大功率场景的优质选择。
核心参数
功率：单节锂电 15W（5V/3A），双节锂电 30W（12V/2.5A）。
输入输出：输入 2.7-12V，输出最高 13V 且可调。
关键特性：内置低阻
2025-12-31 15:06:39
3.0、DP&DM等主流快充协议，最大支持30W充电功率，电压范围5V~20V。兼容三元锂电池（4.20V）和磷酸铁锂电池（3.65V）。内置同步升降压转换器，自动调
2025-12-31 09:56:59
产品应用多面性氮化镓是半导体领域后起之秀中的“六边形战士”，综合性能全面，而射频应用作为氮化镓的“王牌分支”，凭借出众的“高频、高功率、高效率、抗造”性能表现，在高频高功率场景中让传统硅基、砷化镓
2025-12-24 10:23:54
735 
在车载USB-C快充模块中，若需满足 30W高功率、低发热、车规级安全认证 三大核心需求，电容选型需从 耐压能力、ESR（等效串联电阻）、温度适应性、认证标准 四个维度综合考量。以下是具体分析： 一
2025-12-17 14:50:12145 超小型氮化镓模块电源，正式上市！这不仅是一次产品升级，更是为高密度、高性能应用量身打造的动力解决方案，重新定义15W级电源的尺寸、效率与可靠性标准。一、新品首秀1
2025-12-15 11:46:0298 
CHA8107-QCB两级氮化镓（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款两级氮化镓（GaN）高功率放大器
2025-12-12 09:40:25
30W氮化镓全电压认证方案1.方案介绍及产品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30
2025-11-28 17:18:042048 
在追求高效能、高可靠性功率半导体技术的道路上迈出关键一步，打破车规级功率半导体性能边界 近日，镓未来正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 车规级氮化镓场效应晶体管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 电子发烧友网站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化镓电源管理芯片技术手册.pdf》资料免费下载
2025-11-24 16:47:18
1 有限公司深谙此道，其推出的30W超小型系列模块电源，正是为满足这一核心需求而打造的标杆产品。该系列产品不仅具备全球通用电压输入、高转换效率、低温升等优势，更率先采用
2025-11-24 11:07:522005 中的性能差异源于材料物理特性，具体优劣势如下： 1. GaN（氮化镓）功放芯片 优势： 功率密度高：GaN 的击穿电场强度（3.3 MV/cm）是硅的 10 倍以上，相同面积下可承受更高电压（600V+）和电流，功率密度可达硅基的 3-5 倍（如 100W 功率下，GaN 芯片体积仅为硅基的 1/3）。 高
2025-11-14 11:23:573101 现在氮化镓材料技术比较成熟，芯源的MOS管也是用的氮化镓材料技术嘛？
2025-11-14 07:25:48
，其内部搭载了东科DK8710BD合封氮化镓芯片，分别支持100W和30W输出，还支持45W+45W、65W+30W等输出策略，满足包括米系用户在内的消费群体对高性
2025-11-13 10:27:082783 
新品第五代CoolGaN650-700V氮化镓功率晶体管G5第五代650-700VGaN氮化镓功率晶体管可实现高频工况下的效率提升，并满足最高质量标准，能够打造具有超高效率的高可靠性设计。该系
2025-11-03 18:18:052815 
在快充技术飞速发展的今天，65W功率档位已成为市场主流，而氮化镓技术的出现，正在重新定义充电器的尺寸与效能边界。仁懋电子推出的MOT1145GMOSFET，以其卓越性能为65W氮化镓快充方案注入
2025-10-15 17:41:294087 
PD3.0 和 DP&DM 输入快充协议和同步升降压转换器的锂电池充电管理芯片，充电功率高达 30W；IP2363 支持 2/3/4/5&n
2025-10-11 17:28:42
芯朋微PN8215主控芯片140W氮化镓充电器芯片
2025-09-26 11:36:58
英集芯IP5385是一款应用于充电宝、移动电源、手机、电动工具等充电方案的30W到100W双向充放电的移动电源管理SOC芯片。集成快充协议控制器（支持UFCS等主流协议）、同步升降压控制器、MCU、电量计量及LED/数码管显示驱动。支持30W-100W双向充放电。
2025-09-01 10:51:49944 
（15W）水平，若应用需超过15W，需要通过增加一节电池或选用驱动力更强的升压芯片来解决。下文将介绍的两款芯片均支持30W输出：FP5207X和FP7208。实测
