0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

芯长征科技

文章:394 被阅读:148.4w 粉丝数:80 关注数:0 点赞数:32

广告

什么是二极管的反向恢复

IGBT的续流二极管是个很有意思的东西,对模块整体的性能影响很大,今天就聊聊它。
的头像 芯长征科技 发表于 10-15 15:16 8034次阅读
什么是二极管的反向恢复

SJMOS微逆变是什么?有哪些优点?

“光伏”是当下新能源行业的热门话题。随着全球能源危机不断加剧,太阳能作为一种绿色、可再生的能源逐渐受....
的头像 芯长征科技 发表于 10-15 15:12 1205次阅读

超结结构工艺实现方式

在过去的二十年,MOSFET主要用作开关器件,得到了长足的发展,由于它是多子器件,有相对较小的开关损....
的头像 芯长征科技 发表于 10-15 15:07 2520次阅读
超结结构工艺实现方式

功率半导体封装的趋势分析

随着电动汽车和可再生能源的不断普及,功率半导体市场正迎来显著增长,并在封装领域发生巨大变革。封装的复....
的头像 芯长征科技 发表于 10-15 15:04 1531次阅读
功率半导体封装的趋势分析

科力微电子产品在便携式储能的应用

‍ 面向消费者的便携式储能是储能市场新的蓝海分支,一方面行业正处于高速发展期,另一方面产品具有消费品....
的头像 芯长征科技 发表于 10-15 14:59 1342次阅读
科力微电子产品在便携式储能的应用

VDMOS技术概述和特点

在过去的二十年间,MOSFET作为开关器件发展迅速。然而,由于MOSFET的通态功耗较高,导通电阻受....
的头像 芯长征科技 发表于 10-15 14:50 2997次阅读

超结MOSFET的结构和优势

在我们进入超结MOSFET的细节之前,我们先了解一些背景知识。
的头像 芯长征科技 发表于 10-15 14:47 2888次阅读
超结MOSFET的结构和优势

使用并联功率MOSFETS的要点和范例

引言:双极晶体管由于是基极电流驱动,因此电流平衡容易被基极-发射极电压VBE的波动所破坏,使得并联连....
的头像 芯长征科技 发表于 10-15 14:30 3270次阅读
使用并联功率MOSFETS的要点和范例

MOSFET在消费类电子产品的应用

PC电源是一个无工频变压器的四路开关稳压电源,其中涉及整流、高频变化和脉宽调制技术;其具有体积小、效....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 17:54 1276次阅读
MOSFET在消费类电子产品的应用

如何检测SiC IGBT模块失效芯片

当前,在国际节能环保的大趋势下,SiCIGBT芯片下游的新能源汽车、变频家电、新能源发电等领域迅速发....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 17:31 1594次阅读
如何检测SiC IGBT模块失效芯片

TOLL封装MOS管的特点和使用注意事项

TOLL封装是一种具有小体积、低封装电阻和低寄生电感的封装形式,常用于MOSFET。
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 17:29 2991次阅读

功率MOSFET在电池管理充放电系统中的应用

功率MOSFET需要在锂离子电池组内部和输出负载之间串联。同时,专用IC用于控制MOSFET的开启和....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 17:21 3888次阅读
功率MOSFET在电池管理充放电系统中的应用

VDMOS器件关键参数介绍

如图1所示,VDMOS结构就是P型注入和N+注入后两次扩散形成P型区和N+型区,在硅表面P型区和N+....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 17:16 4059次阅读
VDMOS器件关键参数介绍

IGBT短路耐受时间的重要性

IGBT等功率器件具有称为“短路耐受时间(SCWT:Short Circuit Withstand ....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 17:12 1807次阅读
IGBT短路耐受时间的重要性

米勒平台造成的对管开启

在MOS管的上下桥驱动中,有这种现象。如下图,一个管子处在米勒平台的时候,会给另一个管子的Vgs电压....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 17:08 1667次阅读
米勒平台造成的对管开启

芯片制造全流程简述

⌈ “兵马未动,粮草先行”,各路IC英雄是否备好了Hamburger&Chips来迎接下一次的远征。....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 17:04 6411次阅读
芯片制造全流程简述

