BLP15M9S30GBLP15M9S30G 功率LDMOS晶体管30 W 通用 LDMOS RF 功率晶体管，适用于 HF 至 2 GHz 频段的广播和 ISM 应用。BLP15M9S30G 特点
2024-02-29 19:33:48
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅单晶上根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)；选用 0.25 μm 栅极尺寸制作工艺。与硅相比较
2024-02-27 14:09:50
Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化镓HEMTQorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) HEMT（高电子迁移率晶体管
2024-02-26 22:58:56
µm碳化硅基氮化镓生产工艺制造而成。 该器件专门设计用于高频和射频功率 (30W) S波段和X波段传输线性功率处理。其余为宽带 (≥11GHz) 低通接
2024-02-26 18:27:09
Qorvo QPC2511 30W GaN SP3T开关Qorvo QPC2511 30W GaN（氮化镓）SP3T开关是一款单刀三掷开关，采用专有的QGaN15 0.15µm碳化硅基氮化镓生产工艺
2024-02-26 18:26:13
前言：在如今快节奏生活不断蔓延的背景下，人们对各种事情的处理也渐渐地开始要求在保证质量的情况下，不断加快。手机快充就是一个典型的例子，从开始的18W，30W快充，到现在已经有240W的超级快充出现
2024-02-24 19:04:46
1190 
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121来驱动氮化镓半桥电路，采样的全隔离的驱动方案，但是现在上管的驱动电压随输入电压的升高而升高，不知道为啥？是因为驱动芯片的原因吗？上管是将5V的输入电压由B0515隔离芯片转化
2024-01-11 06:43:50
近年来，随着移动设备的普及和科技的不断进步，人们对于充电速度和电池续航能力的需求也越来越高。PD快充和氮化镓的出现，对于满足人们对于充电速度和电池效能的需求起到了重要作用。本文将从技术原理、特性
2024-01-10 10:34:031491 按照典型电路的设计，能否实现30W左右的TEC驱动，除了芯片的供电外还需要外接电源吗？
2024-01-08 11:22:17
事通讯设备产品规格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管最低频率(MHz)：0最高频率(MHz)：2000最高值输出功率(W)：200增益值(分贝)：24.0效率（％）：70额定电压(V)：27类型：封装分立晶体管封装类别：法兰盘、丸状技术应用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
PD快充诱骗芯片，顾名思义，就是通过LDR6328Q PD取电芯片把pd适配器的电压给诱骗出来固定给后端设备供电。 PD诱骗芯片是受电端的一种PD协议芯片，它内置了PD通讯模块，通过与供电端（如PD
2023-12-29 15:28:22798 
Sumitomo 是全球最大的射频应用氮化镓 (GaN) 器件供应商之一。住友氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信
2023-12-15 17:43:45
用了几次来说说使用感受。首先这款恒温电烙铁升温速度很快，标称30W其实感觉有50W的效果。相当不错的一款快速恒温电烙铁。
2023-12-13 11:18:44
随着移动设备的普及和技术的不断进步，充电器作为我们日常生活中必不可少的配件之一，也在不断演进。其中，PD（Power Delivery）充电器作为一种新一代的充电技术，正逐渐受到广大用户的关注和喜爱
2023-12-12 10:12:59329 
随着移动设备的普及和技术的不断进步，充电器作为我们日常生活中必不可少的配件之一，也在不断演进。其中，PD（PowerDelivery）充电器作为一种新一代的充电技术，正逐渐受到广大用户的关注和喜爱
2023-12-12 08:08:36423 
氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片，它被广泛应用于高功率和高频率应用领域，如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302310 使用频率的大幅度提升给智能手机的技术发展带来了更高的要求，智能快充市场也随之爆火。GaN给智能快充领域带来了不少新机会，同时也进入了多个新的应用场景。深圳银联宝科技新推出集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式PD 30W快速充电器芯片U8722，可以更好的提高充电效率！