2025-08-29 15:00:02697 
33W氮化镓电源芯片U8733L布局合理减少干扰散热优化电源芯片的引脚在布局布线时，应当避免与其他信号线路平行敷设，以降低电磁干扰。根据芯片引脚功能和信号流向合理安排位置，减少交叉和迂回，降低布线
2025-08-28 16:18:507132 氮化镓电源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。
2025-08-26 10:24:432670 
氮化镓电源芯片U8727AHE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值6.4V)。
2025-08-25 17:41:157434 
市场对更小、更轻、更高效的交流/直流 USB 供电 (PD) 充电器的需求一直是电源设计工程师面临的挑战。在 100W 以下，准谐振反激结构仍然是主要的拓扑结构，氮化镓 (GaN) 技术可以进一步提高功率密度和效率。
2025-08-20 11:17:562813 
近日，应充电头网邀请，在行业目光聚焦之际，京东方华灿多位专家围绕氮化镓材料与技术展开深度分享，为行业发展勾勒清晰且充满希望的蓝图。其中，京东方华灿副总裁、首席技术官王江波博士值此世界氮化镓日之际，发表了他对氮化镓材料发展的寄语。
2025-08-14 15:31:223004 NTP8835是一款高集成、高保真双通道内置DSP数字功放；供电电压范围在7V～28V；提供2CH (30W x 2 BTL@24V, 6Ω)以及2.1CH (10W x 2 + 30W @24V, 6Ω)输出配置. 集成了多种音效算法，采用QFN40封装。
2025-08-12 09:45:22906 
设计大电流，高开关频率同步降压电路时，要想设计一个稳定可靠的系统，PCB布局显得尤为重要。同步整流ic U7110W设计同步整流电路时建议参考下图的内容。图为PCB布局设计参考，包含U7110W、变压器副边引脚和输出滤波电容等。
2025-08-06 11:39:343561 
氮化镓电源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。U8723AH
2025-07-28 11:38:063811 
制造氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMTs）具有一定难度，这主要归因于材料本身以及制造工艺中的多项挑战。
2025-07-25 16:30:444488 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化镓 (GaN) 功率级适用于开关模式电源应用。LMG3624将氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 和栅极驱动器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
深圳市永阜康科技有限公司现在大力推广国内首款氮化镓D类音频功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ Rdson GaN氮化镓，48V供电时，驱动到4Ω可以在10%THD+N内输出1×340W的功率，QFN-48贴片封装，不需要外接散热器辅助散热。
2025-07-21 15:05:102858 
氮化镓充电器的高功率密度，能在很小的体积里给出更高的功率，所以氮化镓充电器个头更小，重量也更轻。且能把电能转换得更有效，能量损失也少，充电速度就能变得更快。推荐一款快速启动功能和超低的工作电流氮化镓快充芯片——U8725AHE，可实现小于30mW的超低待机功耗！
2025-07-18 16:08:412964 
CS86706适用1~3节锂电应用，内置升压模块，2×30W立体声&50W单声道R类音频功率放大器
2025-07-16 20:42:44452 
支持PD3.0等多种快充输入协议、支持2~5节 串联锂电池充电管理芯片功率30W升降压 驱动电源管理芯片-IP2363
2025-07-12 11:13:56
炎热的夏天，总是需要一些冲散酷暑的小电器，给生活制造惊喜。客户最近热卖的制冷杯，被称为夏日“行走的小冰箱”，受到了许多上班族和户外一族的喜爱，充电部分采用的正是我们深圳银联宝科技研发生产的氮化镓电源芯片。今天就带你一起看看氮化镓电源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
2025-07-05 15:25:003437 PD40W氮化镓快充电源方案：U8725AHE+U7110W芯片替代方案在选型时，需要选择比原芯片参数更多或一样的芯片。如果封装能做到pintopin，则无需更改PCB设计，否则就要重新设计PCB板
