锌银电池
锌银电池通称为银锌电池，采用氢氧化钾或氢氧化钠为电解液，由银作正极材料，锌作负极材料。由银制成的正极上的活性物质是多孔性银，由锌制成的
2009-12-15 11:04:00
7480 引言 在太阳能电池工业中，最常见的纹理化方法之一是基于氢氧化钠或氢氧化钾的水溶液和异丙醇(IPA)。然而，IPA是有毒的，而且相对昂贵，因此人们正在努力取代它。在过去的几年中，硅异质结(SHJ
2022-01-05 11:21:021565 
硅的各向异性蚀刻是指定向依赖的蚀刻，通常通过碱性蚀刻剂如水溶液氢氧化钾，TMAH和其他羟化物如氢氧化钠。由于蚀刻速率对晶体取向、蚀刻剂浓度和温度的强烈依赖性，可以以高度可控和可重复的方式制备多种硅
2022-03-08 14:07:252479 
湿化学蚀刻是多晶硅表面纹理化的典型方法,湿化学蚀刻法也是多晶体硅表面锯切损伤的酸织构化或氢氧化钾锯切损伤去除后的两步化学蚀刻,这些表面纹理化方法是通过在氢氟酸-硝酸-H2O的酸性溶液中进行化学蚀刻来
2022-03-28 14:20:491574 
效的颗粒去除剂。这种混合物也被称为氢氧化胺、过氧化氢混合物(APM)。SC-I溶液通过蚀刻颗粒下面的晶片来促进颗粒去除；从而松动颗粒，使机械力可以很容易地从晶圆表面去除颗粒。
2022-03-29 14:56:213119 
本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法，应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜，通过无损摩擦化学去除部分天然氧化物，暴露底下新鲜硅。因此，可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻，通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度，从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅蚀刻速率。
2022-04-22 14:06:011908 
项工作中，使用光刻和蚀刻技术将晶体硅(c- Si)晶片深度蚀刻至厚度小于20 μm。使用SPR 220-7.0和SU-8光刻胶，使用四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法各向异性蚀刻和基于等离子体的反应离子蚀刻(RIE)。二氧化硅用作TMAH蚀刻的制造层。4英寸c-Si晶片的TMAH蚀刻在80℃的温度
2022-06-10 17:22:589764 
引言 过氧化氢被认为是半导体工业的关键化学品。半导体材料的制备和印刷电路板的制造使用过氧化氢水溶液来清洗硅晶片、去除光刻胶或蚀刻印刷电路板上的铜。用于硅晶片表面清洗的最常用的清洗浴(S(1，S(2或
2022-07-07 17:16:445266 
。二氧化硅通过分别用于微米和纳米鳍的光和电子束光刻形成图案，随后在氢氟酸中进行湿法蚀刻。使用用异丙醇(IPA)稀释的四甲基氢氧化铵(TMAH)以及具有表面活性剂(Triton-X-100)的硅掺杂TMAH
2022-07-08 15:46:162154 
蚀刻机理 诸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的强含水碱性介质蚀刻晶体硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O 硅(OH) + H 二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因为不同晶面的Si原子
2022-07-11 16:07:222920 
引言 氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速度比在其
2022-07-14 16:06:065995 
硅(Si)的深度蚀刻对于广泛的应用是非常理想的。在这种情况下，通过长时间的金属辅助化学蚀刻(MACE)和短时间的氢氧化钾蚀刻，证明了通过蚀刻375微米厚的硅晶片的成本效益和可再现性。在MACE期间
2022-07-14 17:19:331868 
晶片边缘的蚀刻机台，特别是能有效地蚀刻去除晶片边缘剑山的一种蚀刻机，在动态随机存取存储单元(dynamic random access memory，DRAM)的制造过程中，为了提高产率，便采用
