本文解释了为什么采用多晶硅作为栅极材料
栅极材料的变化

如上图,gate就是栅极,栅极由最开始的铝栅,到多晶硅栅,再到HKMG工艺中的金属栅极。 栅极的作用 栅极的主要作用是控制晶体管中的沟道的电流。栅极电压的变化使得晶体管在导通和关闭状态之间切换。 多晶硅栅的优势 1. 多晶硅耐高温。在源漏离子注入后,需要高温退火。而铝栅的熔点在六百多摄氏度。而高温退火过程中,多晶硅栅能够保持较好的稳定性,不易受到影响。 2. 可以作为离子注入的遮蔽层,实现多晶硅栅与源漏的自对准,这样就不会出现栅极和源漏套刻不对齐的问题。

3.可以通过掺杂来提高阈值电压。多晶硅栅通过控制其掺杂物的种类和浓度,能够调节工作函数,从而精确控制阈值电压。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
多晶硅
+关注
关注
3文章
249浏览量
30526 -
栅极
+关注
关注
1文章
187浏览量
21627
原文标题:为什么采用多晶硅作为栅极材料?
文章出处:【微信号:bdtdsj,微信公众号:中科院半导体所】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
多晶硅在芯片制造中的作用
在芯片的纳米世界中,多晶硅(Polycrystalline Silicon,简称Poly-Si) 。这种由无数微小硅晶粒组成的材料,凭借其可调的电学性能与卓越的工艺兼容性,成为半导体制造中不可或缺的“多面手”。
基于厚度梯度设计的TOPCon多晶硅指状结构,实现25.28%量产效率突破
隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)技术作为当前太阳能电池领域的核心技术之一,凭借其优异的背面钝化性能,在工业生产中实现了广泛应用。然而,多晶硅薄膜材料固有的窄带隙和高吸收系数特性,导致其在
自对准硅化物工艺详解
源漏区的单晶硅和栅极上的多晶硅即使在掺杂后仍然具有较高的电阻率,自对准硅化物(salicide)工艺能够同时减小源/漏电极和栅电极的薄膜电阻,降低接触电阻,并缩短与栅相关的RC延迟。另外,它避免了
使用共聚焦拉曼显微镜进行多晶硅太阳能电池检测
图1.多晶硅太阳能电池的显微镜光学图像。在此图像上可以观察到大块的熔融和凝固的硅。 可再生能源,例如太阳能,预计将在不久的将来发挥重要作用。为了将太阳光的能量直接转化为电能,硅太阳能电池(晶体或
多晶硅锭定向凝固生长方法
铸锭浇注法是较早出现的一种技术,该方法先将硅料置于熔炼坩埚中加热熔化,随后利用翻转机械将其注入模具内结晶凝固,最初主要用于生产等轴多晶硅。近年来,为提升多晶硅电池转换效率,通过控制模具中熔体凝固过程的温度,创造定向散热条件,从而
22.0%效率的突破:前硅多晶硅选择性发射极双面TOPCon电池的制备与优化
随着全球能源需求的增长,开发高效率太阳能电池变得尤为重要。本文旨在开发一种成本效益高且可扩展的制备工艺,用于制造具有前侧SiOx/多晶硅选择性发射极的双面TOPCon太阳能电池,并通过优化工艺实现
单晶圆系统:多晶硅与氮化硅的沉积
。在动态随机存取存储器(DRAM)芯片的制造过程中,由多晶硅 - 钨硅化物构成的叠合型薄膜被广泛应用于栅极、局部连线以及单元连线等关键部位。 传统的高温炉多晶硅沉积和化学气相沉积(CVD)钨硅化物工艺,在进行钨硅化物沉积之
Poly-SE选择性多晶硅钝化触点在n-TOPCon电池中的应用
Poly-SEs技术通过在电池的正面和背面形成具有选择性的多晶硅层,有效降低了电池的寄生吸收和接触电阻,同时提供了优异的电流收集能力。在n型TOPCon太阳能电池中,Poly-SEs的应用尤为重要
多晶硅的存储条件是什么
在全球积极推动清洁能源转型的大背景下,太阳能光伏产业蓬勃发展,而多晶硅作为光伏产业链的关键起始原料,其质量和性能直接关系到整个光伏系统的发电效率和稳定性。因此,了解并严格把控多晶硅的存储条件显得尤为重要。
今日看点丨美国宣布提高中国太阳能硅片、多晶硅关税50%;联发科天玑 8400 芯片详细参数曝光
1. 美国宣布提高中国太阳能硅片、多晶硅关税至50% 2025 年1 月1 日生效 美国拜登政府周三(12月11日)宣布,将增加对中国太阳能硅片和多晶硅、钨产品的进口关税,作为其保护本国清洁
发表于 12-12 10:09
•1204次阅读

为什么采用多晶硅作为栅极材料
评论