2023-11-14 09:10:45430 IP2363正式发布了IP2363 是一款升降压充电管理IC ,支持2~5节电池充电， 集成 PD3.0和 DP&DM输入快充协议, 充电功率高达 30W。附件是IP2363规格书，DEMO
2023-11-01 20:04:50
4 弄了一个DS1305的时钟，驱动成功后很高兴 ，很快就发现问题，有半天的时间，这个芯片的时间就可以快出20S左右的时间，几天前烧的程序，现在已经快到2分钟左右了。感觉是不是有点太离谱了。各位前辈有没有这样的问题，有没有解决方法
2023-10-30 06:19:31
SP9683高频准谐振、集成650V氮化镓功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
高集成30W氮化镓合封芯片CX75GE030DI助力充电器轻松实现简化电源设计，CX75GE030DI内部集成了氮化镓功率管控制和驱动电路芯片，外围精简，能有效优化充电器体积。
2023-10-19 09:12:09359 展嵘同步整流芯片CR731014和协议芯片CR6126AQ。
这个方案适配了USB-A和USB-C两个口，功率最高能达到30W，因搭配使用的是内置COOLMOS的主控芯片，其具有更高的开关频率和更低的损耗。下面一起来看看相关的测评吧。
2023-10-11 16:05:45570 
30W单激PFC计算
2023-09-28 07:19:37
PS-1305S按键弹力曲线仪机台功能？|深圳市磐石测控仪器有限公司
2023-09-20 09:23:12746 
头IoT Power Charger来了！还有蓝牙5.3耳机~ 为感谢新老客户朋友的支持，合宙将陆续选择一些大家喜欢的产品上架，即日起特别征集新品建议： 您希望合宙上架什么产品，欢迎文末留言！ 1 合宙30W氮化镓充电头 合宙定制版30W氮化镓充电头 （ IoT Power Charger） —— 充电
2023-09-19 10:05:021193 
PS-1305S小型荷重试验机的优势所在？|深圳磐石测控
2023-09-19 09:20:52669 
近期，展嵘再次给电源适配器开发了新的方案，支持PD3.0的30W氮化镓充电头，一共有两个接口：A+C。该方案使用的是主控合封氮化镓SW1123+同步SW1655+协议CR6126AQ。
2023-09-18 16:45:082246 
。SW2505是一颗高集成的快充协议芯片，内部集成40MHz主频的ARM M0内核CPU，内置128KB Flash和4KB SRAM，具备I2C、UART、GPIO等通用接口。集成PD3.1/QC/UFCS
2023-09-18 15:52:03
IP2366 是一款高集成的同步开关充放电芯片，充电功率可高达100W,放电功率可以高达140W,IP2366内置温度检测，内置14bit ADC,支持PD3.1等多种快输入输出协议。支持2-6节
2023-09-08 18:53:28
集睿致远/ASL新推出的CS5466AN单芯片集成了，typec转HDMI+PD3.0+USB3.0，其中HDMI最高支持8k_30Hz高清视频输出，还支持最高PD100w快充功能。
2023-09-08 16:47:44463 
30W快充应用同步整流icU711X30W快充应用同步整流icU711X推荐应用范围：U7116，输出电压3~21V，输出电流≤3A；U7110，输出电压3~21V，输出电流≤4A，是一款高频率
2023-09-08 08:12:29457 
氮化镓（GaN）- 宽带隙（WBG）材料• GaN HEMT-高电子迁移率晶体管，代表着电力电子技术的重大进步• 用于更高的工作频率• 提高效率• 与硅基晶体管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
英集芯IP6520最大30WPD输出，集成快充输出协议的降压SOC支持DCP/QC2.0/QC3.0/QC3+/FCP/AFC/PD2.0/PD3.0(PPS)英集芯IP6520是一款集成同步开关
2023-09-05 21:16:111 英集芯IP6520最大 30W PD 输出，集成快充输出协议的降压 SOC 民信微支持 DCP/QC2.0/QC3.0/QC3+/FCP/AFC/PD2.0/PD3.0(PPS)英集芯IP6520
2023-09-05 21:14:13
降低了产品成本。搭载GaN的充电器具有元件数量少、调试方便、高频工作实现高转换效率等优点，可以简化设计，降低GaN快充的开发难度，有助于实现小体积、高效氮化镓快充设计。 Keep Tops氮化镓内置多种
2023-08-21 17:06:18
输出播放，可达到功率30W。同时它可以外接一个30W的无源副音箱，用在面积较大的场所。5寸进口全频低音喇叭、2.5寸进口高音喇叭。SV-7042XT作为网络广播播放系统的终端，可用于需要广播播放的场所，例如智慧城市、连锁酒店、教室、医院，包括景区等。 SV-7042XT设备有网络广播与本地扩音
