PC1003K器件是一款单通道低端驱动器，专为高速应用中的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）驱动而设计（包括激光雷达、飞行时间测距、面部识别以及任何涉及低侧驱动器的电源转换器
2025-12-30 17:12:19
0 CGH27015F型号介绍 今天我要向大家介绍的是 MACOM 的一款放大器——CGH27015F。 它能够提供高达 15 W 的峰值功率，并保持
2025-12-18 12:11:13
，并在 “GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices” 分会场首个亮相，标志着氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）技术在移动终端通信领域实现历史性突破。 当前移动通信正
2025-12-18 10:08:20
1760 
CGH40045F型号介绍 今天我要向大家介绍的是 MACOM 的一款放大器——CGH40045F。 它在28伏特的电压下工作，能够爆发出高达55
2025-12-16 11:02:41
CHA8107-QCB两级氮化镓（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款两级氮化镓（GaN）高功率放大器
2025-12-12 09:40:25
在电子设计领域，选择合适的晶体管对于实现高效、稳定的电路至关重要。今天，我们将深入探讨ON Semiconductor推出的MSD1819A-RT1G与NSVMSD1819A-RT1G通用放大器晶体管，了解它们的特性、参数以及应用场景。
2025-12-02 10:19:35304 
在电子电路设计中，合理选择晶体管至关重要，它关乎着电路的性能、成本和空间利用。今天就来为大家详细介绍ON Semiconductor的MUN2234、MMUN2234L、MUN5234、DTC124XE、DTC124XM3、NSBC124XF3这一系列数字晶体管。
2025-12-02 09:41:59320 
CGH40010F型号介绍： 今天我要向大家介绍的是 MACOM 的一款晶体管——CGH40010F。 它能够在 DC 到 6 GHz 的频率
2025-11-28 17:07:23
0.25 微米氮化镓（GaN）工艺制造，具备高击穿电压、高电子迁移率等特性，显著提升功率处理能力和开关速度。无铅环保设计：符合 RoHS 标准，满足环保要求。评估板支持：可提供评估板，便于用户进行性能测试
2025-11-28 09:59:47
在电子工程师的日常设计工作中，选择合适的晶体管对于实现高效、可靠的电路至关重要。今天，我们将深入探讨ON Semiconductor的NSV1C300CT PNP晶体管，这款器件在低电压、高电流应用中展现出了出色的性能。
2025-11-26 15:15:05236 
在电子工程师的日常设计工作中，通用晶体管是极为常见且关键的元件。今天，我们就来深入了解一下onsemi的BC846BPDW1、BC847BPDW1、BC848CPDW1系列双通用晶体管。
2025-11-26 14:34:50382 
沟道有效迁移率 (µeff) 通过载流子速度和驱动电流影响MOSFET性能。它是互补金属氧化物半导体的关键参数之一 (CMOS) 技术。 随着新型介电材料的出现，传统的迁移率评估测量技术遇到了下一节中描述的许多问题，导致测量误差较大，因此需要一种新的迁移率提取技术。
2025-11-17 13:58:473040 
电压选择晶体管应用电路第二期
以前发表过关于电压选择晶体管的结构和原理的文章，这一期我将介绍一下电压选择晶体管的用法。如图所示：
当输入电压Vin等于电压选择晶体管QS的栅极控制电压时，三极管Q
2025-11-17 07:42:37
现在氮化镓材料技术比较成熟，芯源的MOS管也是用的氮化镓材料技术嘛？
2025-11-14 07:25:48
【2025年11月5日, 德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布推出其首款符合汽车电子委员会（AEC）汽车应用标准的氮化镓（GaN）晶体管系列
2025-11-05 14:31:0559496 
新品第五代CoolGaN650-700V氮化镓功率晶体管G5第五代650-700VGaN氮化镓功率晶体管可实现高频工况下的效率提升，并满足最高质量标准，能够打造具有超高效率的高可靠性设计。该系
2025-11-03 18:18:052815 
本文将深入探讨两种备受瞩目的功率晶体管——英飞凌的 CoolGaN（氮化镓高电子迁移率晶体管）和 OptiMOS 6（硅基场效应晶体管），在极端短路条件下的表现。通过一系列严谨的测试，我们将揭示
2025-10-07 11:55:002980 
氧化物半导体（如In₂O₃）因其高电子迁移率（>10cm²/Vs）和低漏电流特性，成为下一代显示技术和三维集成器件的理想候选材料。然而，传统场效应迁移率（μFE）的测量常因寄生电阻（Rs/d
