扬杰科技推出IGBT PIM模块产品，分别有P2、P3两款封装外形，1200V，电流10A~35A，芯片参数稳定，一致性优异
2020-07-22 14:42:19
3132 ，IGBT、超结MOSFET等中高压产品也受到了更多关注，不过面对第三代半导体在新能源领域的强势冲击，未来增速面临放缓迹象。 然而在低压领域的硅基MOSFET市场，SGT MOSFET正在获得快速增长。SGT MOSFET在性能上带来了新的升级，并逐步取代传统的Trench（
2024-08-02 00:13:0011133 
电子发烧友网综合报道 200V低压MOSFET数据中心电源、BLDC电机驱动、新能源等领域应用广泛，在低压领域MOSFET，SGT MOSFET由于其性能优势，正在获得快速增长，逐步取代传统
2025-07-12 00:15:003191 电子发烧友网综合报道，扬杰科技是集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的厂商。公司已经推出了分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模块
2025-08-11 08:08:005286 压场效率管（MOSFET）MOS管型号：HC021N10L-AMOS管参数：100V35A内阻：22mR（VGS=4.5V）结电容：1880pF类型：SGT工艺NMOS开启电压：1.8V封装：TO-252惠
2020-11-12 09:52:03
SGT100A罗德与施瓦茨SGT100A-------------------------------------------公司名称：深圳市捷威信电子仪器有限公司联系人：谭会平
2021-08-06 09:35:51
HGK075N10L【TO-252、100V15A、VGS=20V、Vth=1.65V、75mR@10V、SGT工艺】
HGK075N10L 是一款面向中低压功率场景的N 沟道 SGT 工艺
2025-11-17 14:04:46
倒计时！就在明天！大咖打call 第二弹！OpenHarmony开源大师兄新品发布会，6月30日10:00重磅开启。立即报名：OpenHarmony开源大师兄新品发布会
2022-06-29 13:59:54
R&S罗德SGT100A回收射频信号源供应热线：***供应VX号：15015200707供应QQ:3140751627（同微）koukou:三一四零七五一六二七(同微)R_SSGT100
2021-06-24 16:22:34
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
德国罗德与施瓦茨SGT100A/SGS100A射频信号源公司名称：深圳市捷威信电子仪器联系人：刘*** V：18025446127座机号：0755-27538807QQ
2021-09-26 08:57:49
德国罗德与施瓦茨SGT100A矢量射频信号源公司名称：深圳市捷威信电子仪器联系人：刘*** V：18025446127座机号：0755-27538807QQ：2770811561Ｅ－mail：liu
2021-10-09 10:46:49
管（MOSFET）MOS管型号：惠海半导体HG012N06LMOS管参数：60V50A（50N06）内阻：11mR（VGS=10V）结电容：550pF 类型：SGT工艺NMOS开启电压：1.8V封装
2020-08-29 14:51:46
全国回收SGT100A、高价收购R&S SGT100A信号发生器本公司大量回收二手仪器上门回收现金回收高价回收无论你在哪，只要你想卖，一个电话，我们上门回收！R&S®SGT100
2018-11-23 16:33:09
如题，最近国产的rsic-v的mcu有什么新品发布。那种超低功耗的！
2024-04-13 07:58:52
20V P 沟道增强型MOSFET管
20V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:36:20
23 30V P 沟道增强型MOSFET管
30V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:42:0929 8月22日，扬杰科技发布其2019年上半年业绩报告。数据显示，2019年上半年扬杰科技实现营业收入8.91亿元，同比增长1.50%；实现归属于上市公司股东的净利润8660.49万元，同比下降44.44%。
2019-08-25 11:11:453172 由扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）主办的共创共享，合作双赢||扬杰科技充电桩功率器件解决方案推介会在深圳JW万豪大酒店正式召开。
2020-07-27 11:10:032633 扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）首次亮2020（第二届）半导体大会。
2020-08-26 17:16:041494 产品特点
1、优异的开关特性和导通特性；
2、更好的导通电阻温度特性，显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性；
3、配合先进的封装技术，SGT MOSFET器件有助于提升系统效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:434609 
的电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统，是核心功率控制部件。 SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET结构及工艺制造方法，因其不需要在沟槽内生长厚的屏蔽电极介质层，同时Bsg具有良好的高温回流特性，具备良好的沟槽填充能力，可以将沟槽CD极大程度缩小
2020-12-25 14:02:0731772 MOSFET大致可以分为以下几类：平面型MOSFET；Trench （沟槽型）MOSFET，主要用于低压领域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽栅沟槽）MOSFET，主要用于中压和低压领域；SJ-（超结）MOSFET，主要在高压领域应用。
