单片机（MicrocontrollerUnit，MCU）是一种集成电路芯片，它包含了中央处理器（CPU）、随机存取存储器（RAM）、MCP2515-I/ST只读存储器（ROM）、输入输出端口
2024-03-13 14:21:43
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我有个应用设计，MCU用的是STM32G070rbt6芯片，外扩了一片铁电存储器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作电压下都能正常工作，但铁电存储器FRAM的工作电压
2024-03-13 08:04:03
嵌入式铁电存储器可实现超低功耗微控制器的设计。将铁电存储器添加到微控制器中可以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理，是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性的理想选择，例如传感器与计量仪表到
2024-03-06 09:57:22
ram在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。随机存取存储器（ram）既可向指定单元存入信息又可从指定单元读出信息。
2024-02-19 11:23:31570 
DRAM（动态随机存取存储器）存储器主要通过电容来存储信息。这些电容用于存储电荷，而电荷的多寡则代表了一个二进制位是1还是0。
2024-02-19 10:56:36264 
：基于静态随机存取存储器（SRAM）的FPGA，其配置可以在每次上电时重新加载。这类FPGA具有较高的灵活性，但功耗较高。
Flash-based FPGA ：基于闪存的FPGA，其配置可以在断电后保持。这类
2024-01-26 10:09:17
ROM（Read-Only Memory）是只读存储器，而RAM（Random Access Memory）是随机存取存储器。它们在计算机系统中扮演着不同的角色和功能。 ROM是一种非易失性存储器
2024-01-25 10:46:28611 英飞凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，扩展其集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线。这款新产品的设计初衷是为了满足航空和其他极端环境中的高性能计算需求。
2024-01-24 17:11:39358 铁电存储器通常具有更快的随机存取时间（Access Time），能够更快地执行读取和写入操作。而闪存的存取速度较慢，通常与铁电存储器相比较为迟钝。
2024-01-23 18:17:51517 
当电源断开时，随机存取存储器（RAM）中的数据通常会丢失。这是因为RAM是一种易失性存储器，它必须以恒定的电源供应来维持存储的数据。在断电时，RAM中的电荷会逐渐耗尽，导致其中的数据丢失。在这
2024-01-16 16:30:19843 ADuCM360/1是否支持存储器到存储器DMA传输？
2024-01-15 07:43:09
随着人们对计算机和电子设备的需求不断增长，存储器的种类也越来越多。其中，RAM（Random Access Memory，随机访问存储器）是计算机中最常用的一种存储器。RAM可以分为两种类型，一种
2024-01-12 17:27:15513 MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。
2024-01-09 14:24:03211 
随机存取存储器 (RAM)的名称源自 CPU 访问它的方式，CPU对其进行随机扫描以获取适当的信息，而不是遵循严格的指示。这是为了均衡所有存储的数据位之间的访问时间。
2024-01-06 17:51:33158 
DRAM芯片全称是动态随机存储器，是一种随机存储器（RAM），与CPU直接交换数据，可随时读写且速度快，断电后存储数据丢失，是易失性存储器，也就是俗称的“内存”。
2023-12-26 12:25:561003 
东芝不仅是家电巨头、消费电子巨头，还曾经是全球最大的半导体制造商之一。1985年，东芝率先研发出1M容量动态随机存取存储器(DRAM)。到了次年，东芝1M DRAM月产能超过100万片，包括东芝在内的日本厂商在 DRAM市场的份额则超过80%。
2023-12-21 16:19:48267 
根据协议内容，力成为合作项目提供必要的2.5D和3D先进封装服务，涵盖Chip on Wafer、凸块加工以及矽穿孔技术等多个环节，并优先推荐华邦电的矽中介层和其他尖端产品，如动态随机存取存储器 （DRAM） 和快闪存储器 （Flash） 等进行配合
2023-12-21 10:29:45151 从存储芯片的市场表现来看，两大类别DRAM（动态随机存取存储器）与NAND Flash（闪存存储器）目前的价格较今年谷底都出现了上涨。