2025-06-26 16:11:111778 A+C口兼容双接口电路，可满足多设备充电需求，还可以兼容传统USB-A设备，接口互补，场景覆盖广，依然是当前充电市场不可忽略的中坚力量。深圳银联宝科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化镓电源方案U8722DE+U7110W，最大程度简化设计方案，易上手，低成本！
2025-06-17 17:53:331380 CGH27030F是一款氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），它专为高效率而设计，提供高增益和宽带能力。这款晶体管适用于VHF通讯、3G、4G、LTE、2.3-2.9GHz WiMAX
2025-06-17 15:44:36
同一套电源芯片方案，可直接应用于不同的电压输出上，这不仅有效节省成本，更是大大缩短了开发时间，使项目收益最大化。深圳银联宝科技最新推出的25W氮化镓电源芯片方案U8723AH+U7612B，输出可选5V、9V、12V，注重空间布局和兼容性问题，通过了认证测试，低耗高效，值得推荐！
2025-06-16 15:40:171592 Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化镓 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的频率范围内提供43dBm (20W) 的功率和高于43%的功率附加效率
2025-06-15 16:01:001559 
氮化镓（GaN）器件在高频率下能够实现更高效率，主要归功于GaN材料本身的内在特性。
2025-06-13 14:25:181362 
捷捷微电核心技术再获行业认可！近日，小米30W立式无线充电器（型号MDY-17-EM）正式搭载捷捷微电JMSL1040AGD双NMOS功率器件，以卓越性能为无线充电效率保驾护航。作为线圈切换的核心
2025-06-11 14:19:52998 
45W单压单C氮化镓电源方案推荐的主控芯片是来自深圳银联宝科技的氮化镓电源芯片U8722EE，同步也是采用银联宝的同步整流芯片U7116W。为大家介绍下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201071 前不久，纳微半导体刚刚发布全球首款量产级的650V双向GaNFast氮化镓功率芯片。
2025-06-03 09:57:502385 
氮化镓充电器与普通充电器在充电效率方面对比，性能遥遥领先。它支持多种快充协议，如PD、QC等，能够智能识别设备所需的充电功率，实现快速充电。无论是苹果手机、安卓手机，还是笔记本电脑、平板电脑，氮化镓
2025-05-23 14:21:36883 全电压！PD20W氮化镓电源方案认证款：U8722BAS+U7612B上次给大家介绍了20W氮化镓单电压的应用方案，立马就有小伙伴发出了全电压应用方案的需求。深圳银联宝科技有求必应，PD20W氮化镓
2025-05-22 15:41:26734 过压保护和欠压保护是维护芯片电路安全运行的关键功能。有些芯片会提供一个欠压保护引脚，当欠压保护被触发时，该引脚会产生一个信号。通过检测该引脚的状态，可以判断芯片是否处于欠压保护状态。深圳银联宝氮化镓PD快充ic U8608输入过欠压保护 (Line OVP/BOP)，先来看看它的引脚。
2025-05-21 11:55:37755 氮化镓PD快充芯片U8722DAS集成轻载SR应力优化功能，在轻载模式下，芯片将原边开通速度减半（如配置为特定驱动电流档位时），减缓开关动作的瞬态变化，从而减小次级侧SR器件的电压尖峰，通过分压电
2025-05-19 17:29:50736 
谷底锁定模式是一种应用于开关电源如反激式拓扑、准谐振电源中的关键技术，其核心在于通过精确控制开关管的导通时机以降低损耗和提升系统稳定性。在深圳银联宝科技最新推出的20W氮化镓电源ic U8722SP
2025-05-17 09:13:57825 
英集芯IP2363是一款广泛应用于储能电源、电动工具、便携音箱、应急电源的30W大功率多节锂电池充电管理SOC芯片。支持2至5节锂电池串联充电，内置同步升降压转换，兼容PD3.0和DP&DM快充协议，充电功率高达30W。兼容三元锂电池和磷酸铁锂电池。
2025-05-13 11:05:011165 
芯片恒功率控制，意味着无论负载变化如何，系统都能保持恒定的输出功率，确保设备在各种工作条件下都能稳定运行。当检测到系统温度过高时，主动降功率功能会启动，以降低系统温度，防止过热。深圳银联宝科技的氮化镓PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主动降功率控制功能，一起来看看！
