本期,为大家带来的是《使用基于 GaN 的 OBC 应对电动汽车 EMI 传导发射挑战》,将深入回顾 CISPR 32 对 OBC 的 EMI 要求,同时详细探讨可靠数据测量的最佳做法、GaN 对 EMI 频谱的影响,以及解决传导发射问题的有效方案。
2025-05-24 15:46:00
4360 
在PWM和电子镇流器当中,半桥电路发挥着重要的作用。半桥电路由两个功率开关器件组成,它们以图腾柱的形式连接在一起,并进行输出,提供方波信号。本篇文章将为大家介绍半桥电路的工作原理,以及半桥电路当中应该注意的一些问题,希望能够帮助电源新手们更快的理解半桥电路。
2014-08-28 10:13:45
20891 采用NV611X系列氮化镓GaN 半桥应用PCB layout 作者 :马坤 邮箱:kuner0806@163.com NV611X系列 半桥应用电路图: 半桥结构应用 应用在半桥电路中,自举电路
2020-03-24 01:08:00
7599 
验证电源半桥拓扑是否正确交叉导通的常用方法是使用两个探针同时验证高压侧和低压侧驱动信号之间的死区时间。
2021-01-08 14:37:30
3034 
(PFC)级。该 PFC 级 具有 配备集成式驱动器的 TI LMG341xGaN FET,可在宽负载范围内实现高效率,并且符合80 Plus Titanium 要求。该设计还支持半桥 LLC 隔离式
2020-06-22 18:22:03
GaN和MOS与理想开关波形的对比
Class D应用中的关键拓扑是半桥逆变电路,通过半桥GaN器件的互补导通从而可以逆变输出对应的交流信号。为验证三安集成200V 20mΩ GaN EHEMT器件在逆
2023-06-25 15:59:21
环路电感比较高时,栅极应力与器件关断保持能力之间的均衡和取舍很难管理。你必须增加栅极应力,或者允许半桥直通,这会增加交叉传导损耗和电流环路振铃,并且会导致安全工作区 (SOA) 问题。一个集成式GaN
2018-08-30 15:28:30
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
LM5036是一款高度集成化的半桥PWM控制器,集成了辅助偏置电源,为电信,数据通信,工业电源转换器提供高功率密度解决方案。LM5036包含使用电压模式控制实现半桥拓扑功率转换器所需的所有功能。 该
2019-08-23 04:45:06
) 可跟随半桥中点电压的浮动接地。 4) 足够的驱动强度。 5) 紧凑的解决方案。 6) 合理的价格。栅极驱动变压器最早有一种提供隔离式栅极信号的解决方案使用栅极驱动变压器,比如图3中的系统。在该系
2018-10-16 13:52:11
能力和丰富的集成功能,为工程师提供了高效、简洁的功率驱动解决方案。
一、概述: SLM2015CA-DG是一款采用先进高压集成电路技术制造的功率MOSFET和IGBT驱动器,具备完整的半桥驱动能力,支持
2025-11-26 08:20:51
单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计,具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能
2023-09-05 06:58:54
在高电压开关电源设计中,选择一款耐压可靠、抗干扰性强且兼容性好的半桥驱动器至关重要SiLM2004ECA-DG 正是为应对此类挑战而生的高性能解决方案。采用专有高压IC工艺和锁存免疫CMOS技术
2025-07-30 08:49:53
解决方案中,从而进一步突破了对常规功率密度预期的限值。基于数十年电源测试方面的专业知识,TI已经对GaN进行了超百万小时的加速测试,并且建立了一个能够实现基于GaN电源设计的生态系统。 GaN将在电源密集
2018-09-11 14:04:25
GaN技术融入到电源解决方案中,从而进一步突破了对常规功率密度预期的限值。基于数十年电源测试方面的专业知识,TI已经对GaN进行了超百万小时的加速测试,并且建立了一个能够实现基于GaN电源
2018-09-10 15:02:53
置于与光耦合器相同的封装中,因而一般需要两个独立的光耦合器栅极驱动器IC来构成完整的隔离式半桥,结果使解决方案的物理尺寸变大。另需注意的是,两个光耦合器即使封装在一起,也是是独立制造的,从而限制了匹配
2018-07-03 16:33:25
案例中,这样的平台需要进行一定的调整以满足汽车制造商的需求。而使用FPGA可以快速实现低成本桥接解决方案,使得现有平台能够完美应用于汽车领域。
