HMC1132PM5E 27GHz至32GHz，GaAs，pHEMT，MMIC功率放大器技术手册

概述

HMC1132PM5E 是一款四级、砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)功率放大器。该器件工作频率范围为 27 GHz 至 32 GHz，提供 24 dB 增益和 29.5 dBm 饱和输出功率，并采用 5 V 电源供电。

HMC1132PM5E 提供卓越的线性度和 37 dBm 的高输出三阶交调截点(IP3)，并针对高容量、点到点和点到多点无线电系统进行优化。放大器配置和高增益使 HMC1132PM5E 成为天线之前最后一级信号放大的理想选择。

HMC1132PM5E 放大器输入/输出(I/O)内部匹配 50 Ω。该器件采用符合 RoHS 标准的 5 mm × 5 mm LFCSP 预制空腔 LFCSP 封装，与高容量表贴技术(SMT)装配设备兼容。
数据表：*附件：HMC1132PM5E 27GHz至32GHz，GaAs，pHEMT，MMIC功率放大器技术手册.pdf

应用

• 点对点无线电
• 点对多点无线电
• 甚小孔径终端 (VSAT) 和卫星通信 (SATCOM)
• 军事与太空

特性

• P ~SAT：29.5 dBm
• 高输出 IP3：37 dBm
• 高增益：29 GHz 到 32 GHz 时为 24 dB（典型值）
• 直流电源：600 mA 时 5 V
• 50 Ω 匹配输入/输出
• 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装：25 mm²

引脚配置和功能描述

接口示意图

典型性能特征

HMC1132PM5E功率放大器的架构如图48所示。该放大器由级联的四个单级放大器组成。这种方法提供高PldB以及在整个工作频率范围内平坦的高增益。VDD1向前三个增益级提供漏极偏置。

图49显示了典型应用电路。