0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

离子注入机的简易原理图

中科院半导体所 来源:Tom聊芯片智造 2024-04-18 11:31 次阅读

原文作者:Tom

本文介绍了离子注入机的相关原理。

离子注入机的原理是什么?

dbde7b32-fcaf-11ee-a297-92fbcf53809c.png

上图是离子注入机的简易原理图,各部件作用依次为:

Ion Source(离子源):通过将气体电离,产生所需的离子类型。 Extraction Voltage(抽取电压):将产生的离子从源中抽取出来。 Ion Electrode(离子电极):形成和控制离子束。 Analyzing Magnet(分析磁铁):用于分离出不同荷质比的离子,确保只有所需荷质比的离子进入加速器。 Mass Separation Slit(质量分离缝隙):通过分析磁铁后所允许的离子的特定荷质比范围。 Acceleration Column(加速柱):离子继续加速到所需的最终能量。 Deflector(偏转器):用于调整离子束的路径,以确保离子精确地打到靶材料上。 Magnetic Quadrupole Lenses(磁性四极透镜):用于聚焦离子束,提高注入的精确性。 Electronic Scanning(电子扫描):控制离子束在靶材料表面的扫描模式,确保均匀注入。 Sample (Base Material)(样品(基材)):即靶材料,也就是离子要注入的半导体材料。

审核编辑:黄飞

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 离子束
    +关注

    关注

    0

    文章

    10

    浏览量

    7439

原文标题:离子注入机的原理介绍

文章出处:【微信号:bdtdsj,微信公众号:中科院半导体所】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    凯世通交付首台面向CIS的大束流离子注入机

    据了解,到2024年第一季度为止,该公司已陆续向多个特定客户发出了多个离子注入机订单,单季度就完成了八台离子注入机的客户端上线工作,呈现出迅猛增长的发展态势,取得了良好开局。
    的头像 发表于 03-30 09:34 205次阅读

    离子注入涉及到的隧道效应为什么需要7°角?

    隧道效应,又称沟道效应,对晶圆进行离子注入时,当注入离子的方向与晶圆的某个晶向平行时,其运动轨迹将不再是无规则的碰撞,而是将沿沟道(原子之间的缝隙)运动并且很少受到原子核的碰撞
    的头像 发表于 01-08 10:25 524次阅读
    <b class='flag-5'>离子注入</b>涉及到的隧道效应为什么需要7°角?

    碳化硅离子注入和退火工艺介绍

    统的硅功率器件工艺中,高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法,两者各有优缺点。一般来说,高温扩散工艺简单,设备便宜,掺杂分布轮廓为等向性,且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。离子注入工艺复杂且设备昂贵,但它可独立控制掺杂元素的浓度和结深,虽然也会给衬底引入大量的点缺陷和扩展
    的头像 发表于 12-22 09:41 1151次阅读
    碳化硅<b class='flag-5'>离子注入</b>和退火工艺介绍

    离子注入仿真用什么模型

    离子注入是一种重要的半导体工艺,用于在材料中引入离子,改变其物理和化学性质。离子注入仿真是对离子注入过程进行建模和模拟,以帮助优化工艺参数
    的头像 发表于 12-21 16:38 355次阅读

    什么是离子注入离子注入相对于扩散的优点?

    想要使半导体导电,必须向纯净半导体中引入杂质,而离子注入是一种常用的方法,下面来具体介绍离子注入的概念。
    的头像 发表于 12-11 18:20 1289次阅读
    什么是<b class='flag-5'>离子注入</b>?<b class='flag-5'>离子注入</b>相对于扩散的优点?

    离子注入技术在晶硅太阳能电池中的应用优势

    在晶硅太阳能电池的生产过程中,离子注入是一项非常重要的工艺,它可以大幅度提高光电转换率,实现在应用中的精益有效。「美能光伏」作为一家具有众多检测电池和组件性能设备的光伏企业,拥有的美能傅里叶红外光
    的头像 发表于 08-29 08:35 426次阅读
    <b class='flag-5'>离子注入</b>技术在晶硅太阳能电池中的应用优势

    离子体浸置型离子注入及等离子体掺杂系统介绍

    在常规离子注入中,三氟化硼常用于形成P型浅结的注入不是B,因为BF2+离子大且重。B10H14,B18H22和硼烷(C2B10&或CBH)是研究中的大分子。
    的头像 发表于 07-21 10:18 1592次阅读
    等<b class='flag-5'>离子</b>体浸置型<b class='flag-5'>离子注入</b>及等<b class='flag-5'>离子</b>体掺杂系统介绍

    半导体离子注入工艺评估

    掺杂物的种类、结深与掺杂物浓度是离子注入工艺的最重要因素。掺杂物种类可以通过离子注入机的质谱仪决定,掺杂物浓度由离子束电流与注入时间的乘积决定。四点探针是
    的头像 发表于 07-07 09:51 2578次阅读
    半导体<b class='flag-5'>离子注入</b>工艺评估

    中国电科宣布已实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖

    离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片制造过程中,需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能,这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中,离子注入机就是执
    发表于 07-03 15:05 629次阅读
    中国电科宣布已实现国产<b class='flag-5'>离子注入机</b>28纳米工艺制程全覆盖

    中国电科实现国产离子注入机28纳米工艺全覆盖!【附41份报告】

    来源:芯智讯,谢谢 编辑:感知芯视界 6月29日,据中国电子科技集团有限公司(以下简称“中国电科”)官方消息,该集团旗下中电科电子装备集团有限公司(以下简称“电科装备”)已实现国产离子注入机28纳米
    的头像 发表于 07-03 09:16 711次阅读

    电科装备实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖

    离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片制造过程中,需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能,这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中,离子注入机就是执
    的头像 发表于 06-30 16:41 460次阅读

    半导体离子注入工艺讲解

    阱区注入的工艺说明如下图所示,是高能量离子注入过程,因为它需要形成阱区建立MOS晶体管。NMOS晶体管形成于P型阱区内,而P型晶体管形成于N型阱区。
    的头像 发表于 06-09 11:31 4336次阅读
    半导体<b class='flag-5'>离子注入</b>工艺讲解

    离子注入工艺的损伤与热退火

    高电流的硅或错离子注入将严重破坏单晶体的晶格结构,并在晶圆表面附近产生非晶态层。
    的头像 发表于 05-19 09:22 2242次阅读
    <b class='flag-5'>离子注入</b>工艺的损伤与热退火

    简要描述离子注入的原理和优缺点

    离子注入是一种向衬底中引入可控制数量的杂质,以改变其电学性能的方法。它是一个物理过程,不发生化学反应。
    的头像 发表于 05-12 16:00 5525次阅读
    简要描述<b class='flag-5'>离子注入</b>的原理和优缺点

    离子注入技术的优点和应用

    层。扩散过程之前,必须先生长一层厚的氧化层作为扩散遮蔽层,然后再通过图形化及刻蚀定义岀需要扩散的区域。离子注入是一个室温过程,厚的光刻胶层就可以阻挡高能量掺杂物离子离子注入可以使用光刻胶作为图形化遮蔽层,而不需要生长及刻蚀二氧
    的头像 发表于 05-08 11:19 1752次阅读
    <b class='flag-5'>离子注入</b>技术的优点和应用