2023-12-19 15:19:32136 其中，电阻式随机存取存储器（RRAM）依靠改变电阻水平来存储数据。最近发表在《Angewandte Chemie》杂志上的一项研究详细介绍了清华大学李原领导的研究小组的工作，他们开创了一种制造超分子忆阻器的方法，而忆阻器是构建纳米随机存取存储器的关键部件之一。
2023-12-06 16:05:36341 
如果按照资料里的：0x1419 0x0000 准备从存储器位置0x19读取数据。
0x2000 0x0100 准备从控制寄存器读取数据。SDO输出16位字，其中最后10位包含存储器位置0x19的内容
2023-12-06 06:04:03
在数字电子设备中，存储器是至关重要的部分。它负责存储和检索数据，以支持各种计算和数据处理任务。在存储器市场中，有两种主要的类型：随机访问存储器 ( RAM ) 和只读存储器 ( ROM )。尽管都是存储器，但它们之间存在一些关键区别。
2023-12-05 15:46:17732 
非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM) 是一种即使断电也能保留数据的存储器，提供非易失性存储。
2023-12-05 10:09:56303 DDR4(第四代双倍数据速率同步动态随机存取存储器)是一种高带宽的存储器，今天主要讲述一下DDR4在Layout过程中的一些细节。在DDR的设计过程中，DDR的Layout是十分重要的环节。
2023-11-29 15:39:101474 
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
明渠流量计广泛应用于城市供水引水渠、火电厂冷却水引水和排水渠、污水治理流入等流量的测量。智能明渠流量计系统的测量是通过旋桨式流速传感器来测量流速；通过压力传感器测量水位；采用铁电存储器实现了数据的非
2023-11-27 10:17:05
功能描述：CY7C1470BV25、CY7C1472BV25和CY7C1474BV25是2.5V 2M x 36/4M x 18/1M x 72同步流水线容发无总线延迟的SRAM(NoBL)逻辑
2023-11-24 16:10:46
电表作为一个计量用电量的仪器，电表的精度不但与检测芯片的精度有关，而且与其存储方式有关，如果检测到的电量数据不能随机写入存储器或写入存储器过程出错电表的精度就会大大降低。 在智能电表数据
2023-11-21 09:59:20
低功耗双倍速率同步动态随机存取存储器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)简称为 LPDDR，是DDR SDRAM 的一种，由于广泛用于移动
2023-11-21 09:37:36257 
在同步动态随机存取存储器（SDRAM)的工作模式中，以数据读取速率来分类，有单倍数据速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、双倍数据速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
Distributed Memory Generator IP 核采用 LUT RAM 资源创建各种不同的存储器结构。IP可用来创建只读存储器 (ROM)、单端口随机存取存储器 (RAM) 和简单
2023-11-17 17:00:30687 
20世纪70 年代到 90年代中期，动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是异步接口，这样它可以随时响应控制输入信号的变化从而直接影响
2023-11-17 09:26:27378 ，VM）两大类。例如，人们熟知的闪速存储器 ( Flash Memory，简称 Flash）就属于 NVM，静态随机存取存储器 (Static Random Access Memory， SRAM）和动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)则属于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 根据贸易部周二公布的数据，存储芯片出口同比增长1%，较9月份下滑了18%。多芯片封装产品引领了反弹，增长了12.2%，而利润丰厚的动态随机存取存储器的销售额首次收窄至个位数。
2023-11-15 17:37:26719 后存储内容会丢失的存储器称作易失存储器（Volatile Memory），存储内容不会丢失的存储器称作非易失存储器（Non-Volatile Memory）。 半导体存储器分类 1、按功能分为 （1）随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随
2023-11-15 10:20:01731 
美国消费者新闻与商业频道分析，这意味存储芯片市场可能触底回升。按这家媒体说法，三星电子是全球最大的动态随机存取存储芯片制造商。这家企业生产的存储芯片广泛应用于智能手机和电脑等设备。
2023-11-02 16:57:57530 大家有谁知道AT89C52怎么选择外部存储器，我之前用的是P89V51，选择外部存储器是定义AUXR=0x02;，但是现在想用AT89C52单片了，程序该怎么改了啊？？AT89C52手册上找不到怎么选择外部存储器说明，各位高手有谁知道啊 ？