2019-07-23 07:57:39
LMG1020。在此处查看演示:如下图和上图中所示,该GaN驱动器具有1ns 100W光输出的能力。这是演示中的脉冲激光开发板:这是带有最少外部组件的简单应用图:LMG1210半桥GaN FET驱动器TI
2019-11-11 15:48:09
1. 双向开关前置升压 APFC 由来
双向开关前置升压 APFC 是无桥 APFC 拓扑中的一种,从拓扑结构上来说实际就是Boost 电路的变形,只是交流输入的正负半周各自对应不同的电路,此拓扑
2025-12-15 18:35:01
GaN单级解决方案——采用TPS53632G 无驱动器脉宽调制(PWM)控制器和LMG5200 80V GaN半桥功率级(驱动器和GaN FET在同一集成电路上)——功率密度高,负载瞬态响应速度
2019-07-29 04:45:02
使用 C2000™ MCU 和 LMG3410 控制交错连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正功率级的方法,LMG3410 是一种单通道 GaN 功率级一个 70-m
2022-04-12 14:11:49
诸多应用难点,极高的开关速度容易引发振荡,过电流和过电压导致器件在高电压场合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的开通门限电压和极限栅源电压均明显低于 MOS鄄FET,在桥式拓扑的应用中容易发生误
2023-09-18 07:27:50
今天观看了电子研习社的直播课程,由TI工程师王蕊讲解了TI的基于GaN的CrM模式的图腾柱无桥PFC参考方案的设计(TIDA00961)。下面是对该方案的介绍:高频临界导电模式 (CrM) 图腾柱
2022-01-20 07:36:11
LM5036是一款高度集成化的半桥PWM控制器,集成了辅助偏置电源,为电信,数据通信,工业电源转换器提供高功率密度解决方案。LM5036包含使用电压模式控制实现半桥拓扑功率转换器所需的所有功能。 该
2022-11-10 06:28:59
Semiconductor 为四种常见的视频桥接解决方案提供预先设计好的软 IP 模块。 第一种解决方案展示的是如何桥接多个 CSI-2 图像传感器到单个 CSI-2 输出(图 4)。 这种解决方案适用的应用包括设计中
2017-04-06 13:48:17
的问题。栅极驱动器电路往往置于与光耦合器相同的封装中,因而一般需要两个独立的光耦合器栅极驱动器IC来构成完整的隔离式半桥,结果使解决方案的物理尺寸变大。另需注意的是,两个光耦合器即使封装在一起,也是
2018-10-23 11:49:22
误。在隔离式半桥驱动器应用中,这种情况可能在交叉传导过程中同时打开两个开关,因而可能损坏开关。隔离栅上的任何寄生电容都可能成为共模瞬变的耦合路径。光耦合器需要以敏感度极高的接收器来检测隔离栅上传
2018-10-16 16:00:23
的问题。栅极驱动器电路往往置于与光耦合器相同的封装中,因而一般需要两个独立的光耦合器栅极驱动器IC来构成完整的隔离式半桥,结果使解决方案的物理尺寸变大。另需注意的是,两个光耦合器即使封装在一起,也是是独立
2018-09-26 09:57:10
对MOS管的驱动电路形式,常用推挽式电路,增强驱动能力而功率放大的电路形式,常使用全桥或者半桥的电路形式,放大功率同样是要接外接供电电源,为什么驱动用推挽,功放用全桥半桥?如果交换电路形式呢?谢谢
2020-07-15 01:34:51
对MOS管的驱动电路形式,常用推挽式电路,增强驱动能力而功率放大的电路形式,常使用全桥或者半桥的电路形式,放大功率同样是要接外接供电电源,为什么驱动用推挽,功放用全桥半桥?如果交换电路形式呢?谢谢
2017-02-16 14:02:13
目前使用的无线充电方案是半桥+谐振电路,搭半桥的MOS芯片通过板子散热最终可以达到50℃,天线可以到45℃,发射理论功率1W,有没有什么可以降低发热的办法==
2023-06-14 10:20:43
+LDO,可有效改善无线充电普遍存在的发热高、效率低、外围电路复杂等问题。这种方案除了少数电阻电容以外,只有两个主要元器件:主控和高集成度的全桥/半桥芯片,其中SN-D06集成了全桥驱动芯片、功率
2018-12-07 15:30:46
最近需要学习用单片机控制一个H桥驱动电路,想用proteus来验证一下,可是在proteus上面找不到半桥驱动芯片。我也没有在在百度上面找到解决方案,不知道诸位同学有没有解决办法或别的经验可以教一教小弟呢?叩谢!!!
