可靠性的定义是系统或元器件在规定的条件下和规定的时间内，完成规定的功能的能力 (the abilit....
氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是两种在CMOS工艺中广泛使用的介电层薄膜。
现有的晶体管都是基于 PN 结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里，随着CMOS制造技术的进步，器....
CIS 英文全名 CMOS （Complementary Metal-Oxide Semicondu....
本节将介绍 CMOS 超大规模集成电路制造工艺流程的基础知识，重点将放在工艺流程的概要和不同工艺步骤....
在高k金属栅之外，另一种等效扩充的方法是增加通过器件沟道的电子或空穴的迁移率。表2.5列举了一些提高....
源漏区的单晶硅和栅极上的多晶硅即使在掺杂后仍然具有较高的电阻率，自对准硅化物(salicide)工艺....
源漏扩展结构（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短沟道效应....
为了有效抑制短沟道效应，提高栅控能力，随着MOS结构的尺寸不断降低，就需要相对应的提高栅电极电容。提....
随着集成电路技术节点的不断减小以及互连布线密度的急剧增加，互连系统中电阻、电容带来的 RC耦合寄生效....
图2.2是现代CMOS 器件剖面的示意图。一般来说，水平方向的尺寸微缩幅度比垂直方向的幅度更大，这将....
2010年，爱尔兰 Tyndall 国家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三栅无结场效应....
当代所有的集成电路芯片都是由PN结或肖特基势垒结所构成：双极结型晶体管（BJT）包含两个背靠背的PN....
MESFET 热稳定性较差、漏电流较大、逻辑摆幅较小、抗噪声能力较弱。随着频率、功率容限以及低噪声容....
结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在....
一对N沟道和P沟道 MOS 管以推挽形式工作，构成互补的金属氧化物半导体器件（Complementa....
在混合式氮化镓 VCSEL 的研究，2010年本研究团队优化制程达到室温连续波操作电激发氮化镓 VC....
上述实验结果为近年来局限在光激发的氮化镓 VCSEL 的结果，一直到2008年，作者实验室首次在77....
在氮化镓蓝光 VCSEL 发展方面，1996年 Redwing 等人成功制作了第一个室温下光激发的氮....
在氮化镓发光二极体的发展过程中已受到许多的阻碍，其中包含缺少晶格匹配的基板、p型氮化镓镁的低活化率、....
东京大学荒川泰彦教授（Y. Arakawa）在1982年提出量子点结构的概念，在1994年柏林工业大....
由上述 InP 系列材料面射型雷射发展可以发现，要制作全磊晶结构的长波长面射型雷射难度较高，因此在1....
为了应用在光纤通讯上有效提升讯号传输距离，对于发光波长1310nm 与1550nm的面射型雷射需求也....
在完成选择性氧化制程后，通常会将蚀刻后残留在磊晶片表面继续作为氧化制程保护层的 SiO2或 SiNx....
采用氧化局限技术制作面射型雷射元件最关键的差异在于磊晶成长时就必须在活性层附近成长铝含量莫耳分率高于....
制作氧化局限面射型雷射与蚀刻空气柱状结构一样都需要先将磊晶片进行蚀刻，以便暴露出侧向蚀刻表面（etc....
为了改善上述蚀刻柱状结构以及离子布植法制作面射型雷射的缺点，在1994年从德州大学奥斯丁分校获得博士....
目前市场上普遍采用的面射型雷射元件主流技术为选择性氧化法，绝大多数面射型雷射操作特性纪录均是由选择性....
由于蚀刻柱状结构有上述金属电极制作困难且需要额外的蚀刻制程步骤等问题，因此早期业界及学术研究单位最常....
半导体材料被蚀刻移除后，剩余的柱状结构与周遭的空气之间折射率差异也因此增加，因此在柱状结构中电子电洞....
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