2025-05-10 14:22:16871 深圳银联宝科技推出的PD 20W氮化镓单电压应用方案，主控芯片使用的是氮化镓快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，协议338E。输入规格：180V-264V 50Hz，输出规格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
在65W氮化镓快充设计中，输入欠压保护与过压保护协同工作，保障充电头在电网波动时仍能稳定输出，并避免因输入异常导致次级电路损坏。今天介绍的65W全压氮化镓快充芯片U8766，输入欠压保护(BOP)，采用ESOP-10W封装！
2025-05-08 16:30:141015 氮化镓凭借高频高效特性，具备了体积小、功率高、发热低等优势，但小型化虽好，散热才是硬道理，选氮化镓电源ic得看准散热设计。今天就给小伙伴们推荐一款散热性能优越、耐压700V的氮化镓电源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02943 英集芯IP5385是一款适用于移动电源，充电宝，便携式储能设备等方案的支持30W到100W大功率双向快充的移动电源SOC芯片。集成快充协议控制器、同步升降压控制器、MCU、路径管理、电量计量及LED/数码管显示驱动，大幅简化外围电路设计，降低BOM成本。
2025-04-29 10:44:35824 
25W带恒功率12V单高压氮化镓快充芯片U8723AHYLB芯片内置Boost电路将功率开关器件（如MOSFET）、驱动电路、反馈网络等集成于单一封装，省去分立元件布局，显著降低PCB面积需求。深圳
2025-04-24 16:20:38593 700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U8766，推荐功率为65W，代表机型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
2025-04-23 17:00:17776 发烧友拍摄 “与硅基器件相比，氮化镓的功率密度可达 30W/mm，是硅的150倍，开关频率提升 10 倍以上，可使电源适配器体积缩小 60%。” 西安电子科技大学广州研究院教授弓小武对媒体表示。当前，GaN作为一种性能优异的宽禁带半导体材料，近年
2025-04-21 09:10:422407 
氮化镓电源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料号功率65WYINLIANBAO深圳银联宝科技氮化镓电源芯片U8722X家族，喜提“芯”成员——U8722FE，推荐最大输出功率65W，集成MOS
2025-04-10 16:30:58667 E-GaN电源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推荐
2025-04-03 16:20:08932 防止过热。这种功能可以与OTP协同工作，提供双重保护。深圳银联宝氮化镓快充芯片U8732外置OTP自带降功率，单高压30W，一起了解下！
2025-04-02 17:52:32781 
LoRaP30Pro 30W大功率串口数传组网电台规格书免费下载
2025-04-01 17:35:083 深圳市三佛科技有限公司供应CE65H110DNDI 能华330W 氮化镓方案,可过EMC,原装现货
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化镓（GaN）FET是常关器件
2025-03-31 14:26:10
深圳市三佛科技有限公司供应330W氮化镓方案CE65H110DNDI，原装现货 DescriptionThe CE65H110DNDl Series 650v, 110mΩgallium
2025-03-31 11:59:47
1500VDC的宽幅电压输入设计，输出功率高达30W，且效率卓越，可达89%。DH30W10系列转换器具备调节输出的功能，同时内置了多重保护电路，确保了其在高压电源转换场景中的稳定与安全。其出色的高压
2025-03-31 09:23:24
30W氮化镓电源ic U8608集成E-GaN和驱动电流分档功能，通过调节驱动电流档位，可以减少电磁干扰（EMI），优化系统的整体性能和待机功耗。具体来了解一下！
2025-03-28 13:36:48797 
UM2062-100M 是一款 100W 应用频率在 2.0～6.2GHz 的，基于全国产化及工艺的氮化镓射频功 率放大管。这款功放管具有高效率、高增益的特性，适用于脉冲/连续波信号，主要用于收发
2025-03-27 10:00:11
深圳银联宝科技推出的氮化镓快充芯片集成高频高性能准谐振模式，显著降低磁性元件体积，同时通过同步整流技术将效率翻番。比如今天介绍的65W全压700V底部无PAD氮化镓快充芯片U8766，拥有超低启动和工作电流，可实现小于30mW的超低待机功耗，势如破竹！