2023-10-26 06:11:25
本文将介绍芯片设计中动态随机存取存储器（DRAM）的相关知识，包括其工作原理、分类以及在现代电子设备中的应用。
2023-10-23 10:07:34816 对于做快速存储采集数据类产品的用户来说，在处理突发掉电情况时需要保存现有数据并避免数据丢失，这种情况下有很多种解决方案，铁电存储器(FRAM) 就是个很好的选择。FRAM是一种具有快速写入速度
2023-10-19 09:28:15
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，动态随机存取存储器 16Gb低VDDQ移动低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一种高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
使用，需要增添片外存储器。因此铁电存储器（FRAM）是便携式医疗设备的理想解决方案。1、高写入耐久度PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
相同点？
感觉6116数据的存取很简单呀？设置成“写入”状态，在地址端0001-0101依次输入数据0001，0010，0011，0100，0101后，把存储器设置成“读出”状态就可以看到输出端
2023-10-07 08:39:25
CH32X035的存储器分配
可供用户使用的存储器有程序最大 62K 字节的程序闪存存储区(CodeFlash)和256 字节用于用户选择字存储区
由于不想占用程序闪存存储区就研究了一下用户选择
2023-09-30 18:11:10
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
、随机存取存储器、定时器以及并行接口等。微处理器执行存放在程序存储器中的各种保护程序，对由数据采集系统输入到随机存取存储器中的数据进行分析处理，以完成各种继电器保护的功能。 3、数字量输入/输出接口 即开关量输入/输出
2023-09-22 16:34:33545 
CW32F030x6/x8 是基于 eFlash 的单芯片微控制器，集成了主频高达 64MHz 的 ARM® Cortex®-M0+ 内核、高速嵌入式存储器（多至 64K 字节 FLASH 和多至
2023-09-14 07:19:09
CW32F030x6/x8是一款基于eFlash的单芯片微控制器，集成了ARM®Cortex®-M0+内核
主频率高达64MHz，高速嵌入式存储器（高达64K字节的FLASH和高达
8K字节
2023-09-14 07:03:34
Processing Unit，CPU）、随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）、Flash存储器以及其他周边设备。本文将介绍STM32 MCU的技术特点和应用前景。
2023-09-13 17:18:28963 )都是独立和软件可配置的 每个通道都有3个事件标志位DMA半传输DMA传输完成和DMA传输出错 支持存储器->存储器外设->存储器存储器->外设和外设-&
2023-09-13 08:06:16
STM32G431x6/x8/xB器件基于高性能ARM®Cortex®-M4 32位RISC内核。
它们的工作频率高达170兆赫。
Cortex-M4内核采用单精度浮点单元(FPU)，支持所有ARM
2023-09-13 06:03:29
微控制器的处理器类型根据不同的应用而有所不同。可供选择的范围从简单的4位、8位或16位处理器到更复杂的32位或64位处理器。微控制器还可以使用不同类型的存储器，包括易失性存储器，如随机存取存储器
2023-09-07 15:54:332181 或是其他数据处理时，只有这类内存才能够可靠而无延迟地储存传感器所搜集的数据。故此铁电存储器FRAM将是提高这些核心技术的关键元件，无论是BMS，还是VCU，这些系统
2023-09-01 10:04:52
我们知道除了只读存储器外还有随机存取存储器，这一篇将介绍另一种 存储类IP核 ——RAM的使用方法。RAM是 随机存取存储器 （Random Access Memory），是一个易失性存储器，断电丢失。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入或读出数据。
2023-08-29 16:46:071660 
随着高速数据通信的进步，数据更频繁地发送意味着对非易失性存储器的需求增加，因为非易失性存储器可以承受这种频繁的数据操作。铁电存储器是具有物联网新时代所要求的高读写耐久性和快速写入速度的理想存储设备
2023-08-24 10:05:59
和“读写”段，前者包含代码和只读数据，后者包含初始化和未初始化或零初始化(ZI)数据。
通常，“只读”段被放在只读存储器中，而“读写”段在开始执行之前从只读存储器复制到随机存取存储器。
2023-08-24 08:23:51
