pn结的形成/多晶硅中PN结是怎样形成的？

pn结的形成/多晶硅中PN结是怎样形成的？

PN结及其形成过程　　
在杂质半导体中， 正负电荷数是相等的，它们的作用相互抵消，因此保持电中性。　
　1、载流子的浓度差产生的多子的扩散运动　　在P型半导体和N型半导体结合后，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差，N型区内的电子很多而空穴很少，P型区内的空穴而电子很少，这样电子和空穴很多都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散，因此，有些电子要从N型区向P型区扩散， 也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。

　　2、电子和空穴的复合形成了空间电荷区　　电子和空穴带有相反的电荷，它们在扩散过程中要产生复合（中和），结果使P区和N区中原来的电中性被破坏。 P区失去空穴留下带负电的离子，N区失去电子留下带正电的离子， 这些离子因物质结构的关系，它们不能移动，因此称为空间电荷，它们集中在P区和N区的交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是所谓的PN结。　

　3、空间电荷区产生的内电场E又阻止多子的扩散运动　　在空间电荷区后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区中形成一个电场，其方向从带正电的N区指向带负电的P区，由于该电场是由载流子扩散后在半导体内部形成的，故称为内电场。因为内电场的方向与电子的扩散方向相同，与空穴的扩散方向相反，所以它是阻止载流子的扩散运动的。综上所述，PN结中存在着两种载流子的运动。一种是多子克服电场的阻力的扩散运动；另一种是少子在内电场的作用下产生的漂移运动。因此，只有当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，空间电荷区的宽度和内建电场才能相对稳定。由于两种运动产生的电流方向相反，因而在无外电场或其他因素激励时，PN结中无宏观电流。

上大学时贪玩，对于电路，模拟电子，数字电子，高频，电子测量以及信号与系统等等课程可以用没学来形容。目前主要从事单片机程序的开发，偶尔也设计一下简单的电路，在与他人交流时发现，原来那些基础非常之重要，让自己感到非常的愧疚，一直以来想恶补一下，忙乱中看了看运放的基础知识，发现还是不够底层，才发现还需要从PN结，二极管，三极管学起。一直很纳闷为什么有些东西在别人的脑子里就像1+1一样，而到自己这里却跟天书一样。一直以为是自己的记忆力衰退了，什么东西看过了，很快就忘记了，没有印象，但是又不愿意承认自己就是学不会模拟电子，硬是耐着性子继续看书，现在终于有点概念了，闭上眼睛知道哪个电子在往哪里跑，知道了什么叫N型半导体，什么叫P型半导体，知道了PN结的形成过程，知道了结电容的概念。

这里所涉及到的概念：

1、本征激发：本征半导体共价键中的价电子在室温下获得足够的能量挣脱共价键的束缚成为自由电子的现象。本征激发产生电子—空穴对。

2、P型半导体：

3、N型半导体：

4、PN结形成过程：