RDS(on)低至8.6mΩ，扬杰推出200V MOSFET Gen2.0系列

电子发烧友网综合报道 200V低压MOSFET数据中心电源、BLDC电机驱动、新能源等领域应用广泛，在低压领域MOSFET，SGT MOSFET由于其性能优势，正在获得快速增长，逐步取代传统的Trench MOSFET。

SGT MOSFET全称Shielded Gate Trench MOSFET，即屏蔽栅沟槽MOSFET。SGT MOSFET基于传统沟槽MOSFET，通过结构的改进从而提升稳定性、低损耗等性能。传统平面型MOSFET中，源极和漏极区域是横向布局的，栅极在源极和漏极区域的上方，形成一个平面结构。

沟槽MOSFET则是源极和漏极区域垂直于半导体表面，栅极被嵌入到硅片中的沟槽内，形成垂直结构。相比传统的沟槽MOSFET，SGT MOSFET采用深沟槽结构，“挖槽”更加深入，栅极被嵌入到硅片的深槽中。同时SGT MOSFET在沟槽内部有一层多晶硅栅极（主栅极），其上方还有一层多晶硅屏蔽栅极，这个额外的屏蔽栅极可以调节沟道内的电场分布，从而降低导通电阻并提高开关性能。

由于屏蔽栅的存在，SGT MOSFET可以更有效地控制电场分布，从而减少寄生效应，降低开关损耗和导通损耗。也由于结构和更优的电场分布，SGT MOSFET可以在相同的击穿电压下使用更小的单元尺寸，从而减小芯片面积。

所以，SGT MOSFET相比传统的沟槽MOSFET，导通电阻和开关损耗可以更低，尤其是在中低压的应用领域中，屏蔽栅结构有助于提高器件可靠性，其高效率以及紧凑的芯片尺寸也能够更加适合这些应用。

最近扬杰推出了其200V MOSFET Gen2.0系列产品，正是采用了SGT工艺。该系列SGT MOSFET支持最低8.6mΩ的RDS(on)，同时优化了正温度系数特性，支持多管并联均流，带来更低的导通损耗。

在开关性能上，优化了栅电荷总量 Qg, 显著降低开关振铃风险，同时消除体二极管反向导通损耗，提供了更低的切换损耗。

提供PDFN5060, TO-220F, TO-247-3L，TO-263等封装选项，其中TO-247封装下结壳热阻 RθJC ≤ 0.5℃/W，提供高效散热。芯片最高工作结温175℃，提供出色的散热性能，优异的温升表现。MOS产品EAS能力也得到优化，提高产品的可靠性。

SGT MOSFET在中低电压场景下由于更强的稳定性，更低的导通电阻和开关损耗，未来对Trench MOSFET有取代的趋势。由于应用广泛，目前主流的功率半导体企业都已经推出200V及以下的SGT MOSFET产品，包括华润微、捷捷微电、新洁能、士兰微、东微半导体等。随着产品的逐步替代，国内功率厂商也将会有更多的机会。