在任何电力电子转换器中，热设计都是一项重要的考虑因素。热设计经优化后，工程师能够将 GaN 用于各种功率级别、拓扑和应用中。此应用手册论述了 TI LMG341XRxxx GaN 功率级系列非常重要
2022-11-18 09:42:25
1468 LMG352xR050 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，针对开关模式电源转换器，使设计人员能够将功率密度和效率提高到新的水平。
LMG352xR050 集成了一个硅驱动器，可实现高达
2025-02-24 11:24:001032 
LMG341xR050 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有优势包括：超低输入和输出
2025-02-25 15:36:121007 
LMG341xR050 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有优势包括：超低输入和输出
2025-02-26 09:23:45978 
LMG341xR070 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有优势包括：超低输入和输出
2025-02-26 11:33:591090 
TI LMG1210是一款50 MHz半桥驱动器，经过特别设计，能与电压高达200V的增强模式GaN FET搭配使用。
2019-09-29 15:47:002049 贸泽电子即日起开售Laird Connectivity带功率放大器的BL654PA模块。
2019-11-13 14:48:232713 贸泽电子宣布即日起开售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的铁电随机存取存储器 （FRAM） 和高密度电阻式随机存取存储器 （ReRAM） 产品。
2021-12-13 14:06:531354 
(PFC)级。该 PFC 级 具有 配备集成式驱动器的 TI LMG341xGaN FET，可在宽负载范围内实现高效率，并且符合80 Plus Titanium 要求。该设计还支持半桥 LLC 隔离式
2020-06-22 18:22:03
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例：高密度手机充电器•应用实例：高性能电机驱动器•应用示例；高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
GaN高密度300W交直流变换器
2023-06-19 06:03:23
LMG341xR050 半 H 桥驱动器（内部 FET） 电源管理 评估板
2024-03-14 23:22:15
下以更高的转换频率运行。这意味着，在同样的条件下，GaN可实现比基于硅材料的解决方案更高的效率。TI日前发布了LMG5200，随着这款全集成式原型机的推出，工程师们能够轻松地将GaN技术融入到电源
2018-09-11 14:04:25
全新的电源应用在同等的电压下以更高的转换频率运行。这意味着，在同样的条件下，GaN可实现比基于硅材料的解决方案更高的效率。TI日前发布了LMG5200，随着这款全集成式原型机的推出，工程师们能够轻松地将
2018-09-10 15:02:53
解决方案来简化您的设计，提高功率密度和可靠性了。在GaN解决方案门户上查看TI完整的GaN直流/直流转换产品组合。 更多电源类博文更多充电类产品TI更多视频培训原文链接：https
2019-07-29 04:45:02
。 图1：四开关降压-升压型转换器功率级布局和原理图在笔者看来，这些都是设计高密度DC/DC转换器时所面临的挑战： 组件技术。组件技术的进步是降低整体功耗的关键，尤其在较高的开关频率下对滤波器无源组件
2018-09-05 15:24:36
中央处理器（CPU）内核电源的高功率密度稳压器模块TI Designs参考设计。电感器置顶的高功率密度12Vin、100W同步DC/DC步降（降压）型转换器TI Designs参考设计。订购高密度
2018-09-05 15:24:34
高密度FIFO器件在视频和图像领域中的应用是什么
2021-06-02 06:32:43
需求：人数较多，大概有60多人，平时大家都用手机连接wifi 哪个牌子的无线AP好用，要室内的，谢谢自己看了丰润达的一种双频的AP。听说双频的适合高密度接入，是么？
2016-07-25 17:45:55
高密度服务器播放 rtsp 流出现断连情况验证
2023-09-18 07:14:50
的范例涉及功率级组件的放置和布线。精心的布局可同时提高开关性能、降低组件温度并减少电磁干扰（EMI）信号。请细看图1中的功率级布局和原理图。图1：四开关降压-升压型转换器功率级布局和原理图 在笔者看来，这些都是设计高密度DC/DC转换器时所面临的挑战： 组件技术。组件技术的进步是降低整体功耗的关键，尤…
2022-11-18 06:23:45
/L，效率96.8%），支持20分钟快充。数据中心：通过高功率密度设计降低PUE（能源使用效率），如英特尔数据中心12V电源采用GaN后PUE降至1.08。与传统硅基方案的对比：
硅基IGBT功率模块
2025-10-22 09:09:58
、VTM48EF060T040A00、VTM48EF040T050B00 等停产型号，以及 ADI、TI 等品牌在高密度、大功率电源模块领域的类似规格产品。MPN541382-PV核心参数输入电压范围高压侧：40 V
2025-12-11 10:02:24
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
全球连接与传感领域领军企业TE Connectivity (TE)近日宣布推出的高密度(HD)+ 金手指电源连接器是市场上可实现最高电流密度的金手指电源连接器，能够支持高达3千瓦的电源功率，从而
2024-03-06 16:51:58
DN409 - 三路输出三相控制器节省了空间，并改善高密度功率转换器性能
2019-07-29 12:48:33
3410R070 氮化镓 (GaN)。此电源拓扑支持双向潮流（PFC 和并网逆变器）且使用 LMG341x GaN 器件，可提高效率并减小电源尺寸。该设计可利用切相和自适应死区时间提高效率，通过输入电容补偿方案提高轻
2023-01-17 09:51:23
请问关于高密度布线技术有什么要求？
2021-04-25 06:26:34
描述 PMP20978 参考设计是一种高效率、高功率密度和轻量化的谐振转换器参考设计。此设计将 390V 输入转换为 48V/1kW 输出。PMP20637 功率级具有超过 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
器件高密度BGA封装设计引言随着可编程器件(PLD) 密度和I/O 引脚数量的增加，对小封装和各种封装形式的需求在不断增长。球栅阵列(BGA) 封装在器件内部进行I/O 互联，提高了引脚数量和电路板
2009-09-12 10:47:02
功率因数校正 (PFC) 是一种使用 GaN 设计高密度功率解决方案的简便方法。TIDA-0961 参考设计使用 TI 的 600V GaN 功率级 LMG3410 和 TI 的 Piccolo™ F2...
