这款符合 JEDEC SSTE32882 标准的 28 位 1:2 或 26 位 1:2 和 4 位 1:1 寄存时钟驱动器,具有奇偶校验功能,设计用于在 VDD1.5 V 和 DDR3L 寄存器 DIMM 上 VDD1.35 伏。
所有输入均兼容 1.5 V 和 1.35 V CMOS。所有输出都是经过优化的 CMOS 驱动器,可在 DDR3 RDIMM 应用中驱动端接走线上的 DRAM 信号。时钟输出 Yn 和 Yn 以及控制网络输出 DxCKEn、DxCSn 和 DxODTn 可以以不同的强度和偏斜驱动,以优化信号完整性、补偿不同的负载并均衡信号传输速度。
*附件:sn74ssqea32882.pdf
该SN74SSQEA32882具有与四芯片选择使能 (QCSEN) 输入相关的两种基本作模式。当QCSEN输入引脚开路(或拉高)时,该元件有两个芯片选择输入DCS0和DCS1,以及每个芯片选择输出的两个拷贝,QACS0、QACS1、QBCS0和QBCS1。这是“禁用 QuadCS”模式。当QCSEN输入引脚拉低时,该元件有四个芯片选择输入DCS[3:0]和四个芯片选择输出QCS[3:0]。这是“启用 QuadCS”模式。在本规范的其余部分,DCS[n:0]将指示所有芯片选择输入,其中n=1表示禁用QuadCS,n=3表示启用QuadCS。QxCS[n:0] 将指示所有芯片选择输出。
该器件还支持将单个器件安装在 DIMM 背面的模式。如果MIRROR=HIGH,则在这种情况下,输入总线终端(IBT)必须对所有输入信号保持启用状态。
SN74SSQEA32882采用差分时钟(CK和CK)工作。数据记录在 CK 变高和 CK 变低的交叉点处。该数据可以重新驱动到输出端,也可用于访问设备内部控制寄存器。
输入总线数据完整性由奇偶校验功能保护。将所有地址和命令输入信号相加,并将总和的最后一位与系统在一个时钟周期后PAR_IN输入端提供的奇偶校验信号进行比较。如果它们不匹配,器件将拉开漏输出 ERROUT LOW。控制信号(DCKE0、DCKE1、DODT0、DODT1、DCS[n:0])不属于此计算的一部分。
该SN74SSQEA32882实现了不同的省电机制,以减少热功耗并支持系统断电状态。通过禁用未使用的输出,功耗进一步降低。
该封装经过优化,可支持高密度 DIMM。通过将输入和输出位置对齐 DIMM 手指信号排序和 SDRAM 球出,该器件可以对 DIMM 走线进行去扰乱,从而实现低串扰设计和低互连延迟。
边沿控制输出可减少振铃并改善SDRAM输入端的信号眼图开度。
特性
- 符合 JEDEC SSTE32882标准
- 1 对 2 寄存器输出和 1 对 4 时钟对输出支持
堆叠式 DDR3 RDIMM - CKE 掉电模式可优化系统功耗
- 1.5V/1.35V锁相环时钟驱动器,用于缓冲一个
差分时钟对(CK和CK)并分配
到四个差分输出 - 1.5V/1.35V CMOS输入
- 检查命令和地址(CS 门控)数据输入的奇偶校验
- 可配置的驱动器强度
- 使用内部反馈回路
- 应用
- DDR3 寄存器 DIMM,最高可达 DDR3-1600
- DDR3L 寄存器 DIMM,最高可达 DDR3L-1333
- 单列、双列和四列 RDIMM
参数

1. 产品概述
SN74SSQEA32882 是一款符合 JEDEC SSTE32882 标准的 28 位至 56 位注册缓冲器,集成地址奇偶校验功能和 1:4 差分时钟 PLL 驱动器,专为 DDR3/DDR3L 寄存式 DIMM(RDIMM)设计。
- 工作电压:支持 DDR3(1.5V)和 DDR3L(1.35V)。
- 核心功能:
- 1:2 寄存器输出和 1:4 时钟对输出,支持堆叠式 DDR3 RDIMM。
- 奇偶校验保护命令和地址输入数据。
- 可配置驱动强度和时钟相位调整。
2. 关键特性
- 低功耗设计:支持 CKE 省电模式,可禁用未使用的输出以降低功耗。
- 时钟驱动:通过内部 PLL 缓冲 1 对差分时钟(CK/CK)并分配至 4 对差分输出。
- 模式配置:
- QuadCS 模式:通过 QCSEN 引脚选择 2 或 4 个片选信号(DCS/QCS)。
- 镜像模式:支持背对背安装(MIRROR=HIGH)。
3. 应用场景
- DDR3 RDIMM(最高 DDR3-1600)和 DDR3L RDIMM(最高 DDR3L-1333)。
- 单/双/四列 RDIMM 模块。
4. 封装与引脚
- 封装:176 球 BGA(8mm×13.5mm,0.65mm 球间距),优化高密度 DIMM 布局。
- 引脚配置:
- 支持前/后配置(通过 MIRROR 引脚选择)。
- 保留引脚(如 A9、W7)需悬空或焊盘预留。
5. 电气特性
- 绝对最大额定值:
- 电源电压:-0.4V 至 +1.975V。
- 工作温度:依速度等级不同(DDR3-800 至 DDR3-1600)为 +103°C 至 +109°C。
6. 附加信息
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