2025-09-29 13:03:43950 
电子发烧友网为你提供()0.45-6.0 GHz 低噪声晶体管相关产品参数、数据手册，更有0.45-6.0 GHz 低噪声晶体管的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，0.45-6.0
2025-09-18 18:33:55
，有没有一种简单且有效的器件实现对电压的选择呢？本文将介绍一种电场型多值电压选择晶体管，之所以叫电压型，是因为通过调控晶体管内建电场大小来实现对电压的选择，原理是PN结有内建电场，通过外加电场来增大或减小
2025-09-15 15:31:09
AM010WX-BI-R是AMCOM品牌的一款砷化镓高电子迁移率晶体管（GaAs pHEMT），选用陶瓷 BI 封装，频率范围高达 12 GHz，适用于的L / S / C波段宽带功率
2025-08-25 10:06:43
的首选材料。半导体元件，如晶体管、集成电路（IC）和二极管，通常在其成分中使用硅（Si）材料来执行其设计功能。在电子产品主导的世界中，消费者越来越寻求更小、更轻的设备
2025-08-21 06:40:348327 
CHK8101a99F CHK8101a99F 拥有令人惊叹的功率输出能力，高达20W的饱和输出功率，仿佛拥有无穷的力量，能够驱动
2025-08-20 15:17:12
——CMPA2738060F。 它具有优于硅或砷化镓的优异特性，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与硅和砷化镓晶体管相比，GaN HEMT 还能提供更高的功
2025-08-12 11:02:45
制造氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMTs）具有一定难度，这主要归因于材料本身以及制造工艺中的多项挑战。
2025-07-25 16:30:444488 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化镓 (GaN) 功率级适用于开关模式电源应用。LMG3624将氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 和栅极驱动器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
）和接触电阻（RC），结合电学表征和能带分析，发现Ti电极因形成欧姆接触且功函数差最小，显著提升了迁移率和亚阈值摆幅等关键参数。1实验设计与制备flexfilm(a)
2025-07-22 09:53:001323 
在电源转换技术不断进步的背景下，瑞萨电子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化镓场效应晶体管(GaNFET)，专注于满足数据中心、工业以及电动交通应用对高效能和高密度
2025-07-14 10:17:383208 
GaN器件当前被称作HEMT(高电子迁移率晶体管)，此类高电子迁移率的晶体管应用于诸多电子设备中，如全控型电力开关、高频放大器或振荡器。与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 相比
2025-07-09 11:13:063371 
氧化物场效应晶体管(MOSFET)展现出卓越的性能，迁移率高达44.5cm²/Vs。在严苛的应力测试中，这款晶体管连续稳定工作近三小时，显示出其在高压和高温等极端条件
2025-07-02 09:52:45831 
新品TOLL和DFN封装CoolGaN650VG5第五代氮化镓功率晶体管第五代CoolGaN650VG5氮化镓功率晶体管可在高频工况下显著提升能效，符合业界最高质量标准，助力打造兼具超高效率与卓越
2025-06-26 17:07:332034 Analog Devices Inc. HMC8413低噪声放大器是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、低噪声宽带放大器，工作频率范围为 0.01GHz至9GHz。
2025-06-24 13:48:29727 
器件的特性。工作原理概述1.发光器件：晶体管光耦通常包含一个发光二极管（LED）作为光源。当电流通过LED时，它会发出特定波长的光。2.光敏器件：光耦的另一侧是一个
2025-06-20 15:15:49731 
。在这种结构中，n型晶体管（nFET）和p型晶体管（pFET）被集成在同一结构中，但由绝缘壁（如氧化物或氮化物）隔开。这种设计允许nFET和pFET之间的间距进一步缩小，从而减少标准单元的面积。
叉
2025-06-20 10:40:07
