安森美SiC MOSFET NTBG025N065SC1：高效能功率器件的卓越之选

在功率半导体领域，碳化硅（SiC）MOSFET凭借其出色的性能逐渐成为众多应用的首选。今天就来深入探讨安森美（onsemi）推出的一款SiC MOSFET——NTBG025N065SC1。

文件下载：NTBG025N065SC1-D.PDF

产品特性亮点

低导通电阻

这款MOSFET具有极低的导通电阻，典型值在不同栅源电压下表现优异。在(V{GS}=18V)时，典型(R{DS(on)})为(19mOmega)；当(V{GS}=15V)时，典型(R{DS(on)})为(25mOmega)。低导通电阻意味着在导通状态下的功率损耗更小，能够有效提高系统效率。

低栅极电荷与输出电容

超低的栅极电荷(Q{G(tot)} = 164nC)和低输出电容(C{oss}=278pF)，使得该器件在开关过程中能够快速响应，减少开关损耗，提高开关频率，从而有助于缩小系统体积和降低成本。

高可靠性

经过100%雪崩测试，能够承受较高的雪崩能量，确保在恶劣的工作环境下依然稳定可靠。工作结温可达(175^{circ}C)，并且符合RoHS标准，环保又安全。

典型应用场景

该器件适用于多种功率应用领域，如开关模式电源（SMPS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及能量存储系统等。在这些应用中，SiC MOSFET的高性能能够显著提升系统的效率和可靠性。

关键参数解读

最大额定值

参数	条件	符号	值	单位
漏源电压	(T_{J}=25^{circ}C)	(V_{DSS})	650	V
栅源电压	(T_{J}=25^{circ}C)	(V_{GS})	-8/+22	V
推荐栅源电压工作值	(T_{C}<175^{circ}C)	(V_{GSop})	-5/+18	V
连续漏极电流（稳态，(T_{C}=25^{circ}C)）		(I_{D})	106	A
功率耗散（稳态，(T_{C}=25^{circ}C)）		(P_{D})	395	W
连续漏极电流（稳态，(T_{C}=100^{circ}C)）		(I_{D})	75	A
功率耗散（稳态，(T_{C}=100^{circ}C)）		(P_{D})	197	W
脉冲漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）		(I_{DM})	284	A
工作结温和存储温度范围		(T{J},T{stg})	-55 to +175	(^{circ}C)
源极电流（体二极管）		(I_{S})	83	A
单脉冲漏源雪崩能量（(I{L}=11.2A{pk},L = 1mH)）		(E_{AS})	62	mJ
焊接时最大引脚温度（距外壳1/8″，10秒）		(T_{L})	260	(^{circ}C)

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。同时，热阻等参数会受到整个应用环境的影响，并非固定不变。

热特性

• 结到外壳的热阻(R_{theta JC})典型值为(0.38^{circ}C/W)。
• 结到环境的热阻(R_{theta JA})为(40^{circ}C/W)（在特定条件下）。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压(V{(BR)DSS})在(V{GS}=0V)，(I_{D}=1mA)时为(650V)，其温度系数为(0.15V/^{circ}C)。
• 零栅压漏极电流(I{DSS})在(V{DS}=650V)，(V{GS}=0V)，(T{J}=25^{circ}C)时为(10mu A)，(T_{J}=175^{circ}C)时为(1mA)。
• 栅源泄漏电流(I{GSS})在(V{GS}= +18/ - 5V)，(V_{DS}=0V)时为(250nA)。

导通特性

• 栅极阈值电压(V{GS(TH)})在(V{GS}=V{DS})，(I{D}=15.5mA)时，范围为(1.8 - 4.3V)。
• 推荐栅极电压(V_{GOP})为(-5 + 18V)。
• 漏源导通电阻(R{DS(on)})在不同条件下有不同值，如(V{GS}=15V)，(I{D}=45A)，(T{J}=25^{circ}C)时为(25mOmega)；(V{GS}=18V)，(I{D}=45A)，(T{J}=25^{circ}C)时为(19 - 28.5mOmega)；(V{GS}=18V)，(I{D}=45A)，(T{J}=175^{circ}C)时为(24mOmega)。
• 正向跨导(g{FS})在(V{DS}=10V)，(I_{D}=45A)时为(27S)。

电荷、电容与栅极电阻

• 输入电容(C{ISS})在(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V_{DS}=325V)时为(3480pF)。
• 输出电容(C_{OSS})为(278pF)。
• 反向传输电容(C_{RSS})为(25pF)。
• 总栅极电荷(Q{G(TOT)})在(V{GS}= - 5/18V)，(V{DS}=520V)，(I{D}=45A)时为(164nC)。
• 栅源电荷(Q{GS})为(48nC)，栅漏电荷(Q{GD})为(48nC)。
• 栅极电阻(R_{G})在(f = 1MHz)时为(1.5Omega)。

开关特性

• 开通延迟时间(t{d(ON)})在(V{GS}= - 5/18V)，(V{DS}=400V)，(I{D}=45A)，(R_{G}=2.2Omega)，感性负载下为(17ns)。
• 上升时间(t_{r})为(19ns)。
• 关断延迟时间(t_{d(OFF)})为(32ns)。
• 下降时间(t_{f})为(8ns)。
• 开通开关损耗(E{ON})为(93mu J)，关断开关损耗(E{OFF})为(84mu J)，总开关损耗(E_{TOT})为(177mu J)。

源漏二极管特性

• 连续源漏二极管正向电流(I{SD})在(V{GS}= - 5V)，(T_{J}=25^{circ}C)时为(83A)。
• 脉冲源漏二极管正向电流(I{SDM})在(V{GS}= - 5V)，(T_{J}=25^{circ}C)时为(284A)。
• 正向二极管电压(V{SD})在(V{GS}= - 5V)，(I{SD}=45A)，(T{J}=25^{circ}C)时为(4.7V)。
• 反向恢复时间(t{RR})在(V{GS}= - 5/18V)，(I{SD}=45A)，(dI{S}/dt = 1000A/mu s)时为(25ns)。
• 反向恢复电荷(Q{RR})为(171nC)，反向恢复能量(E{REC})为(15.8mu J)，峰值反向恢复电流(I_{RRM})为(13.7A)。

封装与订购信息

该器件采用D2PAK - 7L封装，每盘800个，以卷带包装形式供货。

总结

安森美NTBG025N065SC1 SiC MOSFET凭借其低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性等优点，在功率应用领域具有很大的优势。电子工程师在设计开关模式电源、太阳能逆变器等系统时，可以充分考虑这款器件，以提高系统的性能和效率。不过，在实际应用中，还需要根据具体的工作条件对器件的参数进行验证和优化。大家在使用这款器件的过程中，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享。