0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

芯长征科技

文章:394 被阅读:148.4w 粉丝数:80 关注数:0 点赞数:32

广告

如何实现高功率密度三相全桥SiC功率模块设计与开发呢?

为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求,进行了 1 200 V/500 A....
的头像 芯长征科技 发表于 03-13 10:34 4402次阅读
如何实现高功率密度三相全桥SiC功率模块设计与开发呢?

晶圆键合工艺流程与关键技术探讨

1:制造先进的启动晶片(SOI)的方法。 2:作为一种创建复杂三维结构和腔体的方法,以创造设备....
的头像 芯长征科技 发表于 03-06 10:45 969次阅读
晶圆键合工艺流程与关键技术探讨

三电平逆变器的基本工作原理介绍

三电平逆变器基本介绍
的头像 芯长征科技 发表于 02-26 10:09 5700次阅读
三电平逆变器的基本工作原理介绍

外延层在半导体器件中的重要性

只有体单晶材料难以满足日益发展的各种半导体器件制作的需要。因此,1959年末开发了薄层单晶材料生长技....
的头像 芯长征科技 发表于 02-23 11:43 2392次阅读
外延层在半导体器件中的重要性

电池储能功率变换系统(PCS)的定义 功率变换系统的设计原则

功率变换系统(power conversion system,PCS)是与储能电池组配 套,连接于电....
的头像 芯长征科技 发表于 02-23 10:23 7116次阅读

晶圆到晶圆混合键合的前景和工艺流程

3D集成是实现多芯片异构集成解决方案的关键技术,是业界对系统级更高功耗、性能、面积和成本收益需求的回....
的头像 芯长征科技 发表于 02-22 09:42 2797次阅读
晶圆到晶圆混合键合的前景和工艺流程

基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元设计方法

摘要:随着储能变流器向大容量、模块化发展,碳化硅(SiC)器件由于其低损耗、耐高温的特性,逐渐成为研....
的头像 芯长征科技 发表于 02-22 09:39 5095次阅读
基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元设计方法

光伏逆变器拓扑概述及关键技术

光伏逆变器拓扑概述及关键技术
的头像 芯长征科技 发表于 02-21 09:47 1955次阅读
光伏逆变器拓扑概述及关键技术

详解MOS管的寄生电感和寄生电容

寄生电容和寄生电感是指在电路中存在的非意图的电容和电感元件。 它们通常是由于电路布局、线路长度、器件....
的头像 芯长征科技 发表于 02-21 09:45 4901次阅读
详解MOS管的寄生电感和寄生电容

IGBT器件的结构和工作原理

IGBT器件的结构和工作原理
的头像 芯长征科技 发表于 02-21 09:41 4123次阅读
IGBT器件的结构和工作原理

全碳化硅直流充电设备技术研究案例

围绕碳化硅功率器件高频率、高耐压、耐高温的性能,提出一套适用于新能源汽车直流充电设备的拓扑结构方案,
的头像 芯长征科技 发表于 02-20 09:47 1223次阅读
全碳化硅直流充电设备技术研究案例

晶体管BJT的工作原理 MOSFET的工作原理介绍

晶体管是一个简单的组件,可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中,将带你了解晶体管是如何工作的,以便....
的头像 芯长征科技 发表于 02-20 09:44 4357次阅读
晶体管BJT的工作原理 MOSFET的工作原理介绍

关于半导体价值链分析(设计、制造和后制造)

半导体价值链的制造阶段包括晶圆制造、前段制程、中段制程、后段制程和远端制程。
的头像 芯长征科技 发表于 02-19 16:43 3258次阅读

具有低导通电阻的GaN-on-SiC肖特基势垒二极管设计

北京工业大学和中国北京大学报道了碳化硅衬底(GaN/SiC)上由氮化镓制成的全垂直结构肖特基势垒二极....
的头像 芯长征科技 发表于 02-19 11:23 2950次阅读
具有低导通电阻的GaN-on-SiC肖特基势垒二极管设计

浅谈碳化硅功率半导体生产流程

碳化硅功率半导体生产流程主要包括前道的晶圆加工,包括长晶、切割、研磨抛光、沉积外延;第二部分芯片加工....
的头像 芯长征科技 发表于 01-25 09:51 3080次阅读