2022-01-20 07:36:11
描述高频临界导电模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一种使用 GaN 设计高密度功率解决方案的简便方法。TIDA-0961 参考设计使用 TI 的 600V GaN 功率级
2018-10-25 11:49:58
更高的功率密度。GaN的时代60多年以来，硅一直都是电气组件中的基础材料，广泛用于交流电与直流电转换，并调整直流电压以满足从手机到工业机器人等众多应用的需求。虽然必要的组件一直在持续改进和优化，但物理学
2019-03-01 09:52:45
如何去设计一款能适应高密度FPGA的配置？
2021-04-08 06:07:38
如何去面对高速高密度PCB设计的新挑战？
2021-04-23 06:18:11
本文旨在介绍一种全新的多内核平台，其能够通过优化内核通信、任务管理及存储器接入实现高密度视频处理能力，此外，本文还阐述了扩展实施的结果如何支持多通道和多内核 HD 视频应用的高密度视频处理。
2021-06-01 06:20:28
，显示画面更加清晰、细腻。在显示标准的高清图像时，可以完全达到分辨率的要求。如果高密度灯管价格越来越低，势必高密度LED显示屏将在室内视频监控领域占有更大市场。 高密度LED显示屏具备高清显示、高刷新
2019-01-25 10:55:17
。您可使用LMG3410设计电源转换器，进行快速切换，以提高效率，具有低压过冲，并可减少电磁干扰（EMI）。TI的LMG3410 GaN功率级使得电源设计人员能够开发更高密度和更高效率的电源。与具有过流
2019-08-26 04:45:13
可以用很多种方法来控制GaN功率级。针对LMG5200 GaN半桥功率级的TI用户指南使用了一个无源组件和分立式逻辑门的组合。在这篇博文中，我将会讨论到如何用一个Hercules微控制器来驱动它。图1
2022-11-17 06:56:35
FPGA 的 60W~72W 高密度电源的电气性能、热性能及布局设计之深入分析
2019-06-14 17:13:29
上电，我们马上开始。
你可以用很多种方法来控制GaN功率级。针对LMG5200 GaN半桥功率级的TI用户指南使用了一个无源组件和分立式逻辑门的组合。在这篇博文中，我将会讨论到如何用一个
2018-08-31 07:15:04
设备特别适合适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路在高侧开关，低线内功率损耗需要在一个非常小的外形表面贴装封装特征● RDS（开）≦ 米Ω@VGS=10伏● 超高密度单元
2021-07-08 09:35:56
1000V100A30KW高压高密度程控直流电源支持60台电源级联操作，具有高功率因数、高转换效率、高精确度、高稳定度、高可靠度、低纹波、低噪音、小体积（高密度）、极速响应等特点，广泛应用于半导体
2021-12-29 08:23:41
本文介绍高速高密度PCB设计的关键技术问题（信号完整性、电源完整性、EMC /EM I和热分析）和相关EDA技术的新进展，讨论高速高密度PCB设计的几种重要趋势。
2021-04-25 07:07:17
改善功率密度，同时还能实现良好的效率和较宽的控制带宽。此功率级设计可广泛应用于众多需要快速响应的空间受限型应用，例如 5G 电信电源、服务器和工业电源。主要特色基于 GaN 的紧凑型功率级设计，具有高达
2018-10-17 15:39:59
) 12 Rating Catalog TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试 支持高密度电源转换设计 与共源共栅或
2022-12-20 15:04:12
Rating Catalog TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试 支持高密度电源转换设计 与共源共栅或独立 Ga
2022-12-20 15:04:12
随着数字电子产品向高速高密度发展，SI问题逐渐成为决定产品性能的因素之一，高速高密度PCB设计必须有效应对SI问题。在PCB级，影响SI的3个主要方面是互联阻抗不连续引起的反射、邻
2011-09-09 11:00:09
0 实现下一代高密度电源转换 ，小电源的内容。
2016-01-06 18:00:090 PI31xx系列 高密度隔离式DC-DC转换器
2016-01-06 17:52:320 关于电源设计的，关于 实现下一代高密度电源转换
2016-06-01 17:48:0622 GaN产品应用于可靠和高密度电源的设计
2018-08-16 00:55:003952 驱动器可为要求速度的应用提供高效率、高性能的设计，适用于LiDAR、飞行时间激光贸泽电子供应的Texas Instruments LMG1020低侧GAN驱动器，专为高速驱动GaN FET和逻辑电平
2018-11-03 10:47:001969 TI公司的LMG3410R050是具有过流保护的600-V 50-mΩGaN功率放大级,比硅MOSFET具有固有的优势包括超低输入和输出电容,零反向恢复以降低开关损耗达80%之多,以及低开关节点振铃
2019-04-18 14:34:052746 
）功率级工程样品，使TI成为第一家也是唯一一家公开提供高压驱动器集成GaN解决方案的半导体制造商。与基于硅FET的解决方案相比，新型12-A LMG3410功率级与TI的模拟和数字电源转换控制器相结合