2021-01-22 08:41:4211404 扬杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET产品，采用先进的SGT （Shield Gate Trench MOSFET） 制程工艺，针对电机驱动、BMS等应用设计，优化BVdss、Rdson、Qg等参数性能同时，提升MOSFET抗冲击电流能力。
2022-04-08 15:01:342714 
NP50P06D6(60V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:342966 
NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:232635 
NP16P10G(100V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-18 09:06:003102 
NP2P10MR(100V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-18 09:14:572243 
展会，扬杰科技盛装亮相，现场丰富的半导体分立器件产品系列在各应用端的解决方案，吸引了全国各地的客户在展台处驻足参观和咨询，扬杰应用工程师团队给客户提供了专业的产品方案建议以及实际案列分享。 展会上，扬杰科技成功举办了SiC、IGBT、MOSFET新品发布会以
2022-11-18 15:16:41604 揭秘WAYON维安新研发的SGT MOSFET，三大优势前途无量！
2023-01-06 12:59:083573 
20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMH950UPE
2023-02-07 18:54:170 30 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMH850UPE
2023-02-07 18:54:360 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMH550UPE
2023-02-07 18:54:520 30 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMH1200UPE
2023-02-07 18:57:040 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMV50XPA
2023-02-07 19:08:130 100 V，P 沟道沟槽 MOSFET-PXP1500-100QS
2023-02-15 18:51:490 30 V、P 沟道沟槽 MOSFET-NXV100XP
2023-02-16 21:22:490 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6Y33-60P
2023-02-17 18:44:050 100 V，P 沟道沟槽 MOSFET-PMV240SP
2023-02-17 19:41:560 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK4D38-20P
2023-02-17 19:54:330 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK4D110-20P
2023-02-17 19:56:520 100 V，P 沟道沟槽 MOSFET-PXP400-100QS
2023-02-20 18:48:420 30 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6Y10-30P
2023-02-20 19:03:030 30 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6Y19-30P
2023-02-20 19:03:191 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMV100EPA
2023-02-20 19:03:300 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMN100EPA
2023-02-20 19:03:400 40 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6Y24-40P
2023-02-20 19:06:230 40 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6Y14-40P
2023-02-20 19:12:590 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6Y61-60P
2023-02-20 19:13:270 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMPB100XPEA
2023-02-20 19:30:130 100 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D385-100E
2023-02-20 19:57:310 30 V，N 沟道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:000 N 沟道 LFPAK 100 V、27.5 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN028-100YS
2023-02-22 18:47:050 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D120-60P
2023-02-22 18:53:020 70 V，P 沟道沟槽 MOSFET-PMT200EPE
2023-02-23 18:51:161 40 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D43-40P
2023-02-23 19:03:480 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMV100XPEA
2023-02-23 19:22:080 20 V、2 A P 沟道沟槽 MOSFET-NX2301P