2023-08-15 08:40:46505 此2x30W放大器电子电路项目采用LM4765立体声音频放大器IC设计，能够以小于30.8%THD+N的0Ω负载向每通道通常1W的连续平均输出功率提供。
每个放大器具有独立的平滑过渡淡入
2023-08-04 17:45:21
手机快充就是一个典型的例子，从开始的18W，30W快充，到现在已经有240W的超级快充出现。
2023-08-01 18:26:40787 
USB PD3.0相对于USB PD2.0的变化主要有三方面：增加了对设备内置电池特性更为详细的描述；增加了通过PD通信进行设备软硬件版本识别和软件更新的功能，以及增加了数字证书及数字签名功能。
2023-07-20 09:29:167328 
DDR-30系列是一款30W导轨型DC-DC转换器，其主要特点为导轨型安装便捷, 宽度仅为35mm的超薄设计,4:1的超宽范围输入电压、-40~+85℃的宽范围工作温度、4KVdc的输入/输出隔离、输出电压可调节(±10%)以及完整的保护功能等。
2023-07-12 11:19:56580 
深圳市三佛科技有限公司供应NCP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化镓快充电源IC，原装现货 型号：NCP1342品牌：安森美封装:SOIC-8 ,SOIC-9
2023-07-11 11:31:20
cs5466typec转hdmi 8k30hz+u3+pd方案
2023-07-10 11:25:51321 
。这款电源内置英诺赛科INN700TK350B氮化镓开关管，采用TO252封装，额定耐压为700V，瞬态耐压为800V，具有更多余量。电源支持90-264V输入电压
2023-07-05 22:38:44
深圳市三佛科技有限公司供应NCP1342原装65W氮化镓快充电源主控芯片，原装，库存现货热销 NCP1342原装65W氮化镓快充电源主控芯片特性集成高压启动电路，带停电检测集成X2电容放电
2023-07-05 15:38:22
深圳市三佛科技有限公司供应NCP1342安森美65W氮化镓PD充电器芯片，原装现货型号：NCP1342品牌：安森美封装:SOIC-8 SOIC-9 NCP1342
2023-07-05 15:24:23
2SK1305 数据表
2023-06-28 19:49:500 氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
采用氮化镓器件的高频PWM逆变器，其优势是实现更高的系统效率而无需使用电解电容器和输入电感器。
参考资料：
1Lidow, A., De Rooij, M., Strydom, J., Reusch
2023-06-25 13:58:54
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
IP2366 是一款高集成的同步开关充放电芯片，充电功率可高达140W,放电功率可以高达140W,IP2366内置温度检测，内置14bit ADC,支持PD3.1等多种快输入输出协议。支持2-6节
2023-06-16 20:00:09
通QC5认证100Ｗ氮化镓快充、麦多多100W氮化镓、OPPO 65W超级闪充氮化镓充电器、联想90W氮化镓快充、努比亚65W氮化镓充电器、倍思120W氮化镓+碳化硅PD快充充电器等数十款大功率充电器
2023-06-16 14:05:50
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例：高密度手机充电器•应用实例：高性能电机驱动器•应用示例；高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
的电压，其漏极漂移区为10-20μm，或大约40-80V/μm。这大大高于硅20V/μm的理论极限。然而，氮化镓器件目前仍然远远低于约300V/µm的禁带宽度极限，这为未来的优化和改进，留下了巨大的空间
2023-06-15 15:53:16
的存在。1875年，德布瓦博德兰（Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被发现镓，并以他祖国法国的拉丁语 Gallia (高卢)为这种元素命名它。纯氮化镓的熔点只有30
2023-06-15 15:50:54
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30
2023-06-15 15:47:44
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
氮化镓（GaN）作为第三代半导体器件，凭借其优异的性能，在PD快充领域被广泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 
UG5060-30 是一款应用频率在 5-6GHz 的氮化镓射频功率放大管，具有高效率、高增益的特性。这款放大管提供带法兰的封装形式，工作在 48V 供电模式。最大饱和功率35W，用于5.2G/5.8G 无人机干扰模块.