2019-08-07 10:17:062913 TI LMG341xR050 GaN功率级与硅MOSFET相比拥有多种优势，包括超低输入和输出容值、可降低EMI的低开关节点振铃，以及可将开关损耗降低多达80%的零反向恢复。
2020-05-29 16:39:073441 电子发烧友网为你提供基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-05 08:42:246 Cyntec高密度uPOL模块是款非隔离DC-DC转换器，提供高达6A的输出电流。PWM开关调节器和高频功率电感集成在一个混合封装中。 Cyntec高密度uPOL模块根据载荷开机自动运行，具备PWM
2021-10-29 09:24:342510 细看图1中的功率级布局和原理图。
图1：四开关降压-升压型转换器功率级布局和原理图
在笔者看来，这些都是设计高密度DC/
2021-11-24 14:20:442077 )级。PFC级具有集成驱动器的LMG341x GaN FET，可在较宽的负载范围内提供更高的效率，并满足80多种钛的要求。该设计还支持半桥LLC隔离式DC / DC级，以实现1kW的+ 12V直流输出。两...
2021-11-10 12:36:0310 由于 eGaN FET 和 IC 具有紧凑的尺寸、超快速开关和低导通电阻，因此能够实现非常高密度的功率转换器设计。大多数高密度转换器中输出功率的限制因素是结温，这促使需要更有效的热设计。eGaN
2022-08-09 09:28:161539 
基于氮化镓技术 (GaN) 的功率开关器件现已量产，并在实际功率应用中提供高效率和功率密度。本文将探讨如何使用 GaN 技术实施高功率解决方案，并提供应用示例，展示 GaN 器件如何在超过 600 伏的电压下也能有效工作。
2022-08-09 08:02:133008 
配线架安装方法： 一般而言，安装高密度光纤配线架主要有三个步骤：将高密度光纤配线箱安装在机架上、将光纤跳线引入高密度光纤配线架以及将光纤跳线分布在高密度光纤配线箱内，以下是三个主要步骤的详细介绍以及在安装过程
2022-09-01 10:18:402757 的才是最好的。高密度配线架怎样选择正确的型号?科兰通讯为您解答。 高密度配线架可以在1U的机架空间内提供144个LC连接密度。对于某些用户来说，如此超高密度的好处多多，因为这些用户机房内的导向器几乎占据了机柜中所有的
2022-09-01 10:49:12682 PFC来取代输入整流桥可以提高效率。 通过在图腾柱PFC架构中使用SiC MOSFET ，有可能实现更高的功率密度和效率，因为在这个功率水平上，开关频率比其他方案高得多。了解 安森美（onsemi）的图腾柱PFC和LLC电源方案如何应对高密度设计挑战 ，报名参加第
2023-02-20 21:55:063027 您可以通过多种方式控制GaN功率级。LMG5200 GaN 半桥功率级的 TI 用户指南使用无源元件和分立逻辑门的组合。在这篇文章中，我将描述如何使用Hercules微控制器驱动它。图 1 显示了用于驱动 LMG5200 的 Hercules 模块。
2023-04-14 10:07:412479 
高密度互连 (HDI) 需求主要来自于芯片供应商。最初的球栅阵列封装 (BGA) 支持常规过孔。
2023-06-01 16:43:581194 
电子发烧友网站提供《高密度布线设计指南.pdf》资料免费下载
2023-09-01 15:21:431 高密度互连印刷电路板：如何实现高密度互连 HDI
2023-12-05 16:42:391817 
电子发烧友网站提供《600V 50mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG342xR050数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 15:27:070 电子发烧友网站提供《具有过流保护功能的LMG341xR050 600V 50mΩ集成式GaN功率级数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-28 11:33:540 电子发烧友网站提供《具有集成驱动器和保护功能的LMG341xR150 600V 150mΩ GaN数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-28 11:19:270 电子发烧友网站提供《具有集成驱动器和保护功能的LMG341xR070 600V 70mΩ GaN数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-28 11:18:300 配线架的详细解析： 一、定义与功能 定义：MPO配线架通过将一个连接器上实现多芯光纤的连接，大大提高了连接密度，实现了高密度、高效率的光纤连接。 功能：主要用于数据中心的光纤主干连接及配线管理，支持高速数据传输和交换，具备高度的可扩展性和灵活性。 二、
2024-09-10 10:05:411468 的数据，并且支持在时钟信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，从而实现了数据传输速率的倍增。高密度DDR芯片的内部结构复杂而精细，采用了先进的纳 米级制程技术和多层布线技术。芯片内部集成了大量的存储单元、控制逻辑、I/O接口和时钟电路等，能够实现高速、高效的数据存储和访问。
