IGBT的续流二极管是个很有意思的东西,对模块整体的性能影响很大,今天就聊聊它。
芯长征科技 发表于 10-15 15:16
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“光伏”是当下新能源行业的热门话题。随着全球能源危机不断加剧,太阳能作为一种绿色、可再生的能源逐渐受....
芯长征科技 发表于 10-15 15:12
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在过去的二十年,MOSFET主要用作开关器件,得到了长足的发展,由于它是多子器件,有相对较小的开关损....
芯长征科技 发表于 10-15 15:07
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随着电动汽车和可再生能源的不断普及,功率半导体市场正迎来显著增长,并在封装领域发生巨大变革。封装的复....
芯长征科技 发表于 10-15 15:04
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面向消费者的便携式储能是储能市场新的蓝海分支,一方面行业正处于高速发展期,另一方面产品具有消费品....
芯长征科技 发表于 10-15 14:59
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在过去的二十年间,MOSFET作为开关器件发展迅速。然而,由于MOSFET的通态功耗较高,导通电阻受....
芯长征科技 发表于 10-15 14:50
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在我们进入超结MOSFET的细节之前,我们先了解一些背景知识。
芯长征科技 发表于 10-15 14:47
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引言:双极晶体管由于是基极电流驱动,因此电流平衡容易被基极-发射极电压VBE的波动所破坏,使得并联连....
芯长征科技 发表于 10-15 14:30
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PC电源是一个无工频变压器的四路开关稳压电源,其中涉及整流、高频变化和脉宽调制技术;其具有体积小、效....
芯长征科技 发表于 10-08 17:54
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当前,在国际节能环保的大趋势下,SiCIGBT芯片下游的新能源汽车、变频家电、新能源发电等领域迅速发....
芯长征科技 发表于 10-08 17:31
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TOLL封装是一种具有小体积、低封装电阻和低寄生电感的封装形式,常用于MOSFET。
芯长征科技 发表于 10-08 17:29
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功率MOSFET需要在锂离子电池组内部和输出负载之间串联。同时,专用IC用于控制MOSFET的开启和....
芯长征科技 发表于 10-08 17:21
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如图1所示,VDMOS结构就是P型注入和N+注入后两次扩散形成P型区和N+型区,在硅表面P型区和N+....
芯长征科技 发表于 10-08 17:16
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IGBT等功率器件具有称为“短路耐受时间(SCWT:Short Circuit Withstand ....
芯长征科技 发表于 10-08 17:12
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在MOS管的上下桥驱动中,有这种现象。如下图,一个管子处在米勒平台的时候,会给另一个管子的Vgs电压....
芯长征科技 发表于 10-08 17:08
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⌈ “兵马未动,粮草先行”,各路IC英雄是否备好了Hamburger&Chips来迎接下一次的远征。....
芯长征科技 发表于 10-08 17:04
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逆变器中使用的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effe....
芯长征科技 发表于 10-08 17:00
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Buck 变换器是一种输出电压低于输入电压的非隔离型直流变换器,其拓扑结构如下所示。Buck 电路输....
芯长征科技 发表于 10-08 16:58
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从上述分析可以看出,buck-boost拓扑输入Ui和输出Uo正负方向相反。当把电感L等效为两个电感....
芯长征科技 发表于 10-08 16:47
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高侧开关就是负载是接地的,开关相对于负载处于高电位,如下图所示。如果将开关和负载的位置互换,就是低侧....
芯长征科技 发表于 10-08 16:43
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Buck电路,也就是常说的降压电路,为直流进-直流出。电路没有变压器,输入输出公共一个地。下图为Bu....
芯长征科技 发表于 10-08 16:22
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2024年5月9日,芯长征科技集团(简称“芯长征”)新能源电子封测产线在中国荣成顺利通线并隆重举行通....
芯长征科技 发表于 05-10 14:08
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近日,芯长征在UL认证专业机构安可捷协助下,成功完成IGBT模组的UL认证流程,为公司的产品研发与市....
芯长征科技 发表于 04-16 09:51
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功率型芯片于控制单元中主要负责具有高功率负载的控制电路,是可实现系统中电力控制与管理的关键零件,由于....
芯长征科技 发表于 04-09 12:19
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三极管的结构是给一块纯硅进行三层掺杂,其中较窄区域高浓度N型掺杂,含有大量自由电子,中间极窄区域普通....
芯长征科技 发表于 04-09 11:15
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功率半导体器件(Power Electronic Device)又称为电力电子器件和功率电子器件,是....
芯长征科技 发表于 04-09 10:59
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其中,有一个插图,知识星球里有朋友不明白每层的构造原理,这里我来剖析一下。
芯长征科技 发表于 04-03 11:43
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汽车电子对元件的工作温度要求比较宽,根据不同的安装位置等有不同的需求,但一般都要高于民用产品的要求。
芯长征科技 发表于 04-02 11:33
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碳化硅 MOSFET 具有导通电压低、 开关速度极快、 驱动能力要求相对低等特点, 是替代高压硅MO....
芯长征科技 发表于 04-01 11:23
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据日本研究人员报告,通过减少碳污染来避免碳污染源导致的“迁移率崩溃”,氮化镓(GaN)的电子迁移率性....
芯长征科技 发表于 03-13 10:51
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