顶层金属工艺是指形成最后一层金属互连线，顶层金属互连线的目的是实现把第二层金属连接起来。顶层金属需要....
IMD2 工艺与 IMD1工艺类似。IMD2 工艺是指在第二层金属与第三层金属之间形成的介质材料，形....
金属层2（M2）工艺与金属层1工艺类似。金属层2工艺是指形成第二层金属互连线，金属互连线的目的是实现....
随着器件的特征尺寸减少到90mm 以下，栅氧化层厚度也不断减小，载流子的物理特性不再遵从经典理论，其....
随着集成电路工艺技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成....
当栅与衬底之间存在压差时，它们之间存在电场，静电边界条件使多晶硅靠近氧化层界面附近的能带发生弯曲，并....
SMT仅仅是用来提高NMOS 的速度，当工艺技术发展到45nm 以下时，半导体业界迫切需要另一种表面....
应力记忆技术（Stress Memorization Technique, SMT），是一种利用覆盖....
与通过源漏嵌入 SiC 应变材料来提高NMOS 的速度类似，通过源漏嵌入 SiGe 应变材料可以提高....
源漏区嵌入SiC 应变技术被广泛用于提高90nm 及以下工艺制程 NMOS 的速度，它是通过外延生长....
按照基本工艺制程技术的类型，BiCMOS 工艺制程技术又可以分为以 CMOS 工艺制程技术为基础的 ....
BCD 工艺制程技术只适合某些对功率器件尤其是BJT 或大电流 DMOS 器件要求比较高的IC产品。....
1986年，意法半导体（ST）公司率先研制成功BCD工艺制程技术。BCD工艺制程技术就是把BJT，C....
PMOS（Positive channel Metal Oxide Semiconductor，P ....
本章主要介绍了集成电路是如何从双极型工艺技术一步一步发展到CMOS 工艺技术以及为了适应不断变化的应....
观察矽晶圆的外缘，可以发现有如图4-6-1所示的边缘磨边加工。此种针对外缘进行磨边的加工，一般称为“....
完成打线的半导体晶片，为了防止外界物理性接触或污染的侵入，需要以包装或是封装材料密封。
在半导体记忆体中，例如一个1G的DRAM，代表一个半导体晶片上拥有10亿个能够记忆1 bit的资讯单....
将制作在晶圆上的许多半导体，一个个判定是否为良品，此制程称为“晶圆针测制程”。
干式蚀刻是为对光阻上的图案忠实地进行高精密加工的过程，故选择材料层与光阻层的蚀刻速率差（选择比）较大....
半导体制造过程的热处理，指的是将矽晶圆放置在充满氮气（N2）或氢气（Ar2）等惰性气体环境中施予热能....
在热氧化法中，将矽放入高温氧化炉，在氧气与蒸气的环境中使矽与氧产生化学反应，长成二氧化矽膜。
此节以半导体的代表，CMOS-半导体为例，对前段制程FEOL进行详细说明。此说明将依照FEOL主要制....
前段制程包括：形成绝缘层、导体层、半导体层等的“成膜”；以及在薄膜表面涂布光阻（感光性树脂），并利用....
物联网 (Internet of Things, IoT)诞生之初专指依托射频识别（RFID）技术的....
触控芯片是指能够集成和完成单点或多点触控技术的芯片，其拥有多种特点。
电荷耦合器件 (Charge Coupled Device,CCD）是一种半导体器件，它的基本单元是....
磁强计(Magnetic Field Sensor)也称磁场传感器（Magnetometer），是一....
有机发光二极管 (Organic Light Emitting Diode, OLED）是一种基于有....
光电二极管（Photodiode）通常由一个 pn 结构成，它在某些特定入射光的照射下会产生额外的光....