CMPA0527005F 是一款氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）功率放大器，由CREE公司生产。这款功放器在50V电源下工作，适用于0.5到2.7GHz
2025-06-17 16:08:25
CGH40180PP是一款由Wolfspeed生产的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），它是一款28伏工作电压、180瓦功率的射频（RF）和微波应用晶体管，具有高达2.5吉赫兹的操作频率
2025-06-17 16:01:30
CGH40120P 是一款氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率、高增益和宽带宽能力而设计。这款晶体管适用于多种射频和微波应用，如双向无线电、宽带放大器、蜂窝基础设施和测试仪器等
2025-06-17 15:58:01
CGH40090PP 是一款由Wolfspeed 生产的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），它是一款90瓦的射频功率放大器。这款晶体管在28伏操作电压下，提供高达2.5 GHz的操作频率
2025-06-17 15:53:52
CGH35060P1 是一款由Wolfspeed 生产的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率、高增益和宽带宽能力而设计。这款晶体管非常适合3.3-3.6 GHz WiMAX
2025-06-17 15:50:48
CGH27060F是一款氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率、高增益和宽带宽能力而设计。这款晶体管适用于VHF、3G、4G、LTE、2.3-2.9GHz WiMAX和BWA放大器应用，工作频段为VHF至3.0 GHz，小信号增益为14 dB，平均功率下的误差矢量幅度
2025-06-17 15:47:10
CGH27030F是一款氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），它专为高效率而设计，提供高增益和宽带能力。这款晶体管适用于VHF通讯、3G、4G、LTE、2.3-2.9GHz WiMAX
2025-06-17 15:44:36
CMPA2560025F是一款基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）功率放大器，具有以下特点和应用：### 产品描述- **技术基础**：采用GaN
2025-06-17 15:36:41
CGH21120F是一种氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)，专为高效率而设计；高增益和宽带宽能力；这使得CGH21120F非常适合1.8–2.3-GHz WCDMA和LTE放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
2025-06-17 15:34:20
CGH55030F1是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率、高增益和宽带宽能力而设计。这款晶体管非常适合5.5-5.8GHz WiMAX和BWA放大器应用，晶体管可在两个
2025-06-17 15:29:17
CGH09120F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率、高增益和宽带能力而设计，这使得CGH09120F成为MC-GSM、WCDMA和LTE放大器应用的理想选择。该晶体管
2025-06-17 15:26:31
Analog Devices Inc. ADPA7002功率放大器是砷化镓 (GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、单片微波集成电路 (MMIC)、28dBm (1/2W) 放大器。ADPA7002集成温度补偿片上功率检测器，工作频率范围为18GHz至44GHz。
2025-06-17 10:15:19729 
pHEMT半导体技术 采用砷化镓赝配高电子迁移率晶体管（GaAs pHEMT）工艺，该技术通过异质结界面优化，使电子迁移率提升至传统工艺的3倍以上。这一特性直接支撑了： 载流子二维电子气浓度达1.8×10
2025-06-16 11:35:53424 
深圳市三佛科技有限公司供应2SA1943 大功率功放管PNP型高压晶体管，原装现货
2SA1943是一款PNP型高压晶体管，专为低频或音频放大，直流转直流转换器，其他高功率电路，其电压-集电极
2025-06-05 10:18:15
在高k金属栅之外，另一种等效扩充的方法是增加通过器件沟道的电子或空穴的迁移率。表2.5列举了一些提高器件载流子迁移率的手段及其对 PMOS或者 NMOS的作用。
2025-05-30 15:19:561169 
