三星电子业绩暴涨八倍，DRAM价格第二季度再涨30%

电子发烧友网报道（文/李弯弯）近期，三星电子公布了其第一季度初步业绩报告，数据令人瞩目：预计营业利润将达到57.2万亿韩元，与去年同期的6.69万亿韩元相比，增长了八倍以上，远超市场预期的40.6万亿韩元。同时，公司预计一季度总营收将增长68%，达到133万亿韩元。

这一业绩的飙升，主要得益于人工智能基础设施建设引发的芯片供应短缺及价格飙升，而三星电子凭借其在高带宽内存（HBM）领域的突破和传统内存市场的回暖，成功抓住了这一历史机遇。

由于生产线集中生产高附加值的HBM芯片，通用DRAM的产量相对减少，加剧了供应紧张。预计内存短缺将持续至2027年。根据最新数据，三星在2026年第一季度将DRAM平均价格上调了约100%，且已确定第二季度再涨价30%。SK海力士和美光科技也预计将提高HBM4价格，以应对成本上升和市场需求激增。


三星最新HBM4缩小与SK海力士差距

高带宽内存（HBM）是基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，通过垂直堆叠多个DRAM芯片并用硅通孔（TSV）互联，带宽提升、能耗降低。人工智能快速发展，算力需求大增，HBM成为AI服务器核心标配，解决了传统存储带宽瓶颈问题。

目前，三星电子、SK海力士、美光科技主导全球存储芯片供应，三家公司纷纷将产能转向用于AI加速器的HBM，收紧传统存储芯片供应，推动HBM市场快速增长。行业分析机构预测，到2026年，HBM市场规模将增长近60%，占DRAM市场近四成份额。

大约一年前，三星因在为英伟达AI芯片提供关键HBM方面落后于竞争对手，首席执行官曾公开致歉。不过，随着最新HBM4芯片推出，三星正逐步缩小与韩国对手SK海力士的差距。

在HBM4开发进度上，各公司竞争激烈。SK海力士于2025年完成HBM4开发并构建量产体系，计划年底量产。美光科技在2026年第一季度宣布量产36GB 12层堆叠的HBM4产品，并向客户发送48GB 16层堆叠样品。三星电子布局早有规划，2025年初完成HBM4内存逻辑芯片设计，10月在SEDEX 2025半导体博览会上首次公开展示。2026年2月三星宣布大规模生产HBM4并交付客户。

三星HBM4芯片性能卓越。采用第六代10nm级（1c）DRAM工艺与4nm逻辑制程，数据处理速度高达11.7Gbps（最高可扩展至13Gbps），单堆栈带宽最高达3.3TB/s，层堆叠容量36GB，未来16层堆叠可达48GB。还引入直触液冷（D2C）等先进散热方案，散热效率是风冷的3倍，有效应对高功耗问题。

架构优化上，三星同步开发混合键合（HCB）和TC - NCF（热压缩非导电薄膜）两种键合工艺，支持12层及16层堆叠，提升堆叠层数和性能。同时，HBM4支持定制化Base Die（逻辑底座），可与LPDDR内存直接连接，优化成本与延迟。

三星与英伟达、AMD等科技巨头达成合作。英伟达CEO黄仁勋在GTC开发者大会宣布与三星建立代工合作关系并提及HBM4芯片，2026年3月，英伟达在GTC 2026大会展示搭载三星HBM4的Vera Rubin平台，三星HBM4正式进入英伟达供应链。三星还与AMD达成合作，成为其企业数据中心用MI455X加速器主要供应商，提供HBM4，还将为相关系统供应DDR5内存芯片。

价格方面，三星计划将HBM4定价高于HBM3E，SK海力士预计也将提高HBM4价格。由于生产线集中生产高附加值HBM芯片，通用DRAM产量减少，供应紧张，预计内存短缺将持续至2027年。


