ADL8107 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，6GHz至18GHz技术手册

概述

ADL8107是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波IC (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带、高线性度放大器，工作频率范围为6 GHz至18 GHz。

ADL8107在7 GHz至16 GHz范围内提供24 dB的典型增益，在7 GHz至16 Ghz范围内的典型噪声系数为1.3 dB，在7 GHz至16 GHz范围内具有1 dB压缩(OP1dB)，典型输出功率为18.5 dBm，在7 GHz至16 GHz范围内的典型输出三阶交调点(OIP3)为29 dBm，采用5 V漏电源供电功耗仅90 mA。此款低噪声放大器在7 GHz至16 GHz范围内的输出二阶交调点(OIP2)为30.5 dBm（典型值），使ADL8107适合军事和测试仪器仪表应用。

ADL8107还具有内部匹配50 Ω的输入和输出。RFIN和RFOUT引脚均内部交流耦合，同时集成了偏置电感，使ADL8107非常适合基于表贴技术(SMT)的高密度应用。

ADL8107采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm 8引脚LFCSP封装。
数据表：*附件：ADL8107 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，6GHz至18GHz技术手册.pdf

应用

• 测试仪器仪表
• 军事通信
• 雷达

特性

• 单一正电源（自偏置）
• 增益：7 GHz到16 GHz范围内为24 dB（典型值）
• OIP3：7 GHz到16 GHz时为29 dBm（典型值）
• 噪声指数：7 GHz到16 GHz范围内为1.3 dB（典型值）
• 8引脚2mm x 2mm LFCSP（参见数据手册的“外形尺寸“章节）

框图

引脚配置

接口示意图

图79显示了ADL8107在特定频率范围内的基本连接。不需要外部偏置电感，可以将5 V电源连接到VDD引脚。建议使用0.1 uF和100电源去耦电容。图79所示的电源去耦电容代表用于表征和验证ADL8107的配置。

要设置IDo，请在RBIAS和VDDpins之间连接一个电阻(R2)。建议默认值为7.15 kảq，这将产生90 mA的标称lDo。表9显示了lDo和lDo放大器与RBIAS的关系。RBIAS引脚也会产生一个随RBIAS值而变化的电流(见表9)。不要让偏置引脚开路。
为了使ADL8107安全工作，需要对直流和射频电源进行正确的时序控制。上电期间，在RF电源施加于RFIN之前施加VDD，断电期间，在VDD断电之前移除RFIN的RF电源。