单片2 MHz GaN半桥适合D类音频

EPC2106是增强型单片 GaN 晶体管半桥，将两个 eGaN 功率 FET 集成到单个器件中，从而消除了 PCB 上所需的互连电感和间隙空间。这提高了效率（尤其是在较高频率下）和功率密度，同时降低了最终用户的电源转换系统的组装成本。

半桥组件的额定电压为 100 V，典型 R _DS(on) 为 55 mΩ，输出电容 <600 pF，零反向恢复 (Q _RR )，最大脉冲漏极电流为 18 A。高效率并显着降低 D 类系统中的失真。

该器件采用极小的 1.35 x 1.35-mm 芯片级封装，可提高开关速度和热性能，从而提高功率密度。为了演示，EPC9106 D 类音频放大器参考设计在功率级中使用高频开关氮化镓功率晶体管，提供 D 类音频信号的精确高功率再现。





审核编辑：刘清