2018-03-16 11:53:10
下方的蚀刻速率远高于没有金属时的蚀刻速率，因此当半导体正被蚀刻在下方时，金属层会下降到半导体中。4 本报告描述了使用 MacEtch 工艺制造 100 到 1000 nm 的纳米柱。电子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
氧化物）中的高质量电介质。此外，在加工过程中，热生长的氧化物可用作注入、扩散和蚀刻掩模。硅作为微电子材料的优势可归因于这种高质量原生氧化物的存在以及由此产生的接近理想的硅/氧化物界面。湿法蚀刻包括
2021-07-06 09:32:40
阳极偏压光照下，在氢氧化钾、硫酸和盐酸溶液中的腐蚀速率测量结果。这项研究的目的是了解在这些不同的环境下，氮化镓蚀刻的动力学和机制。蚀刻后半导体表面的表面分析提供了关于蚀刻过程的附加信息。 实验 蚀刻
2021-10-13 14:43:35
损伤并平滑垂直侧壁。图中。 在 TMAH 溶液中化学抛光不同时间后的 GaN m 面和 a 面侧壁的 SEM 图像。(a) 六方纤锌矿结构的晶胞示意图。(b) 鸟瞰图（倾斜于20°) ICP 干法蚀刻
2021-07-09 10:21:36
氢氧化钾在 Si中的蚀刻得到垂直表面（例如，高表面张力影响结晶硅平面的蚀刻），而氢氧化四甲基铵得到 45° 的侧壁。我们通过创建微镜阵列来说明这些制造结构的使用，这些微镜阵列使光束能够从 45
2021-07-19 11:03:23
环境，使用的是对人体乃至对机械都有伤害的介质。例如硫酸、盐酸、硝酸和碱性的氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钙液体等都是腐蚀性液体。当然还有很多的包括腐蚀性气体。中昊传感器解决方案专家，有传感器问题找中昊！`
2017-08-10 09:40:04
，正极材料是二氧化锰，电解液是氢氧化钠或氢氧化钾溶液。它的构造中间是由锌粉压制的圆柱状负极，其外缠裹着浸满氢氧化钠或氢氧化钾溶液的纤维材料，再外是由二氧化锰、碳粉及氢氧化钠或氢氧化钾溶液组成的正极。电池的外壳由惰性金属制成与正极相连，电池的负极通过集电针与电池底部相连
2010-03-25 11:02:34
氢氧燃料电池有两个燃料入口，氢及氧各由一个入口进入电池，中间则有一组多孔性石墨电极，电解质则位于碳阴极及碳阳极中央。氢气经由多孔性碳阳极进入电极中央的氢氧化钾电解质，在接触后进行氧化，产生水及电子。
2019-10-22 09:11:55
铝坩埚作为热分析仪中主要的配套工具，作为样品的载体。铝为银白色金属，由于表面形氧化层而保护其不与空气和水起反应，易溶于稀硫酸、硝酸、盐酸、氢氧化钠和氢氧化钾溶液，难溶于水。相对密度2.70。熔点
2022-01-06 15:13:51
铝坩埚作为热分析仪中主要的配套工具，作为样品的载体。铝为银白色金属，由于表面形氧化层而保护其不与空气和水起反应，易溶于稀硫酸、硝酸、盐酸、氢氧化钠和氢氧化钾溶液，难溶于水
2022-06-29 16:04:56
铝坩埚作为热分析仪中主要的配套工具，作为样品的载体。铝为银白色金属，由于表面形氧化层而保护其不与空气和水起反应，易溶于稀硫酸、硝酸、盐酸、氢氧化钠和氢氧化钾溶液，难溶于水。相对密度2.70。熔点
2023-09-27 11:34:57
什么是锌汞电池?
以锌为负极，氧化汞为正极，氢氧化钾溶液为电
2009-10-28 13:56:071221 镍镉电池电解液中氢氧化锂的作用
降低自放電; 提高循環壽命；提高电池的容量---这是因为，氢氧化锂能吸附在活性物质颗粒周围，阻止颗粒变大，
2009-11-05 17:12:222083 氢氧化亚镍的性质
氢氧化亚镍【Ni（OH）2】属于层状化合物，层间有水分子和其它阴阳离子，其分子中带有两个分子的结晶水，成为绿色粉末状物质
2009-11-05 17:26:144910
什么是锌汞电池？ 以锌为负极，氧化汞为正极，氢氧化钾溶液为电解液
2009-11-09 09:33:111316 片状氢氧化镍的合成及电化学性能研究浅谈
摘要：本文以氨水为配位剂，用配位沉淀法制备了片状氢氧化镍，用SEM、XRD等手段表征材
2009-12-07 09:27:472468 锌空动力电池
锌空气电池是由锌粉、碳电极和氢氧化钾溶液组成，空气
2009-12-16 08:46:442696 什么是锌空动力电池?
