NP2P10MR(100V P沟道增强模式MOSFET)
1.描述
NP2P10MR采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON)、低栅电荷和高
超低导通电阻密度电池设计。这个该器件适合用作负载开关或PWM申请。
2.一般特征
* VDS=-100V，ID=-2A
* RDS(ON)（典型值）=237 MΩ@VGS=-10V
* RDS(ON)（典型值）=268 mΩ@VGS=-4.5V
（一）高切换速度
* 改善dv/dt能力
* 低栅电荷
* 低反向转移电容
* 符合欧盟RoHS 2.0的无铅标准
3.应用程序
PWM应用
负荷开关
4.包装
SOT-23-3L
5.示意图
审核编辑 黄昊宇
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发表于 06-30 09:46
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