横向氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)在中低功率转换应用领域正呈现强劲增长态势。将这一材料体系扩展至更高电压等级需要器件设计和衬底技术的创新。本文总结了台湾研究团队在工程衬底上开发1500V击穿
2025-05-28 11:38:15669 
NPT2022 是一款由 MACOM 生产的宽带 GaN（氮化镓）HEMT（高电子迁移率晶体管），专为高频、高功率射频应用而设计。以下是其主要特性、参数和应用信息：### 主要特性- **工作频率
2025-05-22 15:40:33
英飞凌推出CoolGaN G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。此外，该集成解决方案还简化了功率级设计，降低了用料成本。
2025-05-21 10:00:44806 沟道有效迁移率（µeff）是CMOS器件性能的关键参数。传统测量方法在高k介质、漏电介质与高速应用中易出现误差。本文介绍了UFSP（Ultra-Fast Single Pulse）技术如何准确提取迁移率，克服这些挑战。
2025-05-19 14:28:331526 
场效应晶体管（TFET）沿沟道方向有一个 PN结，金属-半导体场效应晶体管（MESFET）或高电子迁移率晶体管（HEMT）垂直于沟道方向含有一个栅电极肖特基势垒结。
2025-05-16 17:32:071122 
和更大跨导的短沟道场效应器件。一般可以通过增加沟道掺杂浓度来实现。由于沟道区是对体半导体材料的掺杂而形成的，多数载流子与电离的杂质共同存在。多数载流子受电离杂质散射，从而使载流子迁移率减小，器件性能降低。
2025-05-15 17:43:47919 
由于资料内存过大，分开上传，有需要的朋友可以去主页搜索下载哦~
本文共分上下二册。本文档作为下册主要介绍晶体管/FET电路设计技术的基础知识和基本实验,内容包括FET放大电路、源极跟随器电路
2025-05-15 14:24:23
ULQ200xA-Q1 器件是高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每个由七对 npn 达林顿对组成，这些对具有高压输出和共阴极箝位二极管，用于切换感性负载。单对 Darlington 的集电极电流额定值为 500mA。Darlington 对可以并联以获得更高的电流能力。
2025-05-14 15:30:50874 
对于传统的MOSFET器件，虽然因为栅极绝缘层的采用大大抑制了栅极漏流，但是硅沟道较低的电子迁移率也限制了其在超高频、超高速等领域的应用。
2025-05-14 11:14:591227 
在65W氮化镓快充设计中，输入欠压保护与过压保护协同工作，保障充电头在电网波动时仍能稳定输出，并避免因输入异常导致次级电路损坏。今天介绍的65W全压氮化镓快充芯片U8766，输入欠压保护(BOP)，采用ESOP-10W封装！
2025-05-08 16:30:141015 功率电子技术的快速发展，得益于宽带隙(WBG)半导体材料的进步，尤其是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)。与传统硅材料相比，这些材料具有更高的击穿电压、更好的热导率和更快的开关速度。这些特性使得功率
2025-04-23 11:36:00780 
ADL8121是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.025 GHz至12 GHz。
2025-04-22 14:38:50791 
ADL8105是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器，工作频率范围为5 GHz至20 GHz。
2025-04-22 14:29:34759 
ADH8411S-CSH 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器，工作范围为 0.01 至 10 GHz。
2025-04-22 14:03:06725 
ADH8412S-CSL是一种砷化镓（GaAs）、单片微波集成电路（MMIC）、伪晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）、低噪声宽带放大器，工作频率为0.4 GHz至11 GHz。
2025-04-22 10:07:33751 
，有没有一种简单且有效的器件实现对电压的选择呢？本文将介绍一种电场型多值电压选择晶体管，之所以叫电压型，是因为通过调控晶体管内建电场大小来实现对电压的选择，原理是PN结有内建电场，通过外加电场来增大或减小
2025-04-15 10:24:55
晶体管，FET和IC，FET放大电路的工作原理，源极接地放大电路的设计，源极跟随器电路设计，FET低频功率放大器的设计与制作，栅极接地放大电路的设计，电流反馈型OP放大器的设计与制作，进晶体管
