EPC2106是增强型单片 GaN 晶体管半桥,将两个 eGaN 功率 FET 集成到单个器件中,从而消除了 PCB 上所需的互连电感和间隙空间。这提高了效率(尤其是在较高频率下)和功率密度,同时降低了最终用户的电源转换系统的组装成本。
半桥组件的额定电压为 100 V,典型 R DS(on) 为 55 mΩ,输出电容 <600 pF,零反向恢复 (Q RR ),最大脉冲漏极电流为 18 A。高效率并显着降低 D 类系统中的失真。
该器件采用极小的 1.35 x 1.35-mm 芯片级封装,可提高开关速度和热性能,从而提高功率密度。为了演示,EPC9106 D 类音频放大器参考设计在功率级中使用高频开关氮化镓功率晶体管,提供 D 类音频信号的精确高功率再现。
审核编辑:刘清
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