锌空气电池是由锌粉、碳电极和氢氧化钾溶液组成，空气中的氧和碳电极接触发生化学反应而产生电能，其中锌
2009-12-16 08:48:23961 铝空气电池的化学反应与锌空气电池类似，铝空气电池以高纯度铝Al（含铝99.99%）为负极、氧为正极，以氢氧化钾（KOH）或氢氧化钠（NaOH）水溶液为电解质。铝摄取空气中的氧，在电池放电时产生化学反应，铝和氧作用转化为氧化铝。
2017-12-19 18:12:2437159 
铝空气电池的化学反应与锌空气电池类似，铝空气电池以高纯度铝Al（含铝99.99%）为负极、氧为正极，以氢氧化钾（KOH）或氢氧化钠（NaOH）水溶液为电解质。铝摄取空气中的氧，在电池放电时产生化学反应，铝和氧作用转化为氧化铝。
2017-12-19 19:10:2010152 铝空气电池的化学反应与锌空气电池类似，铝空气电池以高纯度铝Al（含铝99.99%）为负极、氧为正极，以氢氧化钾（KOH）或氢氧化钠（NaOH）水溶液为电解质。铝摄取空气中的氧，在电池放电时产生化学反应，铝和氧作用转化为氧化铝。
2017-12-19 19:25:0932273 
银锌蓄电池电动势的变化，主要受正极板的化学反应阶段性影响，而与电解液的密度无关。 银锌蓄电池正、负极的电极电位φ与氢氧化钾百分比浓度N的关系如图1所示。从图中可以看出氢氧化钾浓度变化（相当于密度变化）时，正、负极的电极电位都要变化
2018-01-27 10:38:0260439 铝空气电池的化学反应与锌空气电池类似，铝空气电池以高纯度铝Al（含铝99.99%）为负极、氧为正极，以氢氧化钾（KOH）或氢氧化钠（NaOH）水溶液为电解质。铝摄取空气中的氧，在电池放电时产生化学反应，铝和氧作用转化为氧化铝。
2018-03-12 09:05:376618 铝空气电池的化学反应与锌空气电池类似，铝空气电池以高纯度铝Al（含铝99.99%）为负极、氧为正极，以氢氧化钾或氢氧化钠水溶液为电解质。
2018-03-12 09:20:1523548 从上图我们不难发现，氢氧化锂电池级的应用正在逐年增加。尤其是近两年，其产业结构相较十年前，可以说是发生了巨变。氢氧化锂在电池上的应用，体现在其使高镍三元材料具备高能量密度和更好的充放电性能。使用氢氧化锂作为锂原材料，首次放电容量高达172mAh/g。
2018-09-14 11:36:1417127 近五个月来，国内碳酸锂价格一路下行，连带一直平稳的金属锂价格有所下滑。但纵观氢氧化锂的行情，依然坚挺。目前，电池级氢氧化锂与电池级碳酸锂的价差最高达将近5万元／吨。然而回顾2016年之前，电池级氢氧化锂和电池级碳酸锂的价格几乎持平，可以说是不相上下。
2018-09-18 15:23:001999 以氢氧化钠、氢氧化钾溶液作电介质的蓄电池。一般用于通信、电子计算机、小功率电子仪器作直流电源;也适用于变、配电所继电保护、断路器分合闸和信号回路的直流电源。
2019-11-25 15:37:056691 、化成或涂膏、烘干、压片等方法制成极板；用聚酰胺非织布等材料作隔离层；用氢氧化钾水溶液作电解质溶液；电极经卷绕或叠合组装在塑料或镀镍钢壳内。
2019-12-03 09:20:0812516 碱性锌锰电池是以锌为负极，二氧化锰为正极，氢氧化钠或氢氧化钾为电解质，采取反极式结构制成的电池。
2020-04-16 10:24:094769 碱性锌锰电池供以氢氧化钾水溶液等碱性物质作电解质的锌锰电池，是中性锌锰电池的改良型。
2020-04-16 10:33:546901 第一，电池级氢氧化锂产品在磁物、硫酸根、钠离子等杂质指标上全面严于电池级碳酸锂；生产出高品质的氢氧化锂既要求拥有优质、稳定的上游资源保障，还要求具备锂化工环节的Know-how，未来对生产线的自动化也将提出更高的要求。
2020-08-20 14:08:066414 SMM10月23日讯：据称，LME确定选用氢氧化锂作为锂期货合约标的，并于明年上半年推出。 碳酸锂或氢氧化锂可用于电动汽车可充电电池。氢氧化锂更具优势，因为它可以提供更大的电池容量和更长的使用寿命
2020-10-23 17:40:373777 碳酸锂和氢氧化锂都是电池的原材料，市场上，碳酸锂的价格一直都比氢氧化锂更低一些。这两种材料有何区别？首先，从制备工艺方面看，两者都可以从锂辉石中提取，成本相差不大，但是如果两者互相转换，则需要额外的成本和设备，性价比不高
2020-12-25 19:28:563488 碳酸锂和氢氧化锂都是电池的原材料，市场上，碳酸锂的价格一直都比氢氧化锂更低一些。这两种材料有何区别？
2021-03-18 00:26:44