2024-11-05 11:05:051644 电子发烧友网站提供《使用LMG3626EVM-074 USB-C PD高密度准谐振反激式转换器.pdf》资料免费下载
2024-11-09 14:46:040 电子发烧友网站提供《使用LMG3624EVM-081 65W USB-C PD高密度准谐振反激式转换器.pdf》资料免费下载
2024-11-09 14:47:570 电子发烧友网站提供《使用LMG3622EVM-082 65W USB-C PD高密度准谐振反激式转换器.pdf》资料免费下载
2024-12-06 16:05:122 电子发烧友网站提供《AI革命的高密度电源.pdf》资料免费下载
2025-01-22 15:03:321 电子发烧友网站提供《高密度400W DC/DC电源模块，集成平面变压器和半桥GaN IC.pdf》资料免费下载
2025-01-22 15:39:5312 LMG365xR025 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，针对开关模式电源转换器，使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 10:54:37798 
LMG365xR070 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，针对开关模式电源转换器，使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 13:42:42726 
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，针对开关模式电源转换器，使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 17:46:47745 
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，针对开关模式电源转换器，使设计人员能够将功率密度和效率提高到新的水平。
LMG352xR050 集成了一个硅驱动器，可实现高达
2025-02-24 13:32:11727 
LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分线板，可将任何 LMG341x 半桥板（如 LMG3410-HB-EVM）配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路，该 EVM 允许
2025-02-26 09:33:221011 LMG341xR070 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有优势包括：超低输入和输出
2025-02-26 13:44:16615 
、模块化、以及便捷的跳纤操作，适用于数据中心、电信网络、企业网络等需要大规模光纤管理的场景。 高密度ODF的特点 高密度设计 节省空间：高密度ODF支持大量光纤的集中管理，减少了设备占地面积，适用于机房空间有限的场景。 模块化结构：采用模块化设计，方便安装、维
2025-04-14 11:08:001582 高度)可集成数百个光纤或铜缆端口(如MPO高密度配线架支持1U/96芯以上)。 空间利用率：通过模块化设计(如MPO连接器集成多芯光纤)和紧凑结构，显著提升机柜空间利用率，适合数据中心等对空间敏感的场景。 中密度配线架 端口密度：每单位空间
2025-06-13 10:18:58700 Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率
2025-08-06 11:20:47820 
Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率
2025-08-06 11:29:38770 
与大型系统配合使用。该评估板设有必要的功率级和栅极驱动高频电流环路，可最大限度地降低电源环路寄生电感，减少电压过冲，并提高性能。Texas Instruments LMG342XEVM-04X配置为插座式外部连接，可轻松连接外部功率级，从而在各种应用中运行LMG342XR0X0。
2025-09-11 09:39:37682 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN场效应晶体管（FET）集成了驱动器和保护功能，可使设计人员在电子设备系统中实现新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
Texas Instruments LMG34XX-BB-EVM GaN系统评估板是一款简单易用的分线板，用于将任何LMG341x半桥板（例如LMG3410-HB-EVM）配置为同步降压转换器。该
2025-09-26 11:14:31549 
烧结银：3D封装中高功率密度和高密度互连的核心材料
2025-12-29 11:16:01116
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