HMC347B 0.1GHz~20GHz GaAs SPDT非反射交换芯片技术手册

概述

HMC347B 是一款宽频、非反射、砷化镓 (GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、单刀双掷 (SPDT)、单片微波集成电路 (MMIC) 芯片。因为采用片内通孔结构，该交换芯片在 0.1 GHz ~ 20 GHz 的频段内工作，插入损耗为 1.7 dB，在 20 GHz 时隔离度为 46 dB。

该交换芯片由两个负控电压输入 (V~CTL = −5 V / 0 V) 供电，无需另外电源，且不消耗电流。HMC347B 的 RFx 焊盘通过一条 3.0 mil × 0.5 mil 的最小号连接带与 50 Ω 条传输线连接，可获取所有电气性能数据。
数据表：*附件：HMC347B 0.1GHz~20GHz GaAs SPDT非反射交换芯片技术手册.pdf

应用

• 测试仪器仪表
• 微波射频和甚小孔径终端 (VSAT)
• 军用射频、雷达和电子对抗 (ECM)
• 宽频带电信系统
  特性
• 宽带频率范围：0.1 GHz ~ 20 GHz
• 非反射 50 Ω 设计
• 低插入损耗：​20 GHz 时为 1.7 dB
• 高隔离：20 GHz 时为 46 dB（典型值）
• 高输入线性度
  • 输入 P1dB：25 dBm（典型值）
  • 输入 IP3：41 dBm（典型值）
• 高功率处理能力
  • 27 dBm 通路
  • 25 dBm 终止路径
• 10焊盘 1.3 mm × 0.85 mm × 0.102 mm 芯片

框图

引脚配置

典型性能特征

HMC347B背面金属化，必须用金锡(AuSn)共晶预制件或导电环氧树脂直接附着到接地层。芯片厚度为0.102毫米(4密耳)。推荐使用0.127 mm (5 mil)厚的氧化铝薄膜基板上的50ω微带传输线，将RF信号引入HMC347B或从HMC 347 b引出(见图15)。

当使用0.254毫米(10密耳)厚的氧化铝薄膜基板时，HMC347B必须升高0.150毫米(6密耳)，以便HMC347B的表面与基板表面共面。该器件可以通过将0.102毫米(4密耳)厚的芯片连接到0.150毫米(6密耳)厚的钼(Mo)上来升高散热器(钼片)，然后连接到接地层(见图16)。