ISSI具有纠错功能的Async SRAM

近年来，对精密半导体存储器的需求已从个人计算机市场扩展到了汽车，通信和数字消费，工业及医疗市场。这些产品需要增加内存容量，以帮助处理大量数据。ISSI为汽车，通信，数字消费者以及工业和医疗提供了高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。
 
IS61/64WVxxxxxEDBLL系列是具有纠错(ECC)功能的异步静态随机存储器(Async SRAM),该器件内置独立的ECC单元，极大程度提升了数据的完整性;同时得益于先进的设计理念及65nm的制程工艺,期耗、读写速度均处于业界领先水平。

 
产品主要特性:
●每-字节都带有独立的纠错单元; .
●纠错单元可以侦测到数据错误，組为悔一字节纠正- 比特的错误,大幅度降低SER,提升可靠性;
●可直接替代现有的无ECC功能的标准SRAM器件，客户不必更改原有的电路板设计即可使用以提高系统可靠性。
●最快存取时间可达到8ns
●温度范围可达-40°C到+125C

带有ECC纠错功能的异步SRAM可以在芯片内部侦测并纠正数据错误，最大限度地提高了数据的可靠性。相较于传统ECC电路设计方法,该器件所有校验及纠错动作在片内完成，无需另外的错误校正芯片,从而简化.了硬件线路及软件算法设计，同时节省电路板空间。该器件可满足不同应用对数据完整性的严苛要求，广泛适用于汽车，医疗,工控及通讯领域。
 
 
ISSI代理商高速异步SRAM 

型号	容量	位宽	电压	速度	封装
IS64WV51216EDBLL	8Mb	512Kx16	2.4-3.6V	10	TSOP2(44),BGA(48)
IS61WV10248EDBLL	8Mb	1Mx8	2.4-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)
IS61WV51216ALL/BLL	8Mb	512Kx16	1.65-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)
IS61WV51216EDALL/BLL	8Mb	512Kx16	1.65-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)
IS61WV25632ALL/BLL	8Mb	256Kx32	1.65-3.6V	8,10,20	BGA(90)
IS61WV10248ALL/BLL	8Mb	1Mx8	1.65-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)

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