2016-07-11 10:57:13
特点:1、上下桥臂不共地,即原边电路的开关管不共地。2、隔离驱动。 本篇文章几乎将半桥电路的大部分基础知识都进行了总结和归纳。难得的是,还对半桥电路当中出现的问题进行了详尽的分析,并给出了相应的解决方案。希望大家能够全面掌握这些知识,从而为自己的设计生涯打好坚实的基础。
2016-06-08 17:03:26
电源设计方案的首选,为了快速有效选择最佳的LLC设计方案,本次直播特意讲解NXP LLC电源设计方案的发展历程和具体应用。直播内容:1.NXP半桥LLC电源设计方案发展的“前世今生”。 2.如何正确地
2019-01-04 11:41:20
集成式半桥为车载电机驱动提供了一种紧凑小巧的解决方案。与采用继电器和分立式半导体的解决方案相比,集成式半桥具有PWM(脉宽调制)功能、电流感应功能及附加保护功能。目前的电机驱动方案现代汽车对高效电机
2018-12-07 10:11:19
电源端口往往是设备传导电磁骚扰的主要逸出路径,直接影响电网质量与周边设备。信号传导电磁骚扰测试-电源端口骚扰解决方案-EMC认证检测,聚焦于电源端口的骚扰
2025-12-10 09:31:19
Fairchild液晶电视半桥解决方案Ultra FRFET系列进一步优化设计飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的液晶电视功率解决方案相比现今使用的传统解决方案,可为设计人员提供显
2010-04-07 10:58:18
1050 半桥拓补电路结构
图3中的半桥变压器是高功率要求的另一个选择。和单开关或双开关正向变压器相反,半桥变压器可以在两个象限工作并降低原边F
2010-01-04 08:16:03
2938 
无桥PFC的优势及解决方案
传统有源PFC 中,交流输入经过EMI 滤波后会经过二极管桥整流器,但在整流
2010-11-17 11:06:00
11432 
本文为您介绍半桥驱动电路工作原理、半桥驱动电路的作用以及半桥驱动电路需要注意问题、特点。
2016-08-05 18:17:35
113625 
隔离式半桥栅极驱动器可用于许多应用,从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块,到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等,不一而足。本文将详细阐述这些设计理念,探索隔离式半桥栅极驱动器解决方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。
2017-02-09 17:40:11
3617 
为半桥配置的高端栅极供电起初似乎是一项棘手的任务,因为大部分系统都有较高的电平转换和驱动强度要求。本文论述让设计人员能够实现这一目标的可行解决方案。
2017-02-10 09:10:12
3605 
本文档内容介绍了半定制电源的解决方案,供网友参考。
2017-09-13 14:29:55
12 在PWM和电子镇流器当中,半桥电路发挥着重要的作用。本文为大家介绍办桥电路的原理图、工作过程以及理想波形。
2018-01-05 10:52:32
98372 
本报告对德州仪器LMG5200器件进行详细的逆向分析,包括器件设计、封装技术、制造工艺、成本和价格预估等。这是我们第一发现带有驱动器的半桥氮化镓场效应晶体管(GaN FET)设计,并采用先进的多芯片封装技术(PCB带有嵌入式通孔和倒装芯片)
2018-03-05 13:56:18
11619 本文介绍的TI的新型多串半桥谐振高效LED驱动解决方案及其应用的详细资料
2018-04-11 16:32:25
12 如何采用48V POL半桥GAN 控制器进行设计
2018-08-08 01:17:00
4454 生成对抗网络GAN很强大,但也有很多造成GAN难以使用的缺陷。本文介绍了可以克服GAN训练缺点的一些解决方案,有助于提高GAN性能。
2019-02-13 09:33:54
5741 以光耦合器和其他分立式解决方案为参照,了解基于iCoupler®数字隔离器技术的ADuM3223和ADuM4223隔离式栅极驱动器如何简化强大的半桥MOSFET驱动器的设计。
2019-07-29 06:14:00
3149 这种测量交叉传导的简单且经济高效的方法利用了GaN 晶体管的独特特性。
2022-08-04 11:19:45
1256 
EPC2106是增强型单片 GaN 晶体管半桥,将两个 eGaN 功率 FET 集成到单个器件中,从而消除了 PCB 上所需的互连电感和间隙空间。
2022-08-29 09:15:42
1286 基于LM5036“智能”型半桥DC/DC电源设计方案
2022-11-01 08:26:11
1 隔离式半桥栅极驱动器用于许多应用,从需要高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块,到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器。本文将详细讨论这些设计概念,探讨隔离式半桥栅极驱动器解决方案提供高性能和小尺寸解决方案的能力。