2023-05-31 18:41:12
UG4460-30F2 是一款 30W 应用频率高达 4.4~6GHz 的氮化镓射频功率放大管。这款放大管具有 高效率、高增益的特性。这款放大管提供带法兰的封装形式，工作在 28V 供电模式.在
2023-05-31 18:10:03
Cortex-M0 内核，最高工作频率为 40MHz，内置 64KB eFlash 、4KB SRAM，并支持 I2C 和 UART 通用外设接口。
且集成了 Type-C 接口逻辑，USB PD
2023-05-30 11:27:26
IN3261G+IN1305M同步是目前市面上最简洁的33W PD充电器方案之一 IN3261G IN3262G为高性能多模式 PWM 反激式控制器。该产品方便用户以较少的外围元器件、较低的系统成本
2023-05-22 09:08:56375 2SK1305 数据表
2023-05-11 19:27:000 供应CR5268TP 30W 低待机功耗的 CCM+PFM 混合电流模式PWM控制开关，更多产品手册、应用料资请向启臣微代理骊微电子申请。>>
2023-05-04 11:17:48
供应XPD938D30 65W和65W以内支持PD3.0的快充协议芯片，是富满微华南总代理，XPD913 集成同步开关降压控制器，内置功率 MOS。输出电压范围是 3.3V 到21V，能
2023-04-24 14:07:50
随着氮化镓功率器件在 PD快充领域的广泛应用，氮化镓功率器件已经成为了消费电子领域的新宠，应用范围也越来越广。氮化镓功率器件凭借着自身优异的性能和良好的热特性，被广泛应用于充电器、电源适配器
2023-04-21 11:00:201613 
PD快充方案一直是消费电子产品领域的重要话题，近年来由于智能手机等设备在人们的生活中的广泛应用，PD快充也得到了越来越多的关注。本文将介绍一种以65W氮化镓（1A2C）PD快充方案，来更好地满足消费者对快速充电的需求。
2023-04-19 16:06:031353 产品特色： 本产品是低成本、已量产的65W多口氮化镓PD快充头，可以与市场上18~65W的产品需求兼容，由于极优的价格，本产品与市场上的低功率充电器成本没有显著的价格差距，可以拿下
2023-04-12 17:34:59
——DB25接口，需连表头 10mW to 30W ——光谱范围：0.25至11μm ——热电偶型，适合中小功率激光器 ——DB25接口，需连表头 审
2023-04-11 07:37:45298 
充适配器、智能排插 提供完整的解决方案。IP6520内置功率 MOS，输入电压范围是7. 1V到 32 V，输出电压范围是3V 到 12 V，能提供最大18 W的输出功率，能够根据识别到快充协议自动
2023-04-07 20:48:19
1A2C-65W氮化镓（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V宽输入电压，输出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3.25A，内置MGZ31N65-650V氮化镓开关管；采用PD3.0协议IC。
2023-04-07 09:37:16570 智融SW3536是一颗支持1A1C双USB口输出的降压控制器芯片，内置多快充协议，支持双口功率盲插，支持双口独立限流。内置的同步降压转换器支持7A大电流输出，可使用氮化镓开关管，以获得更小的体积
2023-04-04 17:53:37
USB Type-C and PD Source Controller1、特性集成高性能MCU☆ 内置64KB程序存储器FLASH☆ 2KB数据存储器（SRAM）模拟特性☆ 集成恒压补偿环路（CV
2023-04-03 09:31:51
46626-1305
2023-03-29 22:45:39
CT3261
2023-03-29 22:33:58
FJ3261AB
2023-03-29 21:52:53
FJ3261BH
2023-03-29 17:20:59
WC-PD30B012-1
2023-03-28 18:08:14
FJ3261AH
2023-03-28 18:06:38
，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机功耗
2023-03-28 10:31:57
电压，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机
2023-03-28 10:24:46
电子发烧友App
工商网监
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