2025-04-14 17:24:55
单片双向开关(BDS)被业界视为电力电子性能实现跨越式发展的关键推动者。基于横向氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的技术具有独特优势，可有效应用于BDS器件开发。本文将概述BDS的应用场
2025-04-09 10:57:40896 
深圳市三佛科技有限公司供应CE65H110DNDI 能华330W 氮化镓方案,可过EMC,原装现货
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化镓（GaN）FET是常关器件
2025-03-31 14:26:10
随着半导体技术不断革新，智能功率氮化镓（GaN）成为备受瞩目的关键技术。它融合了氮化镓材料高电子迁移率、低导通电阻、耐高温高压的特性，以及智能控制电路和功能，能实现高效的功率转换、低能耗和高功率密度，广泛应用于消费电子、工业、通信等多个领域，极大地推动了电子产品的升级和工业设备性能的提升。
2025-03-24 11:37:571472 
HMC788A是一款0.01 GHz至10 GHz、增益模块、单芯片微波集成电路(MMIC)放大器，采用砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)技术制造。
此款2 mm × 2
2025-03-21 14:33:54862 
HMC1132PM5E 是一款四级、砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)功率放大器。该器件工作频率范围为 27 GHz 至 32 GHz，提供 24 dB 增益和 29.5 dBm 饱和输出功率，并采用 5 V 电源供电。
2025-03-11 10:19:23780 
HMC1082CHIP是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)驱动放大器，工作频率范围为5.5 GHz至18 GHz。HMC1082CHIP提供
2025-03-11 09:11:06847 
ADL8107是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波IC (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带、高线性度放大器，工作频率范围为6 GHz至18 GHz。
2025-03-10 14:14:07970 
ADL8105是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器，工作频率范围为5 GHz至20 GHz。
2025-03-10 11:45:461070 
ADL8102是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、低噪声宽带放大器，工作频率范围为1 GHz至22 GHz。
2025-03-10 10:25:58960 
ADH8412S-CSL 是一种砷化镓 （GaAs） 整体微波 集成电路 （MMIC），假晶高电子 迁移率晶体管 （pHEMT），低噪声宽带放大器，用于 工作频率范围为 0.4 GHz 至 11 GHz。
2025-03-10 09:41:45831 
本书主要介绍了晶体管，FET和Ic，FET放大电路的工作原理，源极接地放大电路的设计，源极跟随电路的设计，FET低频功率放大器的设计和制作，栅极接地放大电路的设计，电流反馈行型op放大器的设计与制作
2025-03-07 13:55:19
本书主要介绍了晶体管和FET的工作原理，放大电路的工作，增强输出的电路，小型功率放大器的设计与制作，功率放大器的设计与制作，拓宽频率特性，视频选择器的设计和制作，渥尔曼电路的设计，负反馈放大电路的设计，直流稳定电源的设计与制作，差动放大电路的设计，op放大器电路的设计与制作等
2025-03-07 13:46:06
HMC349AMS8G是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀双掷(SPDT)开关，额定频率范围为100 MHz至 4 GHz。
HMC349AMS8G非常适合蜂窝
2025-03-05 15:51:181078 
HMC347B 是一款宽频、非反射、砷化镓 (GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、单刀双掷 (SPDT)、单片微波集成电路 (MMIC) 芯片。因为采用片内通孔结构，该交换芯片
2025-03-05 14:12:14955 
。 目的 ：本手册详细阐述了氮化镓（GaN）晶体管并联设计的具体细节，旨在帮助设计者优化系统性能。 二、氮化镓的关键特性及并联好处 1. 关键特性 正温度系数的R DS(on) ：有助于并联器件的热平衡。 稳定的门槛电压V GS(th) ：在工作
