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芯长征科技

文章:224 被阅读:18.9w 粉丝数:16 关注数:0 点赞数:9

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江苏芯长征微电子集团股份有限公司IGBT模块成功通过UL认证

近日,芯长征在UL认证专业机构安可捷协助下,成功完成IGBT模组的UL认证流程,为公司的产品研发与市....
的头像 芯长征科技 发表于 04-16 09:51 215次阅读
江苏芯长征微电子集团股份有限公司IGBT模块成功通过UL认证

车规芯片与非车规芯片基本性能对比

功率型芯片于控制单元中主要负责具有高功率负载的控制电路,是可实现系统中电力控制与管理的关键零件,由于....
的头像 芯长征科技 发表于 04-09 12:19 488次阅读
车规芯片与非车规芯片基本性能对比

IGBT/三极管/MOS管这三种元器件之间有什么区别?

三极管的结构是给一块纯硅进行三层掺杂,其中较窄区域高浓度N型掺杂,含有大量自由电子,中间极窄区域普通....
的头像 芯长征科技 发表于 04-09 11:15 877次阅读
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光伏领域IGBT市场飞速增长 2025年光伏领域IGBT市场规模将达73亿

功率半导体器件(Power Electronic Device)又称为电力电子器件和功率电子器件,是....
的头像 芯长征科技 发表于 04-09 10:59 464次阅读
光伏领域IGBT市场飞速增长 2025年光伏领域IGBT市场规模将达73亿

剖析晶圆级封装结构的构造原理

其中,有一个插图,知识星球里有朋友不明白每层的构造原理,这里我来剖析一下。
的头像 芯长征科技 发表于 04-03 11:43 475次阅读
剖析晶圆级封装结构的构造原理

车规级芯片和消费类芯片的区别

汽车电子对元件的工作温度要求比较宽,根据不同的安装位置等有不同的需求,但一般都要高于民用产品的要求。
的头像 芯长征科技 发表于 04-02 11:33 353次阅读
车规级芯片和消费类芯片的区别

碳化硅MOSFET与硅MOSFET的应用对比分析

碳化硅 MOSFET 具有导通电压低、 开关速度极快、 驱动能力要求相对低等特点, 是替代高压硅MO....
的头像 芯长征科技 发表于 04-01 11:23 792次阅读
碳化硅MOSFET与硅MOSFET的应用对比分析

除碳可提高GaN电子迁移率?

据日本研究人员报告,通过减少碳污染来避免碳污染源导致的“迁移率崩溃”,氮化镓(GaN)的电子迁移率性....
的头像 芯长征科技 发表于 03-13 10:51 442次阅读
除碳可提高GaN电子迁移率?

如何实现高功率密度三相全桥SiC功率模块设计与开发呢?

为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求,进行了 1 200 V/500 A....
的头像 芯长征科技 发表于 03-13 10:34 584次阅读
如何实现高功率密度三相全桥SiC功率模块设计与开发呢?

晶圆键合工艺流程与关键技术探讨

1:制造先进的启动晶片(SOI)的方法。 2:作为一种创建复杂三维结构和腔体的方法,以创造设备....
的头像 芯长征科技 发表于 03-06 10:45 155次阅读
晶圆键合工艺流程与关键技术探讨

三电平逆变器的基本工作原理介绍

三电平逆变器基本介绍
的头像 芯长征科技 发表于 02-26 10:09 696次阅读
三电平逆变器的基本工作原理介绍

外延层在半导体器件中的重要性

只有体单晶材料难以满足日益发展的各种半导体器件制作的需要。因此,1959年末开发了薄层单晶材料生长技....
的头像 芯长征科技 发表于 02-23 11:43 440次阅读
外延层在半导体器件中的重要性

电池储能功率变换系统(PCS)的定义 功率变换系统的设计原则

功率变换系统(power conversion system,PCS)是与储能电池组配 套,连接于电....
的头像 芯长征科技 发表于 02-23 10:23 713次阅读

晶圆到晶圆混合键合的前景和工艺流程

3D集成是实现多芯片异构集成解决方案的关键技术,是业界对系统级更高功耗、性能、面积和成本收益需求的回....
的头像 芯长征科技 发表于 02-22 09:42 464次阅读
晶圆到晶圆混合键合的前景和工艺流程

