扬杰科技推N80V-N85V系列MOSFET产品
扬杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET产品，采用先进的SGT （Shield Gate Trench MOSFET） 制程工艺，针对电机驱动、BMS等应用设计，优化BVdss、Rdson、Qg等参数性能同时，提升MOSFET抗冲击电流能力。
N80V-N85V系列MOSFET产品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多种封装形式可以选择。广泛应用于电池管理系统、储能系统、逆变电源系统、电机驱动系统、电源管理系统等，是其核心的功率控制部件。
扬杰科技目前已推出N40V、N60V、N80V-N85V、N100V、N120V等多个SGT工艺系列产品，解决客户的多种应用需求。
产品特点
1.采用SGT工艺，极低的Rdson和优异的开关特性，带来更低的FOM，减小系统损耗。
2. 和传统Trench工艺比Ciss/Qg参数都有大幅优化，设计MOSFET驱动时有更多选择。
3.针对系统应用中的各种异常工作状态，优化MOS产品EAS特性，提高系统可靠性。
电性参数
应用领域
• PD电源
• 逆变器电源
• 锂电池BMS
• 电机驱动
审核编辑：彭菁
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
152文章
10886浏览量
235357 -
电源管理
+关注
关注
117文章
8687浏览量
148335 -
扬杰科技
+关注
关注
1文章
159浏览量
12429
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
探索 onsemi NTPF600N80S3Z 800V N 沟道 SUPERFET III MOSFET
了解 onsemi 推出的 NTPF600N80S3Z，一款高性能的 800V N 沟道 SUPERFET III MOSFET。 文件下载： NTPF600
探索onsemi NTPF450N80S3Z 800V N沟道MOSFET的卓越性能
探索onsemi NTPF450N80S3Z 800V N沟道MOSFET的卓越性能 在电子设计领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半
深入了解 onsemi NTPF360N80S3Z 800V N 沟道 SUPERFET III MOSFET
、稳定性和可靠性。今天，我们就来详细探讨 onsemi 推出的 800V N 沟道 SUPERFET III 系列中的 NTPF360N80S3Z
探索 onsemi NTP360N80S3Z 800V N 沟道功率 MOSFET
onsemi 的 NTP360N80S3Z 800V N 沟道功率 MOSFET，了解其特性、应用以及在实际设计中的注意事项。 文件下载： NTP360
800V N沟道功率MOSFET：NTD600N80S3Z的特性与应用
800V N沟道功率MOSFET：NTD600N80S3Z的特性与应用 在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率开关器件，对电源转换效率、
探索 onsemi NTD360N80S3Z 800V N 沟道功率 MOSFET 的卓越性能
。今天，我们将深入探讨 onsemi 推出的 NTD360N80S3Z 800V N 沟道功率 MOSFET，了解它的特点、应用以及关键参数。 文件下载： NTD360
深入解析 onsemi FQP3N80C 和 FQPF3N80C N 沟道 MOSFET
onsemi 公司的两款 N 沟道增强型功率 MOSFET——FQP3N80C 和 FQPF3N80C，了解它们的特点、参数以及应用场景。 文件下载： FQPF3
Onsemi FQP3N80C与FQPF3N80C MOSFET深度解析
控制电路中。今天我们来深入了解Onsemi公司的两款N沟道增强型功率MOSFET——FQP3N80C和FQPF3N80C。 文件下载： FQPF3N
FQP6N80C / FQPF6N80C N-Channel QFET® MOSFET的技术解析与应用指南
QFET® MOSFET这款产品。 文件下载： FQPF6N80C-D.pdf 产品概述 FQP6N80C / FQPF6
Onsemi FCPF290N80：800V N沟道MOSFET的卓越性能与应用
了解Onsemi的FCPF290N80这款800V N沟道MOSFET，探讨它的特性、参数以及应用场景。 文件下载： FCPF290N80-
深入解析CSD19503KCS 80V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
深入解析CSD19503KCS 80V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 在电子工程师的日常设计工作中，功率 MOSFET 是不可或缺的重要元件。今天，我们
深入解析CSD19502Q5B 80V N - Channel NexFET™ Power MOSFET
： csd19502q5b.pdf 一、产品概述 CSD19502Q5B是一款采用SON 5mm × 6mm塑料封装的80V N沟道功率MOSFET，专为降低功率转换应用中的损耗而设计
CSD19505KTT 80V N-Channel NexFET™ Power MOSFET：特性、应用与技术解析
CSD19505KTT 80V N-Channel NexFET™ Power MOSFET：特性、应用与技术解析 在电子设计领域，功率MOSFET作为关键元件，对提高电源转换效率、降
扬杰科技推出用于PD电源的N100V MOSFET产品
N100V MOSFET产品采用特殊优化的SGT技术，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，同时提升了MOSFET抗雪崩冲击能力。
评论