13 氢氧化钠，无机化合物，化学式NaOH，也称苛性钠、烧碱、固碱、火碱、苛性苏打，可作酸中和剂、 配合掩蔽剂、沉淀剂、沉淀掩蔽剂、显色剂、皂化剂、去皮剂、洗涤剂等，用途非常广泛。氢氧化钠具有强碱性和有
2021-05-28 15:59:412380 我们华林科纳研究了不同醇类添加剂对氢氧化钾溶液的影响。据说醇导致硅蚀刻各向异性的改变。具有一个羟基的醇表现出与异丙醇相似的效果。它们导致(hh 1)型平面的蚀刻速率大大降低，通常在蚀刻凸形图形的侧壁处发展。这就是凸角根切减少的原因。具有一个以上羟基的醇不影响蚀刻各向异性，并导致表面光洁度变差。
2021-12-17 15:27:531194 。在碱性溶液中，TMAH和KOH最广泛地用于湿法各向异性蚀刻。当考虑到互补金属氧化物半导体的兼容性，并且热氧化物被用作掩模层时，使用解决方案。为了获得和氢氧化钾之间的高蚀刻选择性。 即R和Si的显著蚀刻速率，氢氧化钾优于
2021-12-28 16:36:402146 
介绍 于大多数半导体而言，阳极氧化需要价带空穴。因此，人们期望该反应发生在黑暗中的p型半导体和仅在(超)带隙光照射下的n型半导体。 氢氧化钾溶液中硅的化学蚀刻包括两个主要步骤:氢氧化物催化的硅-氢
2021-12-31 15:23:35906 
随机金字塔覆盖的纹理。蚀刻速率和纹理化工艺取决于镀液温度、氢氧化钾浓度、硅浓度和异丙醇浓度等。在此过程中，由于异丙醇的沸点较低(82℃)，镀液的组成发生了变化。在这个过程中它很容易蒸发，必须定期重做。为了简化添加剂和获得更高的初
2022-01-04 17:13:201502 
氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀基底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速率比在其他方向上的蚀刻速率
2022-01-11 11:50:333264 
引言 本文介绍了表面纹理对硅晶圆光学和光捕获特性影响。表面纹理由氢氧化钾(KOH)和异丙醇(IPA)溶液的各向异性蚀刻来控制。（001）晶硅晶片的各向异性蚀刻导致晶片表面形成金字塔面。利用轮廓测量法
2022-01-11 14:41:581824 
上降低了(100)和(h11)面的蚀刻速率。 为了在低氢氧化钾浓度下获得低粗糙度的(100)表面，蚀刻溶液必须含有饱和水平的异丙醇。在我们的研究中，我们研究了异丙醇浓度对具有不同晶体取向的硅衬底的蚀刻速率和表面形态的影响。还研究了氢氧化钾浓度对(
2022-01-13 13:47:262752 
引言 湿化学蚀刻是制造硅太阳能电池的关键工艺步骤。为了蚀刻单晶硅，氢氧化钾溶液被广泛使用，因为它们可以形成具有随机金字塔的表面纹理，从而增强单晶硅晶片的光吸收。对于多晶硅晶片，表面纹理化通常通过在含
2022-01-13 14:47:191346 
根粗糙度在16nm之间，在尖晶石基质上生长的氮化镓的均方根粒度在11和0.3nm之间。 虽然已经发现基于氢氧化钾的溶液可以蚀刻氮化铝和氮化铟锡，但之前还没有发现能够蚀刻高质量氮化镓的酸或碱溶液.在这篇文章中，我们使用乙二醇代替水作
2022-01-17 15:38:052087 
介绍 在本文中，我们首次报道了实现硅111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物，获得暴露出各种面外111平面的硅111的晶体蚀刻。本文描述了用于该研究
2022-01-20 16:46:481197 
本文探讨了紫外辐照对生长在蓝宝石衬底上的非有意掺杂n型氮化镓(GaN)层的湿法化学刻蚀的影响。实验过程中，我们发现氮化镓的蚀刻发生在pH值分别为2-1和11-15的磷酸水溶液和氢氧化钾溶液中。在稀释
2022-01-24 16:30:311662 
索引术语:氮化镓，蚀刻 摘要 本文介绍了我们华林科纳的一种利用氢氧化钾溶液和大面积汞灯照明对氮化镓进行光增强湿法化学刻蚀的工艺。讨论了n+氮化镓、非有意掺杂氮化镓和p-氮化镓样品的结果。 介绍 光电
2022-02-07 14:35:422181 
基于HC1的蚀刻剂被广泛应用于InP半导体器件，HC1溶液中其他酸的存在对蚀刻速率有显著影响，然而，InP并不溶在涉及简单氧化剂的传统蚀刻剂中，为了解决溶解机理的问题，我们江苏华林科纳研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蚀作用和电化学反应。
2022-02-09 10:54:581600 
