IMD1工艺是指在第一层金属之间的介质隔离材料。IMD1的材料是 ULK （Ultra Low K）....
金属层1工艺是指形成第一层金属互连线，第一层金属互连线的目的是实现把不同区域的接触孔连起来，以及把不....
ILD 工艺是指在器件与第一层金属之间形成的介质材料，形成电性隔离。ILD介质层可以有效地隔离金属互....
Salicide 工艺是指在没有氧化物覆盖的衬底硅和多晶硅上形成金属硅化物，从而得到低阻的有源区和多....
与亚微米工艺类似，源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺，降低器件有源区的串联电阻，提....
与亚微米工艺类似，侧墙工艺是指形成环绕多晶硅的氧化介质层，从而保护LDD 结构，防止重掺杂的源漏离子....
与亚微米工艺类似，多晶硅栅工艺是指形成 MOS器件的多晶硅栅极，栅极的作用是控制器件的关闭或者导通。....
与亚微米工艺类似，栅氧化层工艺是通过热氧化形成高质量的栅氧化层，它的热稳定性和界面态都非常好。
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW....
STI 隔离工艺是指利用氧化硅填充沟槽，在器件有源区之间嵌入很厚的氧化物，从而形成器件之间的隔离。利....
有源区工艺是指通过刻蚀去掉非有源区的区域的硅衬底，而保留器件的有源区。
集成电路的可靠性与内部半导体器件表面的性质有密切的关系，目前大部分的集成电路采用塑料封装而非陶瓷封装....
顶层金属工艺是指形成最后一层金属互连线，顶层金属互连线的目的是实现把第二层金属连接起来。顶层金属需要....
IMD2 工艺与 IMD1工艺类似。IMD2 工艺是指在第二层金属与第三层金属之间形成的介质材料，形....
金属层2（M2）工艺与金属层1工艺类似。金属层2工艺是指形成第二层金属互连线，金属互连线的目的是实现....
随着器件的特征尺寸减少到90mm 以下，栅氧化层厚度也不断减小，载流子的物理特性不再遵从经典理论，其....
随着集成电路工艺技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成....
当栅与衬底之间存在压差时，它们之间存在电场，静电边界条件使多晶硅靠近氧化层界面附近的能带发生弯曲，并....
SMT仅仅是用来提高NMOS 的速度，当工艺技术发展到45nm 以下时，半导体业界迫切需要另一种表面....
应力记忆技术（Stress Memorization Technique, SMT），是一种利用覆盖....
与通过源漏嵌入 SiC 应变材料来提高NMOS 的速度类似，通过源漏嵌入 SiGe 应变材料可以提高....
源漏区嵌入SiC 应变技术被广泛用于提高90nm 及以下工艺制程 NMOS 的速度，它是通过外延生长....
按照基本工艺制程技术的类型，BiCMOS 工艺制程技术又可以分为以 CMOS 工艺制程技术为基础的 ....
BCD 工艺制程技术只适合某些对功率器件尤其是BJT 或大电流 DMOS 器件要求比较高的IC产品。....
1986年，意法半导体（ST）公司率先研制成功BCD工艺制程技术。BCD工艺制程技术就是把BJT，C....
PMOS（Positive channel Metal Oxide Semiconductor，P ....
本章主要介绍了集成电路是如何从双极型工艺技术一步一步发展到CMOS 工艺技术以及为了适应不断变化的应....
观察矽晶圆的外缘，可以发现有如图4-6-1所示的边缘磨边加工。此种针对外缘进行磨边的加工，一般称为“....
完成打线的半导体晶片，为了防止外界物理性接触或污染的侵入，需要以包装或是封装材料密封。
在半导体记忆体中，例如一个1G的DRAM，代表一个半导体晶片上拥有10亿个能够记忆1 bit的资讯单....
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