MESFET 热稳定性较差、漏电流较大、逻辑摆幅较小、抗噪声能力较弱。随着频率、功率容限以及低噪声容....
结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在....
一对N沟道和P沟道 MOS 管以推挽形式工作，构成互补的金属氧化物半导体器件（Complementa....
在混合式氮化镓 VCSEL 的研究，2010年本研究团队优化制程达到室温连续波操作电激发氮化镓 VC....
上述实验结果为近年来局限在光激发的氮化镓 VCSEL 的结果，一直到2008年，作者实验室首次在77....
在氮化镓蓝光 VCSEL 发展方面，1996年 Redwing 等人成功制作了第一个室温下光激发的氮....
在氮化镓发光二极体的发展过程中已受到许多的阻碍，其中包含缺少晶格匹配的基板、p型氮化镓镁的低活化率、....
东京大学荒川泰彦教授（Y. Arakawa）在1982年提出量子点结构的概念，在1994年柏林工业大....
由上述 InP 系列材料面射型雷射发展可以发现，要制作全磊晶结构的长波长面射型雷射难度较高，因此在1....
为了应用在光纤通讯上有效提升讯号传输距离，对于发光波长1310nm 与1550nm的面射型雷射需求也....
在完成选择性氧化制程后，通常会将蚀刻后残留在磊晶片表面继续作为氧化制程保护层的 SiO2或 SiNx....
采用氧化局限技术制作面射型雷射元件最关键的差异在于磊晶成长时就必须在活性层附近成长铝含量莫耳分率高于....
制作氧化局限面射型雷射与蚀刻空气柱状结构一样都需要先将磊晶片进行蚀刻，以便暴露出侧向蚀刻表面（etc....
为了改善上述蚀刻柱状结构以及离子布植法制作面射型雷射的缺点，在1994年从德州大学奥斯丁分校获得博士....
目前市场上普遍采用的面射型雷射元件主流技术为选择性氧化法，绝大多数面射型雷射操作特性纪录均是由选择性....
由于蚀刻柱状结构有上述金属电极制作困难且需要额外的蚀刻制程步骤等问题，因此早期业界及学术研究单位最常....
半导体材料被蚀刻移除后，剩余的柱状结构与周遭的空气之间折射率差异也因此增加，因此在柱状结构中电子电洞....
其中蚀刻空气柱法将大多数可以导通电流的半导体材料以物理性或化学方式蚀刻移除后，仅保留直径数微米至数十....
从前面一小节对半导体雷射线宽的讨论可以知道，即使半导体雷射操作在稳态的状况下，还是会有因为自发辐射所....
从前面的例子中，可以知道线宽增强因子会让半导体雷射在动态操作时谱线变宽，接下来我们要讨论的是半导体雷....
为要了解半导体雷射的大信号响应，我们先针对单模雷射的速率方程式求解，我们将使用线性增益近似以及考虑到....
当半导体雷射从阈值条件以下要达到雷射的操作，其主动层中的载子必须要先达到阈值载子浓度才会有雷射光输出....
从（4-40）式我们知道，要达到高的弛豫频率，光子生命期要小而阈值电流要低，然而这两个因素是互相冲突....
（4-25） 式为我们可以量测得到的半导体雷射调制响应。将之取对数乘上10之后，其单位即为 dB，如....
最常见的半导体雷射调制是如图4-1 的直接电流调制，半导体雷射偏压操作在固定的电流值I0上，欲输入的....
典型的VCSEL 结构主要由p型 DBR、n 型 DBR与光学共振腔所组成。上下 DBR提供纵向的光....
由于 VCSEL 共振腔的体积非常小，可以称之为微共振腔（micro-cavity），因为要达到阈值....
VCSEL相较于传统的边射型雷射而言，另一项重要的区分在于VCSBL 具有很短的雷射共振腔。
进一步考量到 DBR 的设计时，虽然界面平整的异质结构可以提供较大而明显的折射率差异以达到较高的 D....
相较于传统边射型半导体雷射的发展，垂直共握腔面射型雷射（VCSEL）的设计概念直到1979年首先被I....