的抗激光损伤能力。这种比较是在高损伤阈值抛光熔融石英光学器件上设计的划痕上进行的。我们证明氢氧化钾和氢氟酸/硝酸溶液都能有效钝化划痕，从而提高其损伤阈值，达到抛光表面的水平。还研究了这些湿蚀刻对表面粗糙度和外观的影响。我们表明，在
2022-02-24 16:26:034173 
在 KOH 水溶液中进行湿法化学蚀刻期间，硅 (1 1 1) 的绝对蚀刻速率已通过光学干涉测量法使用掩膜样品进行了研究。蚀刻速率恒定为0.62 ± 0.07 µm/h 且与 60 时 1–5 M
2022-03-04 15:07:091824 
，在实现晶片通孔互联的情况下，圆角是必须的。尖角增加了光致抗蚀剂破裂的风险，光致抗蚀剂破裂用于图案化下面的金属。因此，了解最常见的各向异性蚀刻剂（氢氧化钾）的蚀刻行为以及圆角的形状非常重要。本文通过蚀刻
2022-03-07 15:26:14966 
在本文中，我们首次报道了实现硅111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物，获得暴露出各种面外111平面的硅111的晶体蚀刻。本文描述了用于该研究的溶液的化学组成，随后是使用电子和光学显微镜获得的结果。蚀刻的机理，虽然没有完全理解，将在下面的章节中讨论。
2022-03-09 14:35:421074 
高度光滑表面光洁度的45个反射镜。在这项工作中，我们使用了一种CMOS兼容的各向异性蚀刻剂，含有四甲基氢氧化铵(TMAH)和少量(0.1% v/v)的非离子表面活性剂(NC-200)，含有100%的聚氧
2022-03-14 10:51:421371 
本文研究了用金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系，目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因，无论是与表面结构相关，缺陷相关，由于表面存在的氧化层，还是由于有机残差。
2022-03-16 13:08:091159 
利用氢氧化钾蚀刻和银催化蚀刻，在晶体硅片上生成了锥体分层结构，经氟化后表现出较强的抗反射和超疏水性，利用紫外辅助压印光刻技术将分层硅结构转移到NOA63薄膜上，制备了一种柔性超疏水衬底，该方法在光学
2022-03-17 14:34:231034 
本文介绍了一种利用氢氧化钾溶液和大面积汞灯照明对氮化镓进行光增强湿法化学刻蚀的工艺。讨论了n+氮化镓、非有意掺杂氮化镓和p-氮化镓样品的结果。
2022-03-17 15:42:561827 本文根据测量的OCP和平带电压，构建了氢氧化钾水溶液中n-St的定量能带图，建立了同一电解质中p-St的能带图，进行了输入电压特性的测量来验证这些能带图，硅在阳极偏置下的钝化作用归因于氧化物膜的形成
2022-03-17 17:00:082042 
本文我们华林科纳半导体有限公司研究了类似的现象是否发生在氢氧化钾溶液中添加的其他醇，详细研究了丁基醇浓度对（100）和（110）Si平面表面形貌和蚀刻速率的影响，并给出了异丙醇对氢氧化钾溶液的蚀刻结果，为了研究醇分子在蚀刻溶液中的行为机理，我们还对溶液的表面张力进行了测量。
2022-03-18 13:53:01769 
本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法，应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜，通过无损摩擦化学去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鲜硅。因此，可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻，通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度，从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅的蚀刻速率。
2022-03-18 15:39:18954 
使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿蚀刻具有重大意义，这将用于生产微电子包装所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了湿蚀刻对浸入48%高频/水溶液中的硅片厚度耗散、减重、蚀刻速率、表面形貌和结晶性
2022-03-18 16:43:111211 
在本研究中，我们研究了碱性后刻蚀表面形貌对p型单晶硅片少子寿命的影响，在恒温下分别使用30%和23%的氢氧化钠和氢氧化钾溶液，表面状态通过计算算术平均粗糙度(Ra)和U-V-可见光-近红外光学反射率