AI推理带动传统内存需求反弹

随着AI大模型和AI Agent应用广泛普及，全球算力基础设施重心从“训练”转向“推理”。推理服务器虽无需极致的HBM，但对标准DDR5内存需求大增，庞大的数据吞吐促使服务器DRAM消耗量同比激增40%至50%。

DDR5与DDR4相比，性能更强、功耗更低，电压从1.2V降至1.1V，每通道32/40位（ECC）、总线效率提高，还增加预取的Bank Group数量以提升性能。三星已采用12纳米级工艺技术、硅通孔（TSV）和极紫外光刻（EUV）技术，开发出目前最大的1TB容量DDR5内存模组。

DDR5具有高达7200百万比特/秒（Mbps）的传输速度，有效处理对更大、更复杂数据工作量的需求。与DDR4相比，DDR5的性能提升了一倍多，突发长度从8翻倍至16，存储库数量从16翻倍至32。此外，DDR5还具备自纠错解决方案的强大可靠性，应用于DDR5的ODECC（片上纠错码）技术几乎消除了单比特错误，提高了数据可靠性。

三星的12纳米级DDR5 DRAM不仅性能出色，能效也显著提升。与上一代产品相比，其功耗降低了23%，晶圆生产率提高了20%。这使得DDR5成为全球IT企业服务器和数据中心节能减排的优秀解决方案。

AI推理不仅仅发生在云端，现在越来越多的AI功能被部署在本地设备（如AI PC、AI手机）上。为了在本地流畅运行大模型，消费级设备对内存容量和速度提出了更高要求，例如从DDR4加速向DDR5切换，对LPDDR5X需求增加。这直接拉动了三星在消费电子领域的传统内存出货。

三星电子推出的LPDDR5X是高性能低功耗DRAM产品的代表。该内存于2022年3月首次采用14nm工艺制造，传输速度较前代提升约1.2倍。2024年7月，其最新版本通过12nm工艺实现了10.7Gbps的业界最高传输速率，并在联发科天玑9400平台完成验证。

LPDDR5X内存已广泛应用于vivo S50、OPPO Find X9 Pro、荣耀WIN系列、iQOO Z11 Turbo、realme真我Neo8以及荣耀Magic8 RSR保时捷设计等智能手机，最高提供24GB容量。此外，三星发布的Exynos 2600芯片也支持LPDDR5X内存。苹果公司选定三星作为其iPhone 17及未来iPhone 18机型LPDDR5X内存芯片的供应商。

在PC领域，LPDDR5X内存同样表现出色。英特尔发布的酷睿Ultra 3系列Panther Lake处理器和高通技术公司发布的骁龙X2 Plus平台均支持LPDDR5X内存。三星通过动态电压频率调节技术优化功耗，并推出厚度仅0.65毫米的超薄封装版本，满足端侧AI设备的散热需求。


写在最后

在人工智能算力驱动下，半导体市场正经历颠覆性变化。AI基础设施成为未来十年半导体增长的核心引擎，其中GPU市场预计到2030年将达到3260亿美元。HBM作为AI服务器的核心标配，是解决传统存储带宽瓶颈的关键技术。三星通过推出HBM4芯片，不仅缩小了与竞争对手的差距，还巩固了其在AI内存市场的地位。

同时，传统内存需求在AI推理的带动下反弹，服务器端对通用DRAM的需求激增，边缘AI也推动了PC和手机的升级。三星的DDR5和LPDDR5X内存凭借出色的性能和能效，满足了市场对高性能内存的需求，进一步推动了三星业绩的增长。

展望未来，存储已成为AI基础设施的核心资源。面对指数级增长的内存需求，三星等存储原厂正将新增产能重点投向HBM等高端产品，同时优化传统DRAM的产能布局。随着人工智能从生成式迈向智能体时代，内存正成为制约发展的关键瓶颈。产业界已开始探索如高带宽闪存（HBF）等新型存储方案，以应对未来高性能设备的需求。