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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。
3管动态RAM的工作原理3管动态RAM的基本存储电路。在这个电路中,读选择线和写选择线是分开的,读数据线和写数据线也是分开的。
写操作时,写选择线为“1”,所以Q1导通,要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极,并通过栅极电容在一定时间内保持信息。
读操作时,先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电,当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有“1”,则Q2导通,读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为“0”,正好和原存信息相反;若原存信息为“0”,则Q3尽管具备导通条件,但因为Q2截止,所以,CD上的电压保持不变,因而,读得的信息为“1”。可见,对这样的存储电路,读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相再送往 数据总线。
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。
3管动态RAM的工作原理3管动态RAM的基本存储电路。在这个电路中,读选择线和写选择线是分开的,读数据线和写数据线也是分开的。
写操作时,写选择线为“1”,所以Q1导通,要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极,并通过栅极电容在一定时间内保持信息。
读操作时,先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电,当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有“1”,则Q2导通,读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为“0”,正好和原存信息相反;若原存信息为“0”,则Q3尽管具备导通条件,但因为Q2截止,所以,CD上的电压保持不变,因而,读得的信息为“1”。可见,对这样的存储电路,读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相再送往 数据总线。
三星/SK海力士DRAM大幅扩产,恢复至削减前水平,存储新周期开启
电子发烧友网报道(文/吴子鹏)根据市场调研机构Omdia的研究报告,随着全球需求复苏,韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆...
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HBM供应商议价提前,2025年HBM产能产值或超DRAM 3分
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该报告显示,2023 年 HBM 在市场中的占比仅为 2%,但预计今年将增至 5%,明年则有望突破 10%;而在市场份额上,从去年的 8%上升至今年的 ...
SK海力士,作为全球领先的内存芯片制造商,正在积极考虑建设一家新的DRAM工厂。这一决策源于其现有的龙仁芯片集群投产计划的推迟,以及对今年内存芯片需求大...
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