用于2.5D与3D封装的TSV工艺流程是什么？有哪些需要注意的问题？
本文介绍了TSV工艺流程是什么。
用于2.5D与3D封装的TSV工艺流程是什么？有哪些需要注意的问题？
上图是TSV工艺的一般流程。TSV，全名Through-Silicon Via，又叫硅通孔工艺。
硅基底准备：流程以一块覆盖有二氧化硅（SiO₂）层的硅基底开始。这层SiO₂可以通过热氧化或等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法形成。
光刻：光刻胶（Photoresist）被涂布在SiO₂层上，然后通过曝光和显影步骤进行图案化，以得到后面工序要进行硅蚀刻的区域。 硅蚀刻：使用光刻图案作为掩模，采用DRIE在硅基底中蚀刻出通孔。
去除光刻胶：在蚀刻完成后，去除光刻胶以准备接下来的层沉积步骤。
沉积绝缘层和阻挡层：通过PVD,PECVD或原子层沉积（ALD）技术在孔壁上沉积一层二氧化硅来作为绝缘层，防止电子窜扰；然后沉积一层导电的阻挡层，如钛/铜（Ti/Cu）或钽/铜（Ta/Cu），以便后续的铜镀层能更好地附着，且能防止电子迁移。
铜电镀：在绝缘层和阻挡层上进行铜镀层，以填充TSV孔洞。一般通过电镀方式完成。电镀完成后，进行退火工序，释放应力。
化学机械抛光（CMP）：最后，进行CMP步骤来平整表面，去除多余的铜和阻挡层，留下一个与硅基底表面平齐的铜TSV。
审核编辑：刘清
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原文标题：TSV工艺流程介绍
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