2023-02-27 18:36:240 摘要：CMSH10H12G是一款高性能的100V N-Channel SGT MOSFET。该器件采用SGTLV MOSFET技术，具有出色的Qg*Ron产品(FOM)，极低的导通电阻(Ron
2023-06-08 14:24:222022 
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技术。它具有快速开关和改进的dv/it能力，适用于MB/VGA、POL应用和DC-DC转换器等领域。本文将介绍CMS4070M的特点、应用领域以及关键性能参数。
2023-06-08 14:28:282136 
安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:451376
贺
捷报频传 再获佳绩
扬杰科技荣获“江苏省
2023-10-24 19:30:05828 
供应SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T) 20A600V单管igbt，提供SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T)关键参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 15:29:481 供应全桥逆变IGBT耐压600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:02:491 供应ups逆变器igbt单管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a规格书参数 ，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-04 10:39:345 近日，据邗江发布消息，在维扬经济开发区先进制造业项目新春集中签约仪式上，扬州扬杰电子科技股份有限公司副董事长梁瑶信心满满地告诉记者，“去年扬杰电子实现开票销售60亿元，今年有望取得更大突破。”
2024-02-20 09:34:581974 近日，国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度刷新业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:192224 在新能源市场迅猛发展的浪潮中，功率器件作为电力电子变换系统的核心部件，其能效和封装性能的提升显得尤为重要。为了满足市场对高性能功率器件的迫切需求，扬杰科技近日隆重推出了一系列新型SJ MOSFET产品，特别针对光伏微逆变、工业电源和服务器电源等应用进行了优化设计。
2024-06-28 09:53:251090 2024年7月8-10日，为期三天的慕尼黑上海电子展圆满落幕，扬杰科技凭借卓越先进的展品、行业应用解决方案、独具一格的展台设计，现场销售人员、FAE、PM、行业经理等进行专业接待交流，吸引大量新老客户来现场进行互相交流探讨，展会现场人流如织，使得扬杰科技成为本次展会一大亮点。
2024-07-14 10:06:431264 近日，扬杰科技推出了专为PC主板应用设计的High-side+Low-side PDFN5060 N30V Mosfets。该产品采用了先进的SGT技术，具有出色的电气性能。
2024-10-12 15:59:231276 uSGT MOSFET的市场前景 SGT-MOS的全称是“Split Gate Trench-MOSFET”，中文叫屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET。SGT-MOS严格意义上来说，在工艺上并没有
2024-11-08 10:36:3412782 
扬杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK产品，产品均采用开尔文接触，明显减少了开关时间，降低了开关损耗，支持更高频率的应用与动态响应；同时相比插脚器件降低了电路板空间，增加了电路板的集成化，非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统
2024-11-27 14:15:381287 
新洁能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET产品是基于传统沟槽式MOSFET的改进版本，其出色的导通电阻、品质因子和快速硬开关能力，为电源设计人员提供了解决提高系统效率
2024-11-30 09:18:331481 近日，喜讯传来，扬杰科技全资子公司MCC（越南）工厂正式步入通线阶段。这一里程碑式的成就标志着扬杰科技在积极开拓国际市场、加速全球化进程上迈出了坚实的一步。
2024-12-16 11:29:212836 风云榜颁奖典礼”在上海·上海中心成功举办。会上，主办方重磅发布了《2024中国半导体企业TOP100》榜单，扬杰科技位居第16位。 据了解，“中国半导体企业TOP100”进入门槛需要营业收入3亿元以上。TOP50的营收门槛已经超过10亿元，基于中国资本市场对半导体企业的估值，基本上也对应了
2024-12-21 10:27:043216 
上海贝岭推出150V SGT MOSFET系列产品。贝岭150V SGT系列产品采用业界先进工艺，使得器件具有良好的栅极漏电流IGSS性能；采用深沟槽、多层外延衬底以及多重浮空环终端结构，使得器件
2025-01-03 10:19:162056 
SGT MOSFET，即屏蔽栅沟槽MOSFET，是一种先进的功率半导体器件。这种技术改变了MOSFET内部电场的形态，将传统的三角形电场进一步的变更为类似压缩的梯形电场，可以进一步减小EPI层的厚度，降低导通电阻Rds(on)。
2025-01-22 13:55:545893 
近日，全球碳化硅（SiC）功率半导体领域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款专为中压大功率转换应用而设计的1700V SiC MOSFET系列新品。此次发布的QSiC™ 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58999 扬杰科技于2024年推出了一系列用于汽车电子的N60V SGT MOSFET，产品采用特殊优化的SGT技术，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，可以支持更高频率与动态响应。
2025-04-01 10:39:531036 