基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元设计方法

摘要:随着储能变流器向大容量、模块化发展,碳化硅(SiC)器件由于其低损耗、耐高温的特性,逐渐成为研....
的头像 芯长征科技 发表于 02-22 09:39 626次阅读
基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元设计方法

光伏逆变器拓扑概述及关键技术

光伏逆变器拓扑概述及关键技术
的头像 芯长征科技 发表于 02-21 09:47 275次阅读
光伏逆变器拓扑概述及关键技术

详解MOS管的寄生电感和寄生电容

寄生电容和寄生电感是指在电路中存在的非意图的电容和电感元件。 它们通常是由于电路布局、线路长度、器件....
的头像 芯长征科技 发表于 02-21 09:45 720次阅读
详解MOS管的寄生电感和寄生电容

IGBT器件的结构和工作原理

IGBT器件的结构和工作原理
的头像 芯长征科技 发表于 02-21 09:41 644次阅读
IGBT器件的结构和工作原理

全碳化硅直流充电设备技术研究案例

围绕碳化硅功率器件高频率、高耐压、耐高温的性能,提出一套适用于新能源汽车直流充电设备的拓扑结构方案,
的头像 芯长征科技 发表于 02-20 09:47 299次阅读
全碳化硅直流充电设备技术研究案例

晶体管BJT的工作原理 MOSFET的工作原理介绍

晶体管是一个简单的组件,可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中,将带你了解晶体管是如何工作的,以便....
的头像 芯长征科技 发表于 02-20 09:44 523次阅读
晶体管BJT的工作原理 MOSFET的工作原理介绍

关于半导体价值链分析(设计、制造和后制造)

半导体价值链的制造阶段包括晶圆制造、前段制程、中段制程、后段制程和远端制程。
的头像 芯长征科技 发表于 02-19 16:43 398次阅读

具有低导通电阻的GaN-on-SiC肖特基势垒二极管设计

北京工业大学和中国北京大学报道了碳化硅衬底(GaN/SiC)上由氮化镓制成的全垂直结构肖特基势垒二极....
的头像 芯长征科技 发表于 02-19 11:23 342次阅读
具有低导通电阻的GaN-on-SiC肖特基势垒二极管设计

浅谈碳化硅功率半导体生产流程

碳化硅功率半导体生产流程主要包括前道的晶圆加工,包括长晶、切割、研磨抛光、沉积外延;第二部分芯片加工....
的头像 芯长征科技 发表于 01-25 09:51 311次阅读

碳化硅的激光切割技术介绍

晶片切割是半导体器件制造的关键步骤,切割方式和质量直接影响晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生产成本,同....
的头像 芯长征科技 发表于 01-23 09:42 1380次阅读
碳化硅的激光切割技术介绍

MOS管体二极管是什么?MOS管体二极管的作用

体二极管是MOS管中的一个重要组成部分,它是衬底B与漏极D之间的PN结。由于把B极和S极短路了,因此....
的头像 芯长征科技 发表于 01-23 09:39 1091次阅读
MOS管体二极管是什么?MOS管体二极管的作用

Chiplet对英特尔和台积电有何颠覆性

Chiplets(芯片堆叠)并不新鲜。其起源深深植根于半导体行业,代表了设计和制造集成电路的模块化方....
的头像 芯长征科技 发表于 01-19 09:45 312次阅读

100kW碳化硅三相并网逆变器设计

摘要:随着人们环保意识的不断提高,传统的化石能源越来越无法满足人们的要求,以太阳能为代表的可再生新能....
的头像 芯长征科技 发表于 01-19 09:43 604次阅读
100kW碳化硅三相并网逆变器设计

碳化硅晶片为什么存在C面和Si面

SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物,即百分之五十的硅(Si)和百分之五十的碳(....
的头像 芯长征科技 发表于 01-18 09:42 710次阅读
碳化硅晶片为什么存在C面和Si面

一种结合了SiC和GaN优势的晶体管

这是电力电子领域令人兴奋的时代。在硅占据主导地位数十年后,两种较新的材料——碳化硅和氮化镓——已经开....
的头像 芯长征科技 发表于 01-18 09:40 205次阅读
一种结合了SiC和GaN优势的晶体管

高压快充充电桩产业 碳化硅材料模块或成必由之路

为适应未来大功率高压快充发展趋势,主流车企及充电运营商已经开始布局大功率快充桩。但高压快充对充电桩的....
的头像 芯长征科技 发表于 01-17 16:26 641次阅读
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