2022-03-21 13:16:471326 
通过电位学和电位步测量，研究了氢氧化钾溶液中（100）和（111）电极的电化学氧化和钝化过程。在不同的表面之间观察到显著的差异，对n型和p型电极的结果进行比较，得出碱性溶液中硅的电化学氧化必须
2022-03-22 15:36:401282 
在本文章中，研究了球形试样的尺寸参数，以确定哪种尺寸允许可靠地测量各向异性蚀刻中的方向依赖性，然后进行了一系列的实验，测量了所有方向的蚀刻速率。这导致建立了一个涵盖广泛的氢氧化钾蚀刻条件范围的蚀刻
2022-03-22 16:15:00966 
为了形成膜结构，单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻，观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂温度和浓度，用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻剂浓度
2022-03-25 13:26:344201 
效的颗粒去除剂。这种混合物也被称为氢氧化胺、过氧化氢混合物(APM)。SC-I溶液通过蚀刻颗粒下面的晶片来促进颗粒去除；从而松动颗粒，使机械力可以很容易地从晶圆表面去除颗粒。 本文将讨论一个详细的SC-I清洗的化学模型。了解导致氧化物同时生长和蚀刻的
2022-03-25 17:02:504270 
共有旋转轴的多片晶片在蚀刻溶液中旋转，通过化学反应进行蚀刻的表面处理。在化学处理之后，晶片的平坦度，因此为了控制作为旋转圆板的晶圆周边的蚀刻溶液的流动，实际上进行了各种改进。例如图1所示的同轴旋转的多个圆板
2022-04-08 17:02:102777 
旋转轴的多片晶片在蚀刻溶液中旋转，通过化学反应进行蚀刻的表面处理。在化学处理之后，晶片的平坦度，因此为了控制作为旋转圆板的晶圆周边的蚀刻溶液的流动，实际上进行了各种改进。例如图1所示的同轴旋转的多个圆板的配置为基础，旋转圆板和静止圆板交替配置等。
2022-04-12 15:28:161531 
硅晶片的蚀刻预处理方法包括:对角度聚合的硅晶片进行最终聚合处理，对上述最终聚合的硅晶片进行超声波清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅晶片进行SC-1清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅晶片进行佛山清洗后用去离子水冲洗的步骤，对所有种类的硅晶片进行蚀刻预处理，特别是P(111)。
2022-04-13 13:35:461415 
我们展示了在c平面蓝宝石上使用磷酸、熔融氢氧化钾、氢氧化钾和乙二醇中的氢氧化钠生长的纤锌岩氮化镓的良好控制结晶蚀刻，蚀刻速率高达3.2mm/min。晶体学氮化镓蚀刻平面为0001%，1010
2022-04-14 13:57:511880 
我们研究了碱性刻蚀表面形貌对p型单晶硅片少数寿命的影响，在恒温下分别使用30%和23%的氢氧化钠和氢氧化钾溶液，表面状态通过计算算术平均粗糙度(Ra)和U-V-可见光-近红外光学反射率来表征，而电学
2022-04-24 14:59:541064 
为了形成膜结构，单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻，观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂的温度和浓度，用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻剂
2022-05-05 16:37:364132 
本文提出了一种将垂直氮化镓鳍式场效应晶体管中的鳍式沟道设计成直而光滑的沟道侧壁的新技术。因此，详细描述了在TMAH溶液中的氮化镓湿法蚀刻；我们发现m-GaN平面比包括a-GaN平面在内的其他取向
2022-05-05 16:38:032538 
氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于硅晶片微加工最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速度比在其他方向上的蚀刻
2022-05-09 15:09:202627 我们介绍了在氢氧化钾溶液中蚀刻的车轮图案和宽分离的V形槽的硅蚀刻速率测量。数据表明，当使用货车轮图案时，存在反应物耗尽效应，这掩盖了真实的表面反应速率限制的蚀刻速率。与以前的报道相反，从受反应物传输
