单晶硅片出货前需通过哪些检测指标？

单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域。

单晶硅片在出货前要检测一些项目，请问具体会检测哪些指标？

我们以4寸的单晶硅片为例：

如上图：

1，晶向：<100>表示硅晶圆的晶体学方向。这种方向对晶圆上器件的电子特性和制造工艺有重要影响。 2，类型：P (Boron) with one primary flat 表示晶圆是P型硅，即通过掺杂硼来产生多余的空穴。"one primary flat" 表示晶圆边缘的形状，有助于识别晶体晶格的方向。 电阻：1-10 Ohm/cm 是晶圆的电阻率。 等级：Prime / CZ Virgin 表示硅晶圆的质量和纯度。"Prime" 是最高等级，用于高精密应用；"CZ" 指的是用直拉法把单晶硅片制造出来的。 涂层：None, native oxide only 意味着晶圆表面没有附加的膜层，只有自然形成的二氧化硅层。 厚度：525µm (+/- 20µm) 是晶圆的厚度，误差控制在正负20微米以内。厚度的均匀性对后续的加工步骤至关重要。 直径：100mm 指定了晶圆的直径。 Warp：<=30µm ，Warp越低表示晶圆质量越好。 Bowing：<=30µm ,类似于翘曲，它也是衡量晶圆平整度的一种指标。 主定位边：32.5 +/- 2.5mm 表示了晶圆主定位边的长度，用于定位晶圆的方向。有的晶圆还有副定位边，如下图：

表面粗糙度：0.2 - 0.3nm, polished one side 表示该硅片为单抛硅片，表面的粗糙度单位是纳米。

审核编辑：黄飞