Mosfet新品与微沟槽IGBT单管，前者采用高密度沟槽设计，导通电阻降低20%，适用于服务器电源与消费电子快充；后者通过背面加工工艺优化，饱和压降与关断损耗双降，可提升变频器能效5%以上。 二 技术论坛 共探发展 展会现场，扬杰科技的技术专家也带来了两场关于SiC、IGBT的专业
2025-05-09 10:11:561318 
近日，全球第一大汽车零部件技术供应商博世集团（BOSCH）全球电子和软件采购高级副总裁Gohlicke Bernd、全球电子和软件采购副总裁Sbanski Oliver率队莅临扬杰科技。扬杰
2025-05-19 09:27:42985 在服务器电源、工业驱动及新能源领域，MOSFET的性能直接决定系统的能效与可靠性。为满足高密度、高效率需求，MDD辰达半导体推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N沟道增强型MOS)凭借3.5mΩ低导通电阻与屏蔽栅优化技术，为同步整流、电机驱动等场景提供高效解决方案。
2025-05-21 14:04:381107 
近日，扬杰科技副董事长刘从宁率项目团队专程前往维扬经济开发区管委会拜访，代表企业向管委会主任仇震及领导班子郑重递交送上印有 “政企联动创效率，高效服务助发展” 的鲜红锦旗，致谢管委会在扬杰科技7号厂
2025-05-30 16:22:54820 作为国内MOSFET功率器件研发的先行者之一，新洁能始终致力于功率半导体核心技术的突破，其研发团队持续创新，正式推出第三代SGT产品Gen.3 SGT MOSFET，电压涵盖25-150V系列产品
2025-06-11 08:59:592501 
极型晶体管（IGBT）和快速恢复二极管（FWD），适用于多种高功率应用场景，展现了扬杰电子在功率半导体领域的技术实力。 产品概述 MG35P12E1A是一款电压等级为1200V、额定电流35A的IGBT模块，其设计兼顾了高效能与可靠性。模块采用低电感封装技术，具有低
2025-06-18 17:52:14645 
扬杰科技最新推出了一系列用于清洁能源的N60V MOSFET产品，产品采用特殊优化的SGT技术，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，同时提升了MOSFET抗冲击电流能力，非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。
2025-06-27 09:43:531352 
扬杰科技近日推出SOD-323HE封装TVS新品，产品散热性能优，背部Pad面积大，对比SOD-123FL散热路径更改，由原来的引脚散热更改为背部金属板Pad散热，金属散热面积增大89% 。同时封装外形小，比SOD-123HE封装长度降低56%，宽度降低56%，满足封装小型化的发展趋势。
2025-07-21 11:43:011210 
扬杰科技近日推出了一系列用于汽车电子的P60V MOSFET产品，产品具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，可以支持更高频率与动态响应，同时优化MOS产品EAS能力
2025-08-13 17:57:012747 
2025年8月8日上午，扬杰科技与北京一高科技控股集团（简称“北京一高科技”）联合办学签约仪式在扬杰科技顺利举行。
2025-08-13 18:02:161214 N100V MOSFET产品采用特殊优化的SGT技术，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，同时提升了MOSFET抗雪崩冲击能力。
2025-09-15 09:57:56624 
在功率半导体国产化浪潮中，ZK100G200P凭借“性能对标进口、成本更具优势”的特点，成为打破国际品牌垄断的关键力量。其100V/205A参数组合、SGT工艺带来的高频低损耗特性。
2025-10-15 11:20:36513 
在中小型功率电子设备朝着“小型化、低功耗、高可靠性”升级的进程中，MOSFET作为电能控制的核心器件，其性能与尺寸的平衡成为设计关键。中科微电推出的ZK100G08TN沟道MOSFET，以100V
2025-10-21 10:54:37324 
在功率电子领域，“适配性”与“可靠性”是器件立足市场的核心。中科微电推出的ZK100G08PN沟道MOSFET，以100V耐压、88A连续漏极电流为性能基底，融合SGT（超结沟槽栅）先进工艺与经典
2025-10-21 11:38:20301 
中科微电ZK100G325P作为N沟道功率MOS管，以100V耐压、超300A持续电流的硬核参数，融合SGT（屏蔽栅晶体管）工艺与高适配封装，不仅精准破解这一行业痛点，更在工业驱动、新能源储能、消费电子三大领域构建起“高效能-高可靠-低成本”的应用生态，成为国产中低压大功率器件的标杆选择。
2025-10-24 17:53:57912 
2025年10月28日上午8时56分，扬杰科技先进封装项目（一期）开工仪式在五号厂区举行。扬州维扬经济开发区党工委副书记、管委会主任仇震，管委会副主任潘健年，扬杰科技董事长梁勤等领导及参建单位、企业员工代表出席，共同见证这一重要时刻。
2025-10-31 16:11:29745 扬杰科技 2025 “装备系列”之 东风汽车产业链供需对接交流活动 —会议回顾— 11月28日，“2025《装备强国》系列之东风汽车产业链供需对接交流活动”在东风汽车集团有限公司研发
2025-12-02 11:03:36411 
2025年12月2日，扬杰科技与奔驰正式签订长期合作协议。此次合作历经近两年的深度对接，标志着扬杰科技在核心产品竞争力与全球市场拓展方面取得积极进展，为公司优化高端客户网络、稳固行业市场地位奠定了坚实基础。
2025-12-10 18:01:431166 12月6日下午，江苏省委副书记、省长刘小涛一行莅临扬杰科技调研，扬州市委书记王进健，扬州市委副书记、秘书长焦庆标，邗江区委书记张新钢等陪同，扬杰科技董事长梁勤、副董事长梁瑶热情接待。
2025-12-10 18:04:041579 长晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工艺。在30V电压平台，与Gen1.0相比，Fom值可降低50%，超同期欧美系水平12.5%；相比上一代，Rsp值可降低41.6%，超同期欧美系水平
2025-12-18 10:08:23272 
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