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电子发烧友网>今日头条>半桥GaN应用中的交叉传导解决方案

半桥GaN应用中的交叉传导解决方案

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Texas Instruments LMG2610 GaNIC是一款650V GaN电源FET,适用于开关电源应用 < 75w的有源钳位反激式(acf)转换器。lmg2610通过将
2025-08-27 09:22:58642

BASiC_62mm SiC MOSFET模块和驱动方案介绍

BASiC_62mm SiC MOSFET模块和驱动方案介绍
2025-09-01 15:23:110

基于LMG3422EVM-041子卡的GaN功率模块设计与应用

Texas Instruments LMG3422EVM-041子卡在配置两个LMG3422R050 GaN FET。它具有锁存过流保护功能和所有必要的辅助外设电路。该评估模块设计用于
2025-09-11 09:39:37682

基于LMG342XEVM-04X子卡的GaN功率器件设计与应用

TTexas Instruments LMG342xEVM-04x子板将两个LMG342xR0x0 GaN FET配置在一个,具有锁存过流保护功能和所有必要的辅助外围电路。Texas Instruments LMG342xEVM-04x设计用于与大型系统搭配使用。
2025-09-24 11:13:36618

STDRIVEG611栅极驱动器技术解析与应用指南

STMicroelectronics STDRIVEG611栅极驱动器是用于N沟道增强模式GaN的高压栅极驱动器。高侧驱动器部分设计能够承受高达600V的电压轨,并且可以轻松由集成自举二极管
2025-10-16 17:42:30655

‌基于MASTERGAN1L的GaN电源模块技术解析与应用指南

STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1基于GaN电源模块配有MASTERGAN1L,其可快速创建拓扑,无需完整的PCB设计。该模块经过微调,可用于LLC应用,其低侧
2025-10-22 16:03:39355

STDRIVEG60015演示板技术解析:650V E模式GaN驱动设计指南

STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板允许用户评估STDRIVEG600高速栅极驱动器。STDRIVEG600经过优化,可驱动高压增强模式GaN HEMT。该器件具有集成自举二极管,可提供高达20V的外部开关,并具有专为GaN HEMT定制的欠压保护。
2025-10-24 14:11:19397

意法半导体GaN栅极驱动器简化电源管理设计

意法半导体的STDRIVEG210和STDRIVEG211氮化镓(GaN)栅极驱动器是为工业或电信设备母线电压供电系统、72V电池系统和110V交流电源供电设备专门设计,电源轨额定最大电压
2025-10-29 10:47:06540

南芯科技推出700V高压GaN功率芯片SC3610

今日,南芯科技(证券代码:688484)宣布推出 700V 高压 GaN 功率芯片 SC3610,可实现高精度电压驱动、更优的通道延时匹配和更好的 EMI 性能。SC3610 特别适用于高频软
2025-11-28 17:49:371531

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