逆变器中MOS管和IGBT的选型对EMC有什么影响

逆变器中使用的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effe....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 17:00 2759次阅读
逆变器中MOS管和IGBT的选型对EMC有什么影响

Buck电路设计应用

Buck 变换器是一种输出电压低于输入电压的非隔离型直流变换器,其拓扑结构如下所示。Buck 电路输....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 16:58 2548次阅读
Buck电路设计应用

buck-boost拓扑电路的工作过程

从上述分析可以看出,buck-boost拓扑输入Ui和输出Uo正负方向相反。当把电感L等效为两个电感....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 16:47 5416次阅读
buck-boost拓扑电路的工作过程

为什么PMOS作为高侧开关更容易实现

高侧开关就是负载是接地的,开关相对于负载处于高电位,如下图所示。如果将开关和负载的位置互换,就是低侧....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 16:43 4748次阅读
为什么PMOS作为高侧开关更容易实现

Buck电路和Boost电路的工作原理

Buck电路,也就是常说的降压电路,为直流进-直流出。电路没有变压器,输入输出公共一个地。下图为Bu....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 16:22 13127次阅读
Buck电路和Boost电路的工作原理

芯长征科技集团新能源电子封测产线正式通线!

2024年5月9日,芯长征科技集团(简称“芯长征”)新能源电子封测产线在中国荣成顺利通线并隆重举行通....
的头像 芯长征科技 发表于 05-10 14:08 2401次阅读
芯长征科技集团新能源电子封测产线正式通线!

江苏芯长征微电子集团股份有限公司IGBT模块成功通过UL认证

近日,芯长征在UL认证专业机构安可捷协助下,成功完成IGBT模组的UL认证流程,为公司的产品研发与市....
的头像 芯长征科技 发表于 04-16 09:51 2223次阅读
江苏芯长征微电子集团股份有限公司IGBT模块成功通过UL认证

车规芯片与非车规芯片基本性能对比

功率型芯片于控制单元中主要负责具有高功率负载的控制电路,是可实现系统中电力控制与管理的关键零件,由于....
的头像 芯长征科技 发表于 04-09 12:19 5672次阅读
车规芯片与非车规芯片基本性能对比

IGBT/三极管/MOS管这三种元器件之间有什么区别?

三极管的结构是给一块纯硅进行三层掺杂,其中较窄区域高浓度N型掺杂,含有大量自由电子,中间极窄区域普通....
的头像 芯长征科技 发表于 04-09 11:15 35448次阅读
IGBT/三极管/MOS管这三种元器件之间有什么区别?

光伏领域IGBT市场飞速增长 2025年光伏领域IGBT市场规模将达73亿

功率半导体器件(Power Electronic Device)又称为电力电子器件和功率电子器件,是....
的头像 芯长征科技 发表于 04-09 10:59 3457次阅读
光伏领域IGBT市场飞速增长 2025年光伏领域IGBT市场规模将达73亿

剖析晶圆级封装结构的构造原理

其中,有一个插图,知识星球里有朋友不明白每层的构造原理,这里我来剖析一下。
的头像 芯长征科技 发表于 04-03 11:43 3928次阅读
剖析晶圆级封装结构的构造原理

车规级芯片和消费类芯片的区别

汽车电子对元件的工作温度要求比较宽,根据不同的安装位置等有不同的需求,但一般都要高于民用产品的要求。
的头像 芯长征科技 发表于 04-02 11:33 4754次阅读
车规级芯片和消费类芯片的区别

碳化硅MOSFET与硅MOSFET的应用对比分析

碳化硅 MOSFET 具有导通电压低、 开关速度极快、 驱动能力要求相对低等特点, 是替代高压硅MO....
的头像 芯长征科技 发表于 04-01 11:23 5212次阅读
碳化硅MOSFET与硅MOSFET的应用对比分析

除碳可提高GaN电子迁移率?

据日本研究人员报告,通过减少碳污染来避免碳污染源导致的“迁移率崩溃”,氮化镓(GaN)的电子迁移率性....
的头像 芯长征科技 发表于 03-13 10:51 2284次阅读
除碳可提高GaN电子迁移率?