样机却不能保存经过修改后的参数。
2、经过排查程序后，我们在程序中设置ISPCON的APUEN位为1后，3台样机均能正确保存经过修改后的参数。
所以在此想问一问，这个是不是NANO100芯片内部的BUG呢? 为何在没有设置ISPCON的APUEN位为1的情况下也能擦出和并写入FLASH存储器呢？
2023-08-24 08:20:58
技术，每种技术都具有不同的特性和高级功能。双数据速率 (DDR) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM) 已成为主系统存储器最主流的存储器技术，因为它使用电容器作为存储元件来实现高密度和简单架构、低延迟和高性能、无限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
铁电存储器被用于医疗病人治疗是生命监护仪，记录或监控病人的生命体征—心率、脉搏、血压、体温等。这些监护仪存储着病人预先记录的基准信息，可以和最近测量的数据进行对照，如果发生异常情况，监护仪就会
2023-08-16 10:30:26
动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。
2023-08-03 12:27:03649 
动态随机存取存储器（RAM）
•片上系统（SoC）外围设备中已经存在的高速链路。
TMC也可以作为系统中的先进先出（FIFO）操作。这减少了跟踪
通过平均跟踪带宽得出溢出和跟踪端口大小
2023-08-02 14:35:05
，用于从计算机的RAM（随机存取存储器）或其他设备的内存中提取关键信息，以便了解设备在特定时间点的状态和活动。内存取证的主要目的？内存取证的主要目的是获取在计算机或设
2023-08-01 11:21:511056 
一个可随时存取数据的存储器，即可读(取)或写(存)的存储器，简称ram。
2023-07-25 15:28:37641 该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
静态随机存取存储器(SRAM)和嵌入式闪存、一个提供时钟、复位和电源管理功能的模拟子系统以及模数转换器(ADC)子系统组成。本数据手册描述ADuCM4050 MCU的A
2023-07-17 15:08:25
和微控制器单元 (MCU) 子系统。ADuCM300 具有 128 kB 程序闪存/EE、4 kB 数据闪存/EE 和 6 kB 静态随机存取存储器 (SRAM)
2023-07-17 13:56:20
ADSP-21992进一步扩展了ADSP-2199x混合信号DSP产品系列的性能，可提供32K字程序存储器RAM和16K字数据存储器RAM。此外，ADSP-21992还可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 17:01:58
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 11:31:16
随机存取存储器（RAM）用于实时存储CPU正在使用的程序和数据。随机存取存储器上的数据可以被多次读取、写入和擦除。RAM是存储当前使用的数据的硬件元素。它是一种易失性存储器。
2023-07-06 14:22:271949 的信息不会丢失，且锂电池还存在使用寿命的问题，所以当使用了FRAM（铁电存储器）上述问题就将迎刃而解。将国产FRAM PB85RS128替代以前SRAM组成的显示屏
2023-06-28 11:43:30
，非易失性存储器在计算机关闭后存储数据仍保留在计算机中。易失性存储器的主要特征是它们需要电源来维持其存储状态。主要分为两种类型：静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。 1963年，Fairchild发明了SRAM。作为即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 静态随机存储器(SRAM: Static Random Access Memory) 和动态随机存储器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
随机存取存储器(SRAM)，而系统存储器(4KB)除可作启动加载程序(Bootloader)外，也可一次性配置成一
般用户程序和数据区，达到64+4KB的最大空间使用。片上还集成1个OTG控制器(设备模式支持
2023-06-08 16:10:08
铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上，铁电
2023-06-08 09:52:17
随机存储器可以随时从任何一个指定地址中读出数据，也可以随时将数据写入任何一个指定的存储单元中
2023-06-05 15:49:47785 
作为一种非易失性存储器，铁电存储器兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点，虽然容量和密度限制了其大规模应用，但在要求高安全性与高可靠性等工业应用场合，铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低及高抗干扰能力得到用户的青睐。