2023-01-17 11:08:46
4711 
在半桥拓扑中并联 Nexperia GaN FET-AN90030
2023-02-15 19:06:19
1 GaN FET 半桥的电路设计和 PCB 布局建议-AN90006
2023-02-20 19:29:05
10 LM5036是一款高度集成化的半桥PWM控制器,集成了辅助偏置电源,为电信,数据通信,工业电源转换器提供高功率密度解决方案。LM5036包含使用电压模式控制实现半桥拓扑功率转换器所需的所有功能。 该
2023-04-03 09:31:30
2016 
随着电机驱动技术的不断进步,对高性能驱动解决方案的需求也日益增加。作为一家致力于提供创新集成电路设计的公司,纳芯微(Nexell)以其卓越的技术和高品质的芯片解决方案脱颖而出。其中,NSi6602x
2023-05-11 14:15:25
3238 导言: 在现代电子设备和工业应用中,高效、可靠的电机驱动方案是至关重要的。爱美雅公司凭借其创新的产品,为行业提供了多种电机驱动解决方案。其中,纳芯微非隔离半桥NSD1624是一款备受瞩目的产品。本文
2023-05-12 16:14:28
3634 
MASTERGAN4介绍ST推出世界首款集成半桥驱动IC和一对氮化镓(GaN)的MASTERGAN产品平台。该解决方案可用于最高400W以下的一代消费性电子、工业充电器,以及电源转接器等
2022-11-21 16:14:24
1649 
使用集成 GaN 解决方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28
1095 
电子发烧友网站提供《PMP22089.1-配备 GaN 技术的半桥点负载转换器 PCB layout 设计.pdf》资料免费下载
2024-05-16 15:10:01
1 电子发烧友网站提供《耐辐射12V半桥GaN FET驱动器 71441MM数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-14 11:06:45
0 电子发烧友网站提供《辐射硬化12V半桥GaN FET驱动器 73041SEH数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-14 11:02:05
0 电子发烧友网站提供《100V、35A GaN 半桥功率级LMG2100R044数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-28 15:39:37
0 电子发烧友网站提供《在GaN半桥电路中实现自举过充预防.pdf》资料免费下载
2024-08-29 09:42:28
0 LN4203 是一款基于悬浮衬底和 P_EPI 工艺的600V 高压半桥驱动器,具有高低边输出,用来驱动半桥电路中的两个高压大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4203 的输入信号兼容 CMOS
2024-09-05 15:29:02
4 电子发烧友网站提供《利用LMG1210实现GaN半桥设计的散热和功耗降低.pdf》资料免费下载
2024-10-14 10:13:51
3 和 LSTTL 电平,最低可到 3.3V。输出级可以提供较高的峰值电流驱动,让交叉导通时间减到最小。输出级的传输延时做了匹配,简化了在高频场合中的应用。■ 用途 功率 MOSFET 和 IGBT 驱动 半桥驱动 全桥驱动 中小型马达驱动
2024-12-23 17:08:11
20 电子发烧友网站提供《使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半桥驱动器.pdf》资料免费下载
2025-01-03 16:19:41
6 电子发烧友网站提供《使用LMG5200EVM-02 GaN半桥功率级EVM用户指南.pdf》资料免费下载
2025-01-03 16:17:21
7 电子发烧友网站提供《高密度400W DC/DC电源模块,集成平面变压器和半桥GaN IC.pdf》资料免费下载
2025-01-22 15:39:53
12 电子发烧友网站提供《GaN半桥功率IC和AHB/图腾柱拓扑结构可实现效率高达95.5%的240W、150cc PD3.1解决方案.pdf》资料免费下载
2025-01-22 14:46:08
34 用于 GaN 功率开关的高压和高速半桥栅极驱动器产品说明STDRIVEG610 和 STDRIVEG611 是两款用于 N 沟道增强型 GaN 的新型高压半桥栅极驱动器。STDRIVEG610
2025-02-12 14:06:16
0 电子发烧友网站提供《NX-HB-GAN3R2-BSC半桥评估板.pdf》资料免费下载
2025-02-18 17:29:54
