性进展。这种集成能够使驱动和控制横向GaN器件与垂直功率器件紧密相邻。在本文中，我们...

2025-01-16 标签：MOS 功率器件 GaN 1.2k 0

远山半导体1700V GaN器件的特性测试方案

远山半导体在连续推出几款高压GaN器件后，最终将他们最新款产品的额定电压推向1700V，相较于之前的1200V器件又有了显著的提升。为了解决GaN器件常...

2025-01-14 标签：功率器件 SiC GaN 1.8k 0

利用用于多相偏置解决方案的 GMR10Dx 模块优化工业电机控制系统中的功率控制器

作者：Ganmar Technologies 2024-12-12 本文探讨了开发可靠安全的多相功率控制器所面临的设计挑战和主要考虑因素。文中利用具有浮...

2025-01-25 标签：驱动器 GaN 功率控制器 1.2k 0

嵌入PCB术语拓展

一、术语 1、SiP：System-in-Package SiP是一种先进的封装技术，它将多个半导体器件、集成电路（IC）或其他电子组件，以及必要的辅助...

2025-01-08 标签：pcb SiP qfn 2.1k 0

安森美解读SiC制造都有哪些挑战？粉末纯度、SiC晶锭一致性

硅通常是半导体技术的基石。然而，硅也有局限性，尤其在电力电子领域，设计人员面临着越来越多的新难题。解决硅局限性的一种方法是使用宽禁带半导体。本文为白皮...

2025-01-05 标签：安森美 SiC GaN 2.6k 0

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驱动电流分档功能‌是指通过配置不同的分压电阻值来调节驱动电流的档位，从而优化系统的EMI性能和效率。这种功能通常集成在电源管理芯片中，如电源管理芯片U8...

2024-12-30 标签：封装 FET GaN 1.7k 0

TI的UCG28826无辅助绕组 GaN 反激式转换器如何解决交流/直流适配器设计难题

人们对更小、更高效电源的需求不断增长，进而推动着基于氮化镓 (GaN) 的功率级快速普及。在交流/直流适配器市场中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式转...

2024-12-18 标签：德州仪器 ti 适配器 1.9k 0

广芯微600W双向DC-DC升降压转换平台方案

广芯微电子(广州)股份有限公司于2024年12月宣布推出基于其UM32G421微处理器芯片打造的600W高效率双向DC-DC升降压转换参考开发平台，集成...

2024-12-14 标签：转换器微处理器 DC-DC 3.1k 0

45W电源芯片U8765的高压启动功能

高压启动是电源芯片在工作中启动的一种方式，通常是在电源芯片启动时加入一个高压信号，使其能够快速地进入正常工作状态。45W电源芯片U8765集成了高压启动...

2024-12-12 标签：驱动电路 GaN 电源芯片 1.6k 0

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5G网络作为最新一代的移动互联网通讯技术，相对4G而言，网速更快；5G手机是指使用第五代通信系统的智能手机。相对4G手机，5G手机有更快的传输速度，低时延，通过网络切片技术，拥有更精准的定位。
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　　智能工业：是将具有环境感知能力的各类终端、基于泛在技术的计算模式、移动通信等不断融入到工业生产的各个环节，大幅提高制造效率，改善产品质量，降低产品成本和资源消耗，将传统工业提升到智能化的新阶段。
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三星集团是韩国最大的企业集团，包括85个下属公司及若干其他法人机构，在近70个国家和地区建立了近300个法人及办事处，员工总数20余万人，业务涉及电子、金融、机械、化学等众多领域。
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蓝牙5.0是由蓝牙技术联盟在2016年提出的蓝牙技术标准，蓝牙5.0针对低功耗设备速度有相应提升和优化，蓝牙5.0结合wifi对室内位置进行辅助定位，提高传输速度，增加有效工作距离。
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