集成电路中常用的有源器件有 npn和pnp双极型晶体管、NMOS和 PMOS场效应晶体管、肖特基金属....
半导体中的载流子在热平衡条件下的热运动没有确定的方向性,因此,在没有外场作用时，净电流为零;在有外电....
半导体具有价带全满、导带全空的能带结构,但这只是在绝对温度为零度时才严格成立。在室温下，仍有少量的电....
没有任何杂质原子和结构缺陷的半导体称为本征半导体，在这种完美的半导体中，电子要么存在于导带中,要么存....
不同的能带结构决定了绝缘体、半导体和导体等材料具有不同的电学性质。对于不同半导体，能带结构差异必然导....
半导体材料按其化学组分,可分为无机半导体和有机半导体。目前应用于微电子和光电子产业的大多数都是无机半....
集成电路单元器件持续微小型化，是靠从微米到纳米不断创新的微细加工工艺技术实现的。
集成电路现今所达到的技术高度是当初人们难以想象的。在发明集成电路的1958年.全世界半导体厂生产的晶....
1947年12月16 日美国贝尔(Bell)实验室的J.Bardeen(1908-1991)和W,B....
第一次对非平面衬底上的光刻曝光的详细研究出现在20世纪80年代后期,Matsuzawa等人72]采用....
图9-5展示了使用Kirchhof方法与严格的电磁场(EMF)仿真进行掩模建模所得结果之间的区别。K....
光与掩模或晶圆的形貌特征的相互作用可以用麦克斯韦(Maxwell)方程组来描述。通常,掩模和晶圆上的....
在前面的部分中,使用标量模型描述了成像过程,但其中不包括任何偏振现象，而高数值孔径系统的应用引入了几....
双色调显影（DTD）最早是由Asano提出的。DTD通过两次单独的显影去除最高和最低曝光剂量区域的光....
有一些光学分辨率增强技术是非常依赖于图形特征的。例如，可以通过合适方向的二极照明来增强密集线空图形的....
目前，基于模型的 OPC已成为先进半导体制造的标准程序。图4-15 表明现代 OPC模型包含了考虑光....
通过观察偏移、辅助图形、衬线和其他掩模校正方法对光刻成像的影响，可以建立用作掩模版图校正的规则。
可靠性的定义是系统或元器件在规定的条件下和规定的时间内，完成规定的功能的能力 (the abilit....
氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是两种在CMOS工艺中广泛使用的介电层薄膜。
现有的晶体管都是基于 PN 结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里，随着CMOS制造技术的进步，器....
CIS 英文全名 CMOS （Complementary Metal-Oxide Semicondu....
本节将介绍 CMOS 超大规模集成电路制造工艺流程的基础知识，重点将放在工艺流程的概要和不同工艺步骤....
在高k金属栅之外，另一种等效扩充的方法是增加通过器件沟道的电子或空穴的迁移率。表2.5列举了一些提高....
源漏区的单晶硅和栅极上的多晶硅即使在掺杂后仍然具有较高的电阻率，自对准硅化物(salicide)工艺....
源漏扩展结构（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短沟道效应....
为了有效抑制短沟道效应，提高栅控能力，随着MOS结构的尺寸不断降低，就需要相对应的提高栅电极电容。提....
随着集成电路技术节点的不断减小以及互连布线密度的急剧增加，互连系统中电阻、电容带来的 RC耦合寄生效....
图2.2是现代CMOS 器件剖面的示意图。一般来说，水平方向的尺寸微缩幅度比垂直方向的幅度更大，这将....
2010年，爱尔兰 Tyndall 国家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三栅无结场效应....
当代所有的集成电路芯片都是由PN结或肖特基势垒结所构成：双极结型晶体管（BJT）包含两个背靠背的PN....