2025-02-27 18:26:311103 高速GaN E-HEMT的测量技巧总结 一、概述 重要性 ：GaN E-HEMT（氮化镓增强型高电子迁移率晶体管）具有极高的开关速度，因此准确的测量技术对评估其性能至关重要。 内容概览
2025-02-27 18:06:411061 器件的性能，使充电头在体积、效率、功率密度等方面实现突破，成为快充技术的核心载体。氮化镓充电头的核心优势：1.体积更小，功率密度更高材料特性：GaN的电子迁移率比硅
2025-02-27 07:20:334534 这本书介绍了晶体管的基本特性，单管电路的设计与制作， 双管电路的设计与制作，3~5管电路的设计与制作，6管以上电路的设计与制作。书中具体内容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，单管反相放大器，双管反相放大器，厄利效应，双管射极跟随器等内容。
2025-02-26 19:55:46
HFA3134和HFA3135是采用Intersi1公司的互补双极UHF-1X工艺制造的超高频晶体管对，NFN晶体管的fT为8.5CHz，而FPNP晶体管的为7CHz。这两种类型都表现出低噪声，使其
2025-02-26 09:29:07866 
器件的性能，使充电头在体积、效率、功率密度等方面实现突破，成为快充技术的核心载体。氮化镓充电头的核心优势：1.体积更小，功率密度更高材料特性：GaN的电子迁移率比硅
2025-02-26 04:26:491183 HFA3134 和 HFA3135 是超高频晶体管，采用 Intersil Corporation 的互补双极 UHF-1X 工艺制造。NPN 晶体管的 fT 为 8。5GHz，而 PNP 晶体管
2025-02-25 17:26:35897 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞萨电子互补双极 UHF-1 工艺制造的超高频晶体管阵列。每个阵列由位于公共单片衬底上的五个介电隔离晶体管组成。NPN
2025-02-25 17:19:09953 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞萨电子互补双极 UHF-1 工艺制造的超高频晶体管阵列。每个阵列由位于公共单片衬底上的五个介电隔离晶体管组成。NPN
2025-02-25 16:15:33859 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞萨电子互补双极 UHF-1 工艺制造的超高频晶体管阵列。每个阵列由位于公共单片衬底上的五个介电隔离晶体管组成。NPN
2025-02-25 16:05:09826 
在科技飞速发展的当下，电子元件的创新成为推动各领域进步的关键力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），以其卓越性能在功率半导体领域掀起波澜
2025-02-18 16:47:25949 
电子发烧友网站提供《MJD31CA NPN高功率双极晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-14 16:19:460 电子发烧友网站提供《Nexperia共源共栅氮化镓(GaN)场效应晶体管的高级SPICE模型.pdf》资料免费下载
2025-02-13 15:23:257 在半导体领域的璀璨星河中，氮化镓（GaN）衬底正凭借其优异的性能，如高电子迁移率、宽禁带等特性，在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角，成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化镓衬底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 
，引入了“氮化镓（GaN）”的充电器和传统的普通充电器有什么不一样呢？今天我们就来聊聊。材质不一样是所有不同的根本
传统的普通充电器，它的基础材料是硅，硅也是电子行业内非常重要的材料。但随着硅的极限逐步
2025-01-15 16:41:14
电能的高效转换。同步整流芯片的加入则有效地解决了能量损耗问题。今天介绍的是35W氮化镓电源芯片搭配同步整流方案：U8722DE+U7116！
2025-01-15 16:08:501733 1月8日消息，日本丰田合成株式会社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm（8英寸）氮化镓 （GaN）单晶晶圆。 据介绍，与使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221358
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