2 LMG2100R044 器件是一款 90V 连续、100V 脉冲、35A 半桥功率级,集成了栅极驱动器和增强型氮化镓 (GaN) FET。该器件由两个 100V GaN FET 组成,由一个高频 90V GaN FET 驱动器驱动,采用半桥配置。
2025-02-21 09:19:40
907 
LMG2100R044 器件是一款 90V 连续、100V 脉冲、35A 半桥功率级,集成了栅极驱动器和增强型氮化镓 (GaN) FET。该器件由两个 100V GaN FET 组成,由一个高频 90V GaN FET 驱动器驱动,采用半桥配置。
2025-02-21 09:28:21
1049 LMG5200器件是一个 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥功率级,使用增强型氮化镓 (GaN) FET 提供集成功率级解决方案。该器件由两个 80V GaN FET 组成,由一个采用半桥配置
2025-02-26 14:11:12
1055 
意法半导体推出两款高压GaN半桥栅极驱动器,为开发者带来更高的设计灵活性和更多的功能,提高目标应用的能效和鲁棒性。
2025-06-04 14:44:58
1135 Analog Devices Inc. LT8418半桥GaN驱动器是一款100V器件,集成了顶部和底部驱动器级、驱动器逻辑控制和保护功能。该驱动器可配置为同步半桥、全桥拓扑或降压、升压和降压-升压
2025-06-10 14:27:00
828 
本文介绍了基于HT8的半桥电磁炉设计方案
2025-07-07 10:26:17
6 Texas Instruments LMG2100R026 GaN半桥功率级集成了栅极驱动器和增强型氮化镓(GaN)场效应晶体管。93V连续、100V脉冲、53A半桥功率级包含两个GaN FET,由
2025-07-11 14:40:22
679 
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半桥功率级是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级,集成了栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET
2025-08-04 10:00:30
861 
Texas Instruments LMG2610 GaN半桥IC是一款650V GaN电源FET半桥,适用于开关电源应用中 < 75w的有源钳位反激式(acf)转换器。lmg2610通过将
2025-08-27 09:22:58
642 
BASiC_62mm SiC MOSFET半桥模块和驱动方案介绍
2025-09-01 15:23:11
0 Texas Instruments LMG3422EVM-041半桥子卡在半桥中配置两个LMG3422R050 GaN FET。它具有锁存过流保护功能和所有必要的辅助外设电路。该评估模块设计用于
2025-09-11 09:39:37
682 
TTexas Instruments LMG342xEVM-04x子板将两个LMG342xR0x0 GaN FET配置在一个半桥中,具有锁存过流保护功能和所有必要的辅助外围电路。Texas Instruments LMG342xEVM-04x设计用于与大型系统搭配使用。
2025-09-24 11:13:36
618 
STMicroelectronics STDRIVEG611半桥栅极驱动器是用于N沟道增强模式GaN的高压半桥栅极驱动器。高侧驱动器部分设计能够承受高达600V的电压轨,并且可以轻松由集成自举二极管
2025-10-16 17:42:30
655 
STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1基于GaN的半桥电源模块配有MASTERGAN1L,其可快速创建拓扑,无需完整的PCB设计。该模块经过微调,可用于LLC应用,其低侧
2025-10-22 16:03:39
355 
STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板允许用户评估STDRIVEG600高速半桥栅极驱动器。STDRIVEG600经过优化,可驱动高压增强模式GaN HEMT。该器件具有集成自举二极管,可提供高达20V的外部开关,并具有专为GaN HEMT定制的欠压保护。
2025-10-24 14:11:19
397 
意法半导体的STDRIVEG210和STDRIVEG211半桥氮化镓(GaN)栅极驱动器是为工业或电信设备母线电压供电系统、72V电池系统和110V交流电源供电设备专门设计,电源轨额定最大电压
2025-10-29 10:47:06
540 今日,南芯科技(证券代码:688484)宣布推出 700V 高压 GaN 半桥功率芯片 SC3610,可实现高精度电压驱动、更优的通道延时匹配和更好的 EMI 性能。SC3610 特别适用于高频软
2025-11-28 17:49:37
1531
评论