支持高密度电源转换设计的TI LMG341xR050 GaN

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支持高密度电源转换设计

TI LMG341xR050 GaN

Texas Instruments（TI）的LMG341xR050氮化镓（GaN）功率级。这款600V、500mΩ的器件具有集成栅极驱动器和强大的保护功能，可让设计人员在电源转换系统中实现更高的效率，适用于高密度工业和消费类电源、高压电池充电器、光伏逆变器和多电平转换器等应用。 TI LMG341xR050 GaN功率级与硅MOSFET相比拥有多种优势，包括超低输入和输出容值、可降低EMI的低开关节点振铃，以及可将开关损耗降低多达80%的零反向恢复。此器件的集成式栅极驱动器支持100V/ns开关，实现几乎为零的VDs振铃，其微调栅极偏置电压可通过补偿阈值变化确保可靠切换。此功率级集成了一系列独特的功能，比如图腾柱功率因数校正（PFC）结构等密集高效拓扑，让设计人员能够优化电源性能并提高可靠性。 LMG341xR050 GaN功率级拥有强大的保护功能，不需要外部保护元件，即可提供过热保护、瞬态电压抗扰性，并且所有电源轨都具有欠压锁定（UVLO）保护。此外，LMG341xR050还可提供响应时间低于100ns的过流保护和高于150V/ns的压摆率抗扰性。