2023-06-01 10:57:52134 
无论是在网飞上看电影、玩电子游戏，还是单纯地浏览数码照片，你的电脑都会定期进入内存获取指令。没有随机存取存储器（RAM），今天的计算机甚至无法启动。
2023-05-30 15:19:55316 主存储器的主要技术指标
* **存储容量**
存储器可以容纳的二进制信息量（寻址空间，由CPU的地址线决定）
* **实际存储容量：** 在计算机系统中具体配置了多少内存。
* **存取速度：** 存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间，也称为读写周期；
2023-05-26 11:28:10823 
SDRAM是动态随机存取存储器，与CPU的时钟速度同步。SDRAM也代表SDR SDRAM（单数据速率SDRAM）。单数据速率意味着SDR SDRAM在一个时钟周期内只能读/写一拍数据。在传输下一个读/写操作之前，需要等待命令完成。SDR 速度从 66 MHz 到 133 MHz 不等。
2023-05-26 10:43:371535 
和耐久性设计，这些要求使国产铁电存储器PB85RS2MC成为最佳的存储选择。 PB85RS2MC配置为262,144×8位，是通过铁电工艺和硅栅CMOS工
2023-05-26 10:14:23
。
EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的rom来讲的。但是今天已经存在多种
2023-05-19 15:59:37
Flash的容量往往较小。NOR设备在每次写操作时都必须以块的方式写入数据。并行NOR闪存利用静态随机存取存储器(SRAM)快速访问芯片的可寻址区域，实现了存储字节的快速访问。与NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
在定义方面它们有本质的区别，硬盘属于“ 非易失性存储器”，而内存是“随机存取存储器”，属于“易失性存储设备“。
2023-05-17 15:40:191540 描述♦ BL24C256A提供262144位串行电可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织为32768字，每个8位。♦ 该设备被优化用于许多工业和商业应用，其中低功率和低压操作是必不可少
2023-05-17 10:19:18
描述♦ BL24C02F提供了2048位的串行电可擦除和可编程的只读存储器（EEPROM），组织为256个字，每位8位。♦ 该设备被优化用于许多工业和商业应用，其中低功率和低压操作是必不可少的。特点
2023-05-16 17:50:19
描述♦ BL24CM2A提供2097152位串行电可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织为262144字，每个8位。♦ 该设备被优化用于许多工业和商业应用，其中低功率和低压操作是必不可少
2023-05-16 17:42:25
EMI Serial SRAM是为串行接口的SRAM，外扩SRAM可以通过使用SPI的接口来将外部RAM添加到几乎所有应用中。串行访问的静态随机存取存储器采用先进的CMOS技术进行设计和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
RAM ：随机存取存储器（random access memory，RAM）又称作“随机存储器”。
2023-04-25 15:58:205062 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462545 。随机存取存储器(random access memory，RAM)又称作\"随机存储器\"。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将
2023-04-10 16:43:04
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在较慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上运行，但还允许系统设计人员利用MRAM的四倍随机存取周期时间。Everspin
2023-04-07 16:26:28
设备基于运行频率高达 80 MHz 的第 2 版 ColdFire 内核，以实现性能和低功耗。片上存储器与处理器内核紧密耦合，包括 512 KB 闪存和 64 KB 静态随机存取存储器 (SRAM)。片
2023-03-31 08:49:25
ReRAM代表电阻式随机存取存储器，是一种非易失性存储器，具有如低功耗和快速写入的特长。该存储器在所有存储器产品中的读取电流都最小，特别适合于助听器等可穿戴设备。
2023-03-25 15:49:351054
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