碳化硅的激光切割技术介绍

晶片切割是半导体器件制造的关键步骤,切割方式和质量直接影响晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生产成本,同....
的头像 芯长征科技 发表于 01-23 09:42 7993次阅读
碳化硅的激光切割技术介绍

MOS管体二极管是什么?MOS管体二极管的作用

体二极管是MOS管中的一个重要组成部分,它是衬底B与漏极D之间的PN结。由于把B极和S极短路了,因此....
的头像 芯长征科技 发表于 01-23 09:39 8736次阅读
MOS管体二极管是什么?MOS管体二极管的作用

Chiplet对英特尔和台积电有何颠覆性

Chiplets(芯片堆叠)并不新鲜。其起源深深植根于半导体行业,代表了设计和制造集成电路的模块化方....
的头像 芯长征科技 发表于 01-19 09:45 1245次阅读

100kW碳化硅三相并网逆变器设计

摘要:随着人们环保意识的不断提高,传统的化石能源越来越无法满足人们的要求,以太阳能为代表的可再生新能....
的头像 芯长征科技 发表于 01-19 09:43 4395次阅读
100kW碳化硅三相并网逆变器设计

碳化硅晶片为什么存在C面和Si面

SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物,即百分之五十的硅(Si)和百分之五十的碳(....
的头像 芯长征科技 发表于 01-18 09:42 4838次阅读
碳化硅晶片为什么存在C面和Si面

一种结合了SiC和GaN优势的晶体管

这是电力电子领域令人兴奋的时代。在硅占据主导地位数十年后,两种较新的材料——碳化硅和氮化镓——已经开....
的头像 芯长征科技 发表于 01-18 09:40 914次阅读
一种结合了SiC和GaN优势的晶体管

高压快充充电桩产业 碳化硅材料模块或成必由之路

为适应未来大功率高压快充发展趋势,主流车企及充电运营商已经开始布局大功率快充桩。但高压快充对充电桩的....
的头像 芯长征科技 发表于 01-17 16:26 3029次阅读
高压快充充电桩产业 碳化硅材料模块或成必由之路

碳化硅单晶衬底的常用检测技术

碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,因其宽禁带宽度、高击穿电场强度和高热导率等优异性能,在众多高端....
的头像 芯长征科技 发表于 01-17 09:38 5120次阅读
碳化硅单晶衬底的常用检测技术

晶圆级立方碳化硅单晶生长研究进展

碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能,在新能源汽车、光伏和....
的头像 芯长征科技 发表于 01-16 09:46 2164次阅读
晶圆级立方碳化硅单晶生长研究进展

GaN新技术可使散热能力提高2倍以上

近期,大阪公立大学的研究团队成功利用金刚石为衬底,制作出了氮化镓(GaN)晶体管,其散热性能是使用碳....
的头像 芯长征科技 发表于 01-15 10:44 1522次阅读

光伏逆变器的分类、构成及保护技术

自20世纪70年代全球爆发石油危机以来,太阳能光伏发电技术引起了各国高度重视,光伏行业在全球迅速发展....
的头像 芯长征科技 发表于 01-15 09:43 2865次阅读
光伏逆变器的分类、构成及保护技术

为什么说逆变器是光伏的热门赛道?逆变器在光伏系统中的具体作用

逆变器在光伏系统中具有关键作用。
的头像 芯长征科技 发表于 01-11 09:48 2459次阅读

碳化硅升华生长温度测控研究

摘要:通过调节中频感应线圈的输出功率来改变碳化硅升华生长坩埚的加热温度,并采用 NaCl 和 Al2....
的头像 芯长征科技 发表于 01-11 09:42 2380次阅读
碳化硅升华生长温度测控研究

提高功率器件输出密度的方法

“功率器件”是指逆变器、转换器等电力转换设备以及安装在其中的半导体元件。按功能划分,有功率晶体管(M....
的头像 芯长征科技 发表于 01-10 09:38 2079次阅读
提高功率器件输出密度的方法

基于MOS管的双电源自动切换电路设计

实现双电源自动切换电路,其中利用了三个MOS管进行的电路设计。
的头像 芯长征科技 发表于 01-10 09:36 20011次阅读
基于MOS管的双电源自动切换电路设计