2025-03-20 17:41:40835 单节锂电池15W （5V/3A）和双节锂电池30W（12V/2.5A）双模式输出，实现手持设备到工业级散热场景全覆盖。内置过流保护、软启动及0.1μA待机功耗特性，有效延长续航并应对电机冲击，为消费
2025-03-20 14:18:052122 
氮化镓系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054785 
日前，京东方华灿的氮化镓研发总监马欢应半导体在线邀请，分享了关于氮化镓器件的最新进展，引起了行业的广泛关注。随着全球半导体领域对高性能、高效率器件的需求不断加大，氮化镓（GaN）技术逐渐成为新一代电子器件的热点，其优越的性能使其在电源转换和射频应用中展现出巨大的潜力。
2025-03-13 11:44:261527 氮化镓晶体管的并联设计总结 先上链接，感兴趣的朋友可以直接下载： *附件：氮化镓晶体管的并联设计.pdf 一、引言 应用场景 ：并联开关管广泛应用于大功率场合，如牵引逆变器、可回收能源系统等
2025-02-27 18:26:311103 什么是氮化镓（GaN）充电头？氮化镓充电头是一种采用氮化镓（GalliumNitride,GaN）半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基（Si）充电器，GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534 
什么是氮化镓（GaN）充电头？氮化镓充电头是一种采用氮化镓（GalliumNitride,GaN）半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基（Si）充电器，GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-26 04:26:491183 UG5060-30 是一款应用频率在 5-6GHz 的氮化镓射频功率放大管，具有高效率、高增益的特 性。这款放大管提供带法兰的封装形式，工作在 48V 供电模式.典型射频特性：Ø 最大饱和功率
2025-02-25 16:01:39
U2G5060-140P2 是一款 140W 应用频率在 5.0~6.0GHz 的氮化镓射频功率放大管。这款放大管 具有高效率、高增益的特性。同时覆盖 5-6GHz 应用的 Demo 板，输出功率
2025-02-25 15:56:49
U2G4460-30F2 是一款 30W 应用频率高达 4.4~6GHz 的氮化镓射频功率放大管。这款放大管具 有高效率、高增益的特性。这款放大管提供带法兰的封装形式，工作在 28V 供电模式.在
2025-02-25 15:47:06
此参考设计是基于氮化镓 （GaN） 的 140W AC-DC 电源，具有高效率和功率密度。它支持宽输入（90V~交流~至 264V ~交流~ ） 和输出 （5V 至 28V） 电压。它专为 USB PD3.1 的适配器设计和电动工具的充电器等应用而设计。
2025-02-24 15:33:20876 
，采用氮化镓材料，体积小巧，仅为57.5*33.5*23.8mm，极大程度的节省了设计空间。该系列电源模块共有4款，输出功率40W，输出电压分别为9V、12V、1
2025-02-24 12:02:321021 UM0762-80M 是一款 80W 应用频率在 0.7～6.2GHz 的，基于全国产化及工艺的氮化镓射频功率 放大管。这款功放管具有高效率、高增益的特性，适用于脉冲/连续波信号，主要用于收发组 件
2025-02-19 18:28:53
UM0660-25M 是一款 25W 应用频率在 0.6～6.0GHz 的，基于全国产化及工艺的氮化镓射频功率 放大管。这款功放管具有高效率、高增益的特性，适用于脉冲/连续波信号，主要用于收发组 件
2025-02-19 18:25:49
UM2060-30 是一款 30W 应用频率 2～6GHz 的氮化镓射频功率放大管芯片。这款芯片具有高效 率、高增益的特性。主要用于收发组件，无线电通信等，工作在 28V 供电模式。关键
2025-02-19 18:20:06
在混合式氮化镓 VCSEL 的研究，2010年本研究团队优化制程达到室温连续波操作电激发氮化镓 VCSEL，此元件是以磊晶成长 AlN/GaN DBR 以及 InGaN MQW 发光层再搭配
2025-02-19 14:20:431085 
AC6951C功放30W彩灯电路