2022-05-11 16:30:56659 
我们华林科纳研究探索了一种新的湿法腐蚀方法和减薄厚度在100 µm以下玻璃的解决方案，为了用低氢氟酸制备蚀刻溶液，使用NH4F或nh4hf 2作为主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的，研究了混合酸溶液
2022-05-20 16:20:245686 我们华林科纳研究了TMAH溶液中摩擦诱导选择性蚀刻的性能受蚀刻温度、刻蚀时间和刮刻载荷的影响，通过对比试验，评价了硅摩擦诱导的选择性蚀刻的机理，各种表面图案的制造被证明与控制尖端痕迹划伤。 蚀刻时间
2022-05-20 16:37:453558 
本文讲述了我们华林科纳研究了M111N蚀刻速率最小值的高度，以及决定它的蚀刻机制，在涉及掩模的情况下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模结处的成核的影响，以这种方式影响蚀刻或生长速率的结可以被
2022-05-20 17:12:591881 
引用 本文介绍了我们华林科纳半导体研究了取向硅在氢氧化钾水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先，确定控制底切的蚀刻前沿的晶面，并测量它们的蚀刻速率。然后，基于测量数据，检验了凸角补偿技术
2022-06-10 17:03:482252 
镍氢电池是一种碱性电池，其负极采用由储氢材料作为活性物质的氢化物电极，正极采用氢氧化镍电极（简称镍电极），电解质为氢氧化钾水溶液。镍氢电池充电时，氢氧化钾电解液中的氢离子会被释放出来，由这些化合物将它吸收，避免形成氢气，以保持电池内部的压力和体积。
2022-09-07 14:51:0213271 碱性燃料电池（alkaline fuel cell，简称AFC）采用强碱（如氢氧化钾、氢氧化钠）为电解质，氢气为燃料，纯氧或脱除微量二氧化碳的空气为氧化剂。
2022-12-28 16:26:3410325 碱性燃料电池（alkaline fuel cell，简称AFC）采用强碱（如氢氧化钾、氢氧化钠）为电解质，氢气为燃料，纯氧或脱除微量二氧化碳的空气为氧化剂。
2022-12-29 10:37:347658 过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻，这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾（KOH）为蚀刻剂，研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程，测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率，用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据，提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:403202 
硅的碱性刻蚀液：氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺（TMAH）溶液，晶片加工中，会用到强碱作表面腐蚀或减薄，器件生产中，则倾向于弱碱，如SC1清洗晶片或多晶硅表面颗粒，一部分机理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:015052 氢氧化铝中的结晶水含量，高达34.46%，当周围温度上升到300℃以上，这些水分全部析出。由于水的比热大，当其化为水蒸气时需从周围吸取大量热能。氢氧化镁也含结晶水，但含水率仅30.6%，不如氢氧化铝。
2023-07-20 16:31:121537 由于其独特的材料特性，III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH3处理的取向相关蚀刻已经被用于去除III族氮化物材料中干法蚀刻引起的损伤，并缩小垂直结构。
2023-11-30 09:01:581043 
生活中我们经常会看到氢氧化钙的影子，它的应用是非常广泛的，能够应用在建筑、医疗、化工产品生产等多个领域，能够满足不同行业和领域的需求，从而让具有多种功能的氢氧化钙适应不同场景使用要求。而今天我们说
2025-04-01 16:38:25507 
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