2025-02-18 15:33:054 过去两年中，氮化镓虽然发展迅速，但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时，不少垂直氮化镓的初创企业倒闭或者卖盘，这引发大家对垂直氮化镓未来的担忧。为此，在本文中，我们先对氮化镓未来的发展进行分析，并讨论了垂直氮化镓器件开发的最新进展以及相关的可靠性挑战。
2025-02-17 14:27:362014 
前言 近期充电头网拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充电器，这款产品基于华源智信氮化镓方案设计，因此整体做到相当小巧，搭配可折叠插脚，便携性很好。充电器支持最高20W PD3.0快充，可满足
2025-02-14 14:46:512073 
英集芯IP5385是一款专为移动电源，充电宝，户外应急电源、平板电脑、手机、手持电动工具等便携式设备设计的30W到100W大功率快充电源管理SOC芯片。
2025-02-13 10:21:191282 
氮化镓电源芯片U8621是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源管理芯片，内置1.9Ω/630V的超结硅功率MOS。U8621具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少
2025-02-07 16:01:021106 深圳银联宝科技氮化镓芯片2025年持续发力氮化镓芯片YLB银联宝/YINLIANBAO无线通信领域，设备往往需要在有限的空间内实现强大的信号传输功能，氮化镓芯片就能凭借这一特性，满足其功率需求的同时
2025-02-07 15:40:21919 
近日，GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布其氮化镓和碳化硅技术进入戴尔供应链，为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。
2025-02-07 13:35:081234 
在当今高速发展的半导体产业浪潮中，氮化镓（GaN）衬底宛如一颗耀眼的新星，凭借其卓越的电学与光学性能，在众多高端芯片制造领域，尤其是光电器件、功率器件等方向，开拓出广阔的应用天地。然而，要想充分发挥
2025-01-17 09:27:36420 
在半导体领域的璀璨星河中，氮化镓（GaN）衬底正凭借其优异的性能，如高电子迁移率、宽禁带等特性，在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角，成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化镓衬底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 相信最近关心手机行业的朋友们都有注意到“氮化镓（GaN）”，这个名词在近期出现比较频繁。特别是随着小米发布旗下首款65W氮化镓快充充电器之后，“氮化镓”这一名词就开始广泛出现在了大众的视野中。那么
2025-01-15 16:41:14
电能的高效转换。同步整流芯片的加入则有效地解决了能量损耗问题。今天介绍的是35W氮化镓电源芯片搭配同步整流方案：U8722DE+U7116！
2025-01-15 16:08:501733 PI公司诚邀您报名参加电子研习社主办的线上直播。我们的技术专家将为您带来专题演讲，介绍新的氮化镓耐压基准。
2025-01-15 15:41:09899 高性能AC-DC氮化镓电源管理芯片-DK065G一、产品概述：DK065G是一款高度集成了650V/260mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片。DK065G检测功率管漏极和源
2025-01-10 17:02:44
V-GaN 系列INN040W048A氮化镓芯片，耐压40V，导通电阻4.8mΩ，支持双向导通。具备无体二极管、低导通阻抗等特性，仅用1颗就能代替两颗硅MOSFET。同时采用WLCSP2.1mmx2.1mm的封装，为终端产品节省系统空间的同时，有效降低了系统能耗。
2025-01-08 15:05:03
高性能AC-DC 75W氮化镓电源管理芯片-DK075G一、产品概述：DK075G是一款高度集成了700V/150mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率电源管理芯片。DK075G检测
2025-01-08 10:48:52
东科半导体高性能AC-DC 45W氮化镓电源管理芯片-DK045G 一、产品概述：DK045G是一款高度集成了650V